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61.
62.
采用简单、快速且有选择性的红外光谱法测定高碱性磺酸盐添加剂的碱值。在高碱性磺酸盐同一张谱图上,可以测定到在865厘米~(-1),1180厘米~(-1)分别属于δco_3~(2-),v_(asso)振动的吸收强度,由于样品厚度未知,而采用了吸收比的方法。 相似文献
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电磁加载下的高能量密度物理问题研究 总被引:1,自引:0,他引:1
1物质的高能量密度状态文中所述的高能量密度状态是指物质由于受到外界能量输入或自身能量转换,使其内能增大而造成的高压力、高密度和高温度状态。能量的体积密度的量纲等同于压力的量纲,由此可知内能增加量为1MJ/cm3时,物质内部的压力约为1TPa量级。通常认为在高能量密度状态下,固体物质的可压缩性应有显著影响,气态物质应达到接近极限压缩的程度,相当于0.1TPa或0.1MJ/cm3的内能密度。密度为0.01g/cm3的物质被加热到100eV,其压力则为0.1TPa,对氢气而言比能量约10MJ/g。高能炸药PBX-9404的化学反应能密度约为0.0096MJ/cm3,爆压为36… 相似文献
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Using high-dimensional quantum error-avoiding code, we present two new quantum key distribution protocols over a collective noisy channel, i.e. six-photon and five-photon quantum error-avoiding codes. Compared with the previous protocols using four-photon and three-photon quantum error-avoiding code, the qubit efficiencies of the new protocols have increases of 16.67% and 5% respectively. In addition, the security of these protocols is analysed with a conclusion that the new protocols are much more secure than the four-photon and three-photon ones. 相似文献
65.
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提出了由中间为高电导率的非铁磁性金属丝外面包裹一层铁磁材料组成的复合结构丝的电流 密度分布和巨磁阻抗(GMI)效应模型,并对Cu/FeCoNi复合丝进行了数值模拟. 结果表明:在 相同的磁性材料几何尺寸和磁特性时,Cu/FeCoNi复合丝铁磁层内的电流随频率的升高比匀 质FeCoNi铁磁丝内的电流更趋于表面分布,而且开始出现趋肤效应时对应的频率明显降低. 当在比较低的频率下就可以观察到明显的MI变化时,复合结构丝中的电阻和电抗变化主要是 由趋肤效应引起,趋肤效应仍然是引起复合结构材料(包括多层薄膜结构)
关键词:
电流密度
巨磁阻抗效应
趋肤效应 相似文献
67.
68.
近些年来向量值测度的 Radon—Nikodym 性质在 Banach 空间理论的研究中得到了广泛的应用,获得了不少结果。本文主要讨论了 Banach 空间的高次对偶空间中的 Radon-Nikodym性质,并给出了著名的 Rosenthal 问题一个部分解答。本文总假定 X 是 Banach 空间,X~*,X~(**)和 X~(n)分别表示 X 的一次、二次和 n 次对偶空间。 相似文献
69.
3.2电磁驱动的高能量密度动力学研究3.2.1固体套筒内爆动力学实验磁力驱动下高速内爆的金属套筒是一个柱形会聚撞击器(又称为飞层),可用来进行冲击压缩和许多流体动力学实验,为此当撞击内部靶芯时套筒内表面附近必须接近于固体状态的密度,因而称为固体套筒。如同气体炮是标准的平面冲击加载装置那样,电磁驱动的固体套筒是柱面会聚冲击实验的通用平台,其能力和精度明显超过爆轰会聚装置,而且没有爆炸带来的种种不便之处。为了用各种材料作撞击器,在轻质良导体(如铝)驱动筒内侧衬上用所需材料制作的薄筒,组成所谓复合套筒。固体套筒内爆动力学… 相似文献
70.
研究了HfN/HfO2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO2高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由于所制备的HfN/HfO2 高K栅结构具有低的原生缺陷密度,因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征,而非工艺缺陷引起的;进一步研究表明,该HfN/HfO2高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO2基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征,可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征: HfN/HfO2 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理,即在负 偏置和温度应力作用下,从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生,并由此产生了Si+陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ,这种Si+陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生.
关键词:
高K栅介质
负偏置-温度不稳定性(NBTI)
反应-扩散(R-D)模型 相似文献