HgBa2CuO2正常态1/f噪声行为的研究

我们在１００－３００Ｋ温度范围测量了ＨａＢａ２ＣｕＯ２（Ｈｇ－１２１２）相块材样品和不同质量的Ｈｇ－１２１２相薄膜样品,发现Ｈｇ－１２１２相膜的噪声温行为显示较强的样品个性。     

γ辐照三烷基氧化膦的红外光谱研究

混合三烷基氧化膦（ＴＲＰＯ）是一种优良的镧系元素和镧元素萃取剂,已用于放废液的α核素的萃取分离。本文用傅里叶红外光谱法研究γ辐照的３０％ＴＰＯ－煤油－ＨＮＯ３体系的辐照稳定性,结果显示,该萃取剂对放射性辐射是稳定的,主要的辐解产物是硝基烷和羟酸。     

双奇核中π1/2－[541]⊙νi13/2带的系统学特征

通过束流能量为97MeV的¹⁵²Sm(¹⁹F,5n)¹⁶⁶Lu熔合蒸发反应,用在束γ(谱学方法研究了¹⁶⁶的高自旋态,建立了5条转动带,其中3条带是本实验中首次确定的.发现了π1/2^－[541]⊙ν5/2⁺[642]带的低自旋旋称反转现象,该带的反转点自旋值17.5h同A=170区奇奇核的π1/2^－[541]⊙νi_13/2带的反转点变化趋势非常相符.     

Si,Al对激光熔覆MoFeCrTiW高熵合金涂层组织性能的影响

为了提高材料表面的耐磨性和高温抗氧化性,利用激光熔覆技术在Q235钢表面制备了MoFeCrTiW高熵合金涂层,并采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和磨损试验机等研究了Si,Al添加对高熵合金涂层组织、相结构、耐磨性和高温抗氧化性能的影响。结果表明:激光熔覆MoFeCrTiW高熵合金涂层组织为等轴晶,单独添加等物质的量的Si或Al时,涂层分别为共晶组织或树枝晶,同时添加等物质的量的Si和Al时,涂层组织为细小的等轴晶。各高熵合金涂层的主体相均为BCC相,随着Si,Al的添加,BCC相的晶格常数减小。添加等物质的量的Al有助于抑制涂层中金属间化合物的形成,使涂层耐磨性降低;添加等物质的量的Si则会形成含Si的金属间化合物和一些未知相,提高涂层耐磨性。激光熔覆MoFeCrTiW高熵合金涂层在800℃的抗氧化性较高,Si、Al的添加可使涂层的高温抗氧化性进一步提高。     

基于NI-DAQ的高采样实时数据绘制方法与实现

飞行试验实时监控中,对高采样数据通常采用曲线绘制进行分析与故障判断,这对数据绘制的实时性、精确性以及曲线长度等都提出了较高的要求。本文对基于NI-DAQ的曲线绘制方法进行了研究和软件设计,实现了客户端的高采样数据实时绘制与打印输出。结果证明,采用该方法绘制的参数曲线可以满足实时监控要求。     

基于MoO3/Ag/MoO3透明阳极的顶发射OLED的模拟计算与制备

运用传输矩阵法和正交分析法模拟计算出MoO₃/Ag/MoO₃透明电极的最佳厚度,采用镀膜实验验证模拟计算的准确性,制备了一系列不同MoO₃膜厚度和Ag膜厚度的透明电极。然后,制备了一系列顶发射有机电致发光器件:铝/氟化锂(LiF)/三(8-羟基喹啉)铝(Alq₃)/N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺/三氧化钼(MoO₃)/银(Ag)/三氧化钼(MoO₃),来进一步验证模拟计算运用在器件制备中的准确性。MoO₃(10 nm)/Ag(10 nm)/MoO₃(25 nm)在532 nm处的透射率达到最大值88.256%,以该透明电极制备的器件与参考器件相比,性能有了明显提高,最大亮度和最大效率分别为20 076 cd/m²和4.03 cd/A,提高了18.5%和56%。器件性能的提高归因于顶发射OLED器件透射率的提高和MoO₃对空穴注入能力的提升。     

砷化镓光阴极直流高压注入器研究进展

主要介绍自由电子激光相干强太赫兹源(FEL-THz)装置上的砷化镓光阴极直流高压注入器的研究进展,并讨论其驱动未来高重复频率短波长自由电子激光器的差距。通过综合砷化镓阴极寿命的三大影响因素,提出了其工作寿命的定性物理模型;通过该模型对阴极和注入器进行优化,在直流高压电子枪上得到了5mA,32min的连续稳定输出;测量了电子束在4.8mA下归一化发射度约为4.0πmm·mrad,阴极热发射度约为0.6πmm·mrad,电子束本征横向能量约为92meV,250keV电子束在距离阴极90.6cm处纵向均方根长度约为11.5ps。这一束流状态已经基本满足FEL-THz需求。     

YBCO高温超导螺管磁体的优化设计

螺管线圈具有结构简单,材料利用率高等优点,是一种应用较为广泛的磁体结构.但单螺管线圈也具有漏磁较大,均匀度不高的缺点.针对螺管线圈的基本特征,包括磁场强度、磁场分布、磁体的内半径、磁体的漏磁等,本文利用数值计算的方法对高温超导螺管磁体结构进行了优化.在结构优化过程中,文中采用全局搜索能力较强的遗传算法和局部搜索能力较强的非线性规划算法相结合的非线性遗传算法进行优化,使超导磁体在满足一定约束条件的情况下达到最少的超导带材用量,以节约磁体的制造成本.同时比较分析了结构优化前后超导磁体的DSV(diameter spherical volume)区域的均匀度和杂散场分布.     

GaN HEMT器件结构的研究进展

Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)具有大的禁带宽度、高电子饱和速度、异质结界面的高二维电子气浓度、高击穿电压以及高的热导率,这一系列特性使它在高频、高功率、高温等领域得到了广泛的认可。本文首先论述了制约氮化镓高电子迁移率晶体管器件性能提高所遇到的问题及解决方法;然后,着重从优化材料结构设计和器件结构设计的角度,阐述了氮化镓高电子迁移率晶体管器件在高频高功率领域的最新研究进展;最后,讨论了器件进一步发展的方向。     

直角型低温管道热结构耦合数据分析

针对某低温管路系统一段直角型高真空多层绝热低温管道进行稳态热结构耦合数据分析,并对最大热应力进行校核,经ANSYS Workbench 13.0有限元软件分析结果表明:绝热结构满足保冷要求,有效减小了管壁热应力;支撑是主要的传热路径,与内外管接触位置附近温度梯度比较大;支撑热应力主要分布在与内外管接触的对角线周围,分布位置呈现对称特征,对内外管和支撑最大热应力进行相应的校核,证明该管道是安全可靠的。为同类型低温管道结构设计及支撑位置和数量的合理设置具有重要的参考价值,同时对低温管道的安全运行具有重要的意义。