ICP-AES同时测定高纯石英砂中硼和磷含量

研究了氢氟酸酸溶法处理样品,直接用电感耦合等离子体-原子发射光谱法(ICP-AES)测定高纯石英砂中硼、磷微量杂质元素。通过优化仪器参数,利用软件扣除背景等方法,成功的消除了基体效应。方法用于高纯石英砂中硼和磷的测定,同时对一个土壤标准物质进行了检测对照,实验结果显示,B和P校准曲线的线性关系好,回收率范围在93.33%—105.00%之间,相对标准偏差均小于1%,对照实验结果与标准参考值无显著性差异。方法具有分析速度快、准确度高、精密度好、检出限低的特点,适用于高纯石英砂等材料中B、P含量的同时测定。     

铬过渡层对纳米球刻蚀法制备二维银纳米结构的影响

研究了铬过渡层对纳米球刻蚀法制备二维银纳米点阵结构的影响。首先利用自组装的方法在玻璃基底上制备出单层排列的聚苯乙烯纳米球阵列,然后使用物理气相沉积的方法在二维聚苯乙烯纳米球阵列上沉积一层铬层作过渡层和银层,最后将玻璃基底在乙醇溶液中超声移除聚苯乙烯纳米球,得到二维的银纳米点阵。实验发现,随着铬过渡层厚度的增加,制得的二维银纳米点阵阵列趋于完整,单个的银纳米颗粒由椭圆状转变为三角形形状。实验中测量了所得到的二维银纳米结构的吸收光谱。     

多相基质中Cr3+→Nd3+能量传递

根据分相成核原理，通过一步热处理过程，制备了双掺杂B2O3－Al2O3-SiO2系统透明玻璃陶瓷，XRD分析确定主晶相为莫来石固溶体；分别测定了材料的吸收光谱，发射光谱和荧光寿命，分析讨论了铬和钕格位分布及光谱特点，在双掺杂铬和钕玻璃陶瓷中存在较强的Cr^3 →Nd^3 的辐射能量传递和无辐射传递，Cr^3 主要位于晶相格位中，Nd^3 则全部保留在剩余玻璃相中，Cr^3 的格位分布对光谱性能有很大的影响。     

富铬酵母中14种元素的ICP-AES测定

本文用ＩＣＰ－ＡＥＳ法同时测定富铬酵母中Ｋ、Ｆｅ、Ｐ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｖ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃａ１４种元素的含量。结果表明，富铬酵母中的铬对其他元素的浓度有一定影响，并且，Ｋ、Ｍｎ、Ｐ、Ｖ、Ｍｇ、Ｃａ的浓度明显低于普通酵母。     

La1-xCaxCrO3连接材料的研制

用溶胶-凝胶法制备了单相性和均匀性好的La1-xCa     

锂硅合金中主成分锂及杂质铁镍铬的测定

试样以HF溶解,H2SO4冒烟除尽HF和SiF4,灼烧,锂呈Li2SO4而称至恒量。试样中铁、镍、铬杂质用ICP AES法测定,从灼烧后的不纯Li2SO4质量中减去铁、镍、铬各氧化物的质量,计算锂的质量分数。考察了溶样、除硅、灼烧、扣除杂质量等条件,建立了锂硅合金中主成分锂及杂质铁、镍、铬的测定方法。锂的RSD(n=6)<0.5%;铁、镍、铬的RSD(n=6)均<5%。试样加标回收率,锂为99.3%～99.7%,铁为97.5%～105.0%,镍为95.0%～100.0%,铬为103.0%～106.0%。方法完全能满足Li13Si4合金的分析,也适合其它类型锂硅合金的分析。     

主动法探测炸药成分实验

军控核查中，炸药的探测难度较大。在实验中利用^252Cf中子源辐照不同质量件和不同组合的模拟炸药半球（图1），采用高纯锗γ探测器探测由中子与^1H，^12C，^16O和^14N核素发生（n，γ）俘获反应产生的γ射线来探测炸药成分。     

塞曼石墨炉原子吸收法测定水产品中的铬

研究了石墨炉原子吸收法测定的方法 ,对多种方法比较研究得出 ,样品经过干法灰化 ,以硝酸溶解未消解完全的样品 ,用硝酸镁作基体改进剂 ,利用塞曼扣背景技术 ,热解平台石墨管进行测定 ,线性范围为2 .5— 5 0 μg·L-1,回收率为 90 %— 10 3% ,相对标准偏差为 6 .8%。     

Atom Lithography with a Chromium Atomic Beam

Direct write atom lithography is a new technique in which resonant light is used to pattern an atomic beam and the nanostructures are formed when the atoms deposit on the substrate. We design an experiment setup to fabricate chromium nanolines by depositing an atomic beam of ^52Cr through an off-resonant laser standing wave with the wavelength of 425.55 nm onto a silicon substrate. The resulting nanolines exhibit a period of 215±3 nm with height of I nm.