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基于高光谱成像技术的油菜叶片SPAD值检测 总被引:11,自引:0,他引:11
以油菜叶片为研究对象,利用高光谱成像技术,成功建立了叶绿素相对值SPAD值的预测模型。共采集了160个油菜叶片样本在380~1030 nm范围内的高光谱图像。选择500~900 nm之间的平均光谱作为油菜叶片样本的光谱。利用蒙特卡罗最小二乘法(monte carlo partial least squares, MC-PLS)剔除了13个异常样本,基于剩余的147个样本光谱数据与SPAD测量值进行分析,采用了不同的方法建立了多种预测模型,包括:全光谱的偏最小二乘法(partial least squares, PLS)模型,连续投影算法(successive projections algorithm, SPA)选择特征波长的PLS预测模型,“红边”位置(λred)的简单经验估测模型,三种植被指数R710/R760,(R750-R705)/(R750-R705)和R860/(R550*R708)分别建立的简单经验估测模型,以及基于这三种植被指数的PLS预测模型。建模结果显示,全光谱的PLS模型预测效果最为精确,其预测相关系数rp为0.833 9,预测均方根误差RMSEP为1.52。而使用SPA算法选出的8个特征波长所建立的PLS模型其预测结果可达到与全光谱的PLS模型非常接近的水平,而且在保证一定精度的条件下减少了大量运算,节省了运算时间,大幅提高了建模的速度。而基于红边位置和选择的三种植被指数而建立的简单经验估计模型其预测结果虽与基于全光谱的PLS预测模型有一定差距,但模型简单、运算量小,适合用于对精度要求不高的场合,对后续的便携仪器设备开发有一定的指导作用。 相似文献
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设计了一种可调制的高稳定度半导体激光器驱动电路。该电路的直流稳定度高达1.5×10-5,输出电流在0~200mA内连续可调,长时间工作(12h以上)电流变化小于1μA;在直流基础上注入100kHz~300kHz的调制电流,其调制深度为0~100mA连续可调,可实现在激光干涉测量中对光波频率和光波强度的调制。将该电路驱动的光栅外腔半导体激光器和辅助温度控制电路应用于光干涉测量技术中,得到了功率稳定、波长单一的激光输出,解决了激光器的跳模现象,完成了对远距离微小振动(纳米量级)的测量。 相似文献
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本文中,我们提出了一个关于含有多种钉扎中心的层状高温超导体在其单个钉扎中心的钉扎机制的理论,并讨论了具有两种钉扎中心的层状高温超导体的钉扎机制和临界电流密度.我们发现在强、弱钉扎中心之间存在着相互竞争,并解释了临界电流密度在低场区域随磁场增加而迅速降低的现象. 相似文献
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压缩感知高光谱计算成像技术是当前高光谱计算成像领域的研究热点之一,其能够在保持系统元器件物理特性不变的前提下,有效地提升成像质量。本文概述了高光谱计算成像的研究背景和基本概念,详细介绍了压缩感知高光谱计算成像系统的发展现状,重点阐述了本团队提出的基于空-谱编码的压缩感知高光谱计算成像技术,并对其系统组成、数理模型以及最新进展进行了说明。通过总结压缩感知高光谱计算成像的背景知识以及空-谱编码压缩感知高光谱计算成像的研究工作,力求为科研人员探索压缩感知高光谱计算成像新体制带来新的思路,促进高光谱计算成像技术的发展。 相似文献
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基于均值置信区间带的高光谱特征波段选择与树种识别 总被引:2,自引:0,他引:2
以柏木、雷竹和无患子野外高光谱数据为基础,在统计学理论和实践分析的基础上,提出了利用均值置信区间带筛选树种间最佳特征区分波段及利用Manhattan距离和Min-Max区间相似度识别树种的问题。研究结果表明:(1)柏木与雷竹之间的最佳区分波段为358~386,452~1 145和1 314~2 500 nm,柏木与无患子之间的最佳区分波段为350~446,497~527,553~1 330,1 355~2 400和2 436~2 500 nm,雷竹与无患子之间的最佳区分波段为434~555,580~1 903,1 914~2 089,2 172~2 457和2 475~2 500 nm;(2)在最佳区分波段内,同种树种间的Manhattan距离远小于异种树种间的Manhattan距离,同种树种间的Min~Max区间相似度远大于异种树种间的Min~Max区间相似度,Manhattan距离和Min~Max区间相似度可以有效区分和识别不同类型的树种。 相似文献
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Trap States in Al2O3 InAlN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor Structures by Frequency-Dependent Conductance Analysis 下载免费PDF全文
ZHANG Peng ZHAO Sheng-Lei XUE Jun-Shuai ZHANG Kai MA Xiao-Hua ZHANG Jin-Cheng HAO Yue 《中国物理快报》2014,(3):137-139
We present a detailed analysis of the trap states in atomic layer deposition Al2O3/InAlN/GaN high electron mobility transistors grown by pulsed metal organic chemical vapor deposition. Trap densities, trap energies and time constants are determined by frequency-dependent conductance measurements. A high trap density of up to 1.6×1014 cm?2eV?1 is observed, which may be due to the lack of the cap layer causing the vulnerability to the subsequent high temperature annealing process. 相似文献