纳米管有助于迅速提高原子的发光度

通常避雷针的尖端可以改变建筑物周围电场的性质 ,同样一个高度弯曲的表面 (约为纳米量级 )也能改变表面附近真空电磁场的物质特性 .在纳米体 (例如量子点、纳米球或纳米棒等 )附近的原子由于电磁场的改变会导致它的物质行为的变化 ,这种现象在物理上称为珀塞尔效应 (Ｐｕｒｃｅｌｌｅｆｆｅｃｔ) .它的产生是由于原子内的激发电子能强烈地感应其周围的真空电磁场的变化 .白俄罗斯的国立明斯克 (Ｍｉｎｓｋ)大学的Ｓ .Ｍａｋｓｉｍｅｎｋｏ教授及其同事们完成了一项物理实验 ,他们证明 ,由于碳纳米管导电性质的异常 ,在其附近的激发原子或分…     

从二项式分布推出高斯分布

在实验中,对一个物理量在同一条件下进行测量次数很多时,测量值或随机误差通常遵守高斯分布。为简化引入该分布的手续,本文从二项式分布出发推出高斯分布。一、回顾二项式分布对一个随机事件,在同一条件下进行N次独立的试验,若以试验结果事件A发生的概率为P,A不发生的概率为(1-P),     

用原子位形几率波理论研究插层化合物MxTX2中M离子的有序结构

本文就插层化合物M_xTX₂中占据八面体间隙的M离子建立了离子-空位格气模型.用原子位形几率波理论研究了M离子的有序结构,得到了3种最稳定的有序结构,并定量地分析了相互作用参数对有序结构形成的决定作用.最后对已有实验结果进行了分析和讨论.     

Effects of Substrate Temperature on Helium Content and Microstructure of Nanocrystalline Titanium Films

Helium-charged nanocrystalline titanium films have been deposited by HeAr magnetron co-sputtering. The effects of substrate temperature on the helium content and microstructure of the nanocrystalline titanium films have been studied. The results indicate that helium atoms with a high concentration are evenly incorporated in the deposited titanium films. When the substrate temperature increases from 60℃ to 350℃ while the other deposition＇parameters are fixed, the helium content decreases gradually from 38.6 at.% to 9.2at.%, which proves that nanocrystalline Ti films have a great helium storage capacity. The 20 angle of the Bragg peak of （002） crystal planes of the He-charged Ti film shifts to a lower angle and that of （100） crystal plane is unchanged as compared with that of the pure Ti film, which indicates that the lattice parameter c increases and a keeps at the primitive value. The grain refining and helium damage result in the diffraction peak broadening.     

双奇核188Au的准粒子带结构研究

利用在束γ谱学实验技术, 通过¹⁷³Yb(¹⁹F,4nγ)反应 布居了¹⁸⁸Au的高自旋态, 并对其准粒子带结构进行了研究. 基于实验测量结果, 对原有的双奇核¹⁸⁸Au能级纲图做了较大的修改. 通过系统性比较, 对15⁺以上的能级结构进行了讨论.     

κ玻色子q相干态的反聚束效应

研究了q变形湮没算符高次幂（αq^k,κ≥3)本征态的反聚束效应，并就κ=3的情况用数值计算方法研究了q变形参数对该效应的影响。结果表明，当q变形相干态中谐振子的强度x=|z|^2在某些区间内取值时，αq^k的本征态将呈现反聚束效应，并且这一效应明显地受到q参数的影响。当参数q取定时，随着q变形光场强度的变大，该光场的光子数涨落在经典（或量子）和量子（或经典）特性之间交替地变化。     

146Ce核的八级形变带和准γ带

通过测量²⁵²Cf自发裂变所产生的瞬发γ射线, 对¹⁴⁶Ce核的高自旋结构进行了重新研究, 结果更新了以前报道的能级纲图, 把八级形变集体带扩展到更高的自旋, 并且重新构建了可能的准γ带结构. 此外, 用反射不对称壳模型(RASM)对¹⁴⁶Ce核的八级形变带进行了计算, 低自旋处的计算结果与实验数据符合得很好.