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71.
72.
74.
采用粉末装管工艺研制YBa_2Cu_3O_(7-δ)高温超导带材。研究了冷轧工艺和冷轧十压制工艺对带材J_c值的影响以及不同加工率线材超导芯的微观结构。实验结果表明,采用冷轧十压制工艺比单纯的轧制工艺所获得的带材J_c值高,随着加工率的增加超导芯的密度和临界电流密度增加。 相似文献
75.
采用气相沉积技术在Si衬底上生长了Zn-Zn2SiO4芯-壳结构纳米同轴线阵列。根部呈笋状的纳米同轴线,直径约100nm,长度可以超过10μm;同轴线芯直径约50nm、壳层厚约25nm。通过X射线衍射的表征以及能量色散谱的线扫描,确定纳米同轴线的芯为Zn,壳层为Zn2SiO4。我们提出了一种新的生长机制,同时也为生长均匀的纳米同轴线提供一种新的技术。观察阴极荧光谱发现,纳米同轴线有三个主要发光带:强度最大的中紫外300nm发光、较弱的可见光区560nm以及红外谱区865nm的发光。对纳米同轴线截面的300nm发光峰观测发现,中紫外发光来源于Zn2SiO4壳层。正是这种同轴线的结构,使得其具备特殊的光学性质。 相似文献
76.
采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜,使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品,实验结果表明:GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;而X射线双晶衍射峰半高宽最小的样品,其PL谱的带边峰却很弱,这说明PL谱反映样品的光学性能与X射线双晶衍射获得的结晶质量不存在简单的对应关系,同时还报导了一种特殊工艺生长的高阻GaN样品的RBS/沟道结果。 相似文献
77.
本文讨论了强预不变凸函数与预不变凸函数、严格预不变凸函数及半严格预不变凸函数之间的关系,得到它的三个充要条件:(i)在一定条件下,f是强预不变凸函数的充分必要条件是f是预不变凸函数且f满足中间点强预不变凸性;(ii)在一定条件下,f是强预不变凸函数的充分必要条件是f是严格预不变凸函数且f满足中间点强预不变凸性;(iii)在一定条件下,f是强预不变凸函数的充分必要条件是f是半严格预不变凸函数且f满足中间点强预不变凸性. 相似文献
78.
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的highelectronmobilitytransistors(HEMT)和Pseudomorphichighelectronmobilitytransistors(PHEMT)结构深中心行为.样品的DLTS谱表明,在HEMT和PHEMT结构的nAlGaAs层里存在着较大浓度(1015-1017cm-3)和俘获截面(10-16cm2)的近禁带中部电子陷阱.它们可能与AlGaAs层的氧含量有关.同时还观察到PHEMT结构晶格不匹配的AlGaAsInGaAsGaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心(与硅有关)能级位置的有序移动.其移动量可作为应力大小的一个判据,表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具.
关键词:
分子束外延生长
高电子迁移率超高速微结构功能材料
深中心 相似文献
79.
Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si (111) Substrates using a GaN Intermedial Layer
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GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si(111) substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional (3D) mode to the 2I) one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer. 相似文献
80.
生长曲线模型中回归系数阵的极大似然估计的精确分布 总被引:2,自引:0,他引:2
对于生长曲线模型,基于理论发展和应用效果的考虑,本文引入了Gauss型误差.在此误差下,本文研究了模型中回归系数阵的极大似然估计的精确分布,求出了此分布的密度和特征函数. 相似文献