全文获取类型
收费全文 | 4820篇 |
免费 | 2266篇 |
国内免费 | 1857篇 |
专业分类
化学 | 1829篇 |
晶体学 | 79篇 |
力学 | 568篇 |
综合类 | 110篇 |
数学 | 268篇 |
物理学 | 6089篇 |
出版年
2024年 | 84篇 |
2023年 | 217篇 |
2022年 | 339篇 |
2021年 | 285篇 |
2020年 | 196篇 |
2019年 | 242篇 |
2018年 | 182篇 |
2017年 | 225篇 |
2016年 | 227篇 |
2015年 | 267篇 |
2014年 | 552篇 |
2013年 | 399篇 |
2012年 | 348篇 |
2011年 | 426篇 |
2010年 | 431篇 |
2009年 | 393篇 |
2008年 | 387篇 |
2007年 | 342篇 |
2006年 | 405篇 |
2005年 | 317篇 |
2004年 | 291篇 |
2003年 | 274篇 |
2002年 | 275篇 |
2001年 | 212篇 |
2000年 | 192篇 |
1999年 | 201篇 |
1998年 | 163篇 |
1997年 | 160篇 |
1996年 | 147篇 |
1995年 | 125篇 |
1994年 | 118篇 |
1993年 | 90篇 |
1992年 | 117篇 |
1991年 | 106篇 |
1990年 | 75篇 |
1989年 | 70篇 |
1988年 | 34篇 |
1987年 | 13篇 |
1986年 | 5篇 |
1985年 | 4篇 |
1984年 | 3篇 |
1983年 | 2篇 |
1982年 | 1篇 |
1980年 | 1篇 |
排序方式: 共有8943条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
陈永静 朱胜江 J.H.Hamilton A.V.Ramayya J.K.Hwang Y.X.Luo J.O.Rasmussen 车兴来 丁怀博 李明亮 《中国物理 C》2006,30(8):740-744
通过测量252Cf自发裂变所产生的瞬发γ射线, 对146Ce核的高自旋结构进行了重新研究, 结果更新了以前报道的能级纲图, 把八级形变集体带扩展到更高的自旋, 并且重新构建了可能的准γ带结构. 此外, 用反射不对称壳模型(RASM)对146Ce核的八级形变带进行了计算, 低自旋处的计算结果与实验数据符合得很好. 相似文献
22.
高固体分羟基丙烯酸树脂的合成 总被引:1,自引:0,他引:1
以过氧化二苯甲酰(BPO)/过氧化二异丙苯(DCP)(质量比为2:3)为复合引发剂,二甲苯为溶剂,选用适量含羟基单体和分子量调节剂,以减缓树脂合成聚合反应中的自动加速现象,合成了分子量为3000-4000,多分散性指数d〈2的高固体分羟基丙烯酸树脂.该树脂与缩二脲多异氰酸酯(HDI)的配漆实验证明,所得漆膜鲜映性好、丰满度高、色泽好、雾影值低、综合性能较好. 相似文献
23.
Single Qubit and Its Universal Logic Gate Made of a Heisenberg Spin Cluster with Five Particles 下载免费PDF全文
We investigate an anisotropic Heisenberg spin cluster with five particles controlled by a time-dependent magnetic field. With the algebraic dynamical method, we obtain the exact analytical solution to the time dependent Schr6dinger equation. Based on the analytical solution, it is shown that the system can be used as a universal single qubit logic gate controlled by the strength and frequency of the magnetic field, and the six special single qubit logic gates can be realized physically. We also discuss the anti-decoherence property of the qubit and its logic gates resulted from particle coupling effect and collectivity of the cluster. 相似文献
24.
25.
考虑到量子相干效应和界面散射效应 ,利用 L ambert理论模型 ,计算正常金属 /绝缘层 /超导 /绝缘层 /正常金属双垒隧道结中的准粒子输运系数和隧道谱。研究表明 :( 1)所有的准粒子输运系数和电导谱在超导能隙之上都随能量作周期性振荡 ,其振荡周期依赖于超导层的厚度 ;( 2 )在超导能隙之上 Andreev反射系数随能量呈现周期性消失现象 ;( 3)在绝缘层势垒强度取很大的隧道极限下 ,超导层中会形成一系列的准粒子束缚态 ,其位置由量子化条件决定 ;( 4)界面散射效应不仅能压低各子能隙电导峰 ,还能使子能隙电导峰劈裂为两个峰。 相似文献
26.
Based on the solution to Bargmann-Wigner equation for a particle with arbitrary half-integral spin, a direct derivation of the projection operator and propagator for a particle with arbitrary half-integral spin is worked out. The projection operator constructed by Behrends and Fronsdal is re-deduced and confirmed and simplified, the general commutation rules and Feynman propagator with additional non-covariant terms for a free particle with arbitrary half-inteRzal spin are derived, and explicit expressions for the propagators for spins 3/2, 5/2 and 7/2 are provided. 相似文献
27.
由“从正则分布出发,在小涨落近似下得出的能量涨落分布公式”求得的能量涨落的二次矩与直接由正则分布求得的二次矩完全相同,但分别由二求得的高次矩并不完全相同。 相似文献
28.
两个高维Oppenheim不等式的简单证明 总被引:1,自引:0,他引:1
本首先对[1]中的多个单形体积的Oppenhdm不等式给出了一种简单证明,并同时将[2]中的又一Oppenheim不等式推广刊高维空间的多个单形上。 相似文献
29.
有机薄膜器件负电阻特性的影响因素 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了影响有机染料掺杂聚合物薄膜器件负电阻特性的因素,为探索有机负电阻的机理提供实验依据。实验中制备了多种有机染料掺杂聚合物薄膜器件,研究了有机小分子染料、聚合物基体、薄膜组成及厚度、ITO和聚苯胺阳极等对有机染料掺杂聚合物薄膜器件负电阻特性的影响。在室温、大气环境下,所制备的多种有机染料掺杂聚合物器件在所加电压为3~4V时,观察到明显的负电阻特性,电流峰谷比最大约为8。负电阻现象及峰谷比的大小受膜厚和器件的结构、制备工艺等影响。提出用负电阻和二极管并联组成的等效电路模型解释影响负电阻特性的因素,认为负电阻特性与载流子的不平衡注入有关。在此基础上设计、合成了主链含唔二唑电子传输基团的可溶性聚对苯撑乙烯衍生物,该聚合物兼具空穴和电子传输功能,在空气中具有较稳定的N型负电阻特性。进一步控制相关材料和工艺条件,有可能得到易于控制的负阻效应,开发出新型的有机负电阻器件。 相似文献
30.
The validity condition of the brick-wall model is analysed in nonstationary space-time.It is shown that the model holds only in thin regions,only by using tortoise coordinates near the event horizon of a slowly varying(quasistationary)black hole.The reason for the use of tortoise cooridnates is that the stationary state solutions of quantum field equations in other coordinates do not exist for any region in nonstationary space-time.Meanwhile,the quantum corrections to the entropy of the Vaidya-Bonner black hole due to the spin fields are calculated in terms of the brick-wall model. 相似文献