高计数率软X射线能谱仪诊断高温等离子体

本文给出了在ＨＴ－６Ｍ托卡马克装置上做ＥＣＲＨ实验时，用软Ｘ射线诊断等离子体电子温度的数据及处理结果。还尝试了能够提供每次放电数据的方法。如果在实验中要求温度的时间分布，本方法能够及时提供每次放电的电子温度及其随时间变化的情况。     

激光干涉法测压电陶瓷的压电常数d31

介绍迈克尔逊干涉仪原理在测微小位移中的应用。确定一种锆钛酸铅镧压电陶瓷的压电常数ｄ３１，得到了一种测ｄ３１的可行可靠的新方法。     

低声阻抗复合压电陶瓷的研究及应用

本文研究了我们所配制夹心结构复合压电材料低声阻抗的特性。实验表明，夹心复合压电陶瓷材料的声阻抗，与所用陶瓷材料的种类，气孔率，孔径，样品厚度以及工艺制备过程有关。实验证明，研制特定阻抗的材料是可行的，最后，用研制的新材料成功地应用于混凝土、Ｃ／Ｃ复合材料等非金属材料的超声检测中。     

一种含势阱具有混合交换势形式的平均原子模型

含温有界平均原子模型是研究高温稠密等离子体物理特性的重要工具之一。但平均原子模型在低温等离子系统物性研究方面存在较大的缺陷。为此，对传统的平均原子模型(AAM)作了几点改进：     

超声波电机驱动的精密位移机构

精密位移机构既是重要的运动执行元件，也是对工艺系统误差进行动态、静态补偿的元件。目前常见的精密位移机构一般利用弹性变形、机械传动、电磁力和压电陶瓷、电致伸缩和磁致伸缩等方式实现，这些方法都难以同时具有高频响、大行程、高精度的特点，有的还需中间的传动机构，结构复杂，精度难以提高，存在电磁干扰等问题。     

水喷射淬冷高温壁面的传热实验研究

本文采用直接表面温度测量的方法对水喷射高温壁面的传热过程进行实验研究．系统地研究了射流出口速度、冷却水过冷度、喷嘴至加热面的间距、初始壁温以及水喷雾的流量密度等参数对淬冷表面的膜态沸腾、最小临界点、过渡沸腾、最大临界点等传热过程的影响，给出了有关实验结果，分析了它们的特点。     

Si表面上生长的ZnO薄膜的阴极射线荧光

几种不同温度下退火的用直流溅射法生长的ZnO／Si样品的阴极射线荧光(CL)光谱显示，当退火温度低于等于800℃时，随着退火温度的升高，薄膜的晶体质量得到了改善，这主要体现在390nm紫外带的发射强度与505nm绿带发射强度的相对比值迅速增加，同时也发生了绿带的红移以及窄化效应。但退火温度超过800℃时绿带就不再红移了，其峰值为525nm。当退火温度为950℃时，紫外带几乎消失，而只剩下绿带，且与纯硅酸锌样品的CL谱一致，掠入射X射线衍射测量表明，确有三角相三元化合物硅酸锌的产生。因此，从ZnO／Si异质结的质量来看，直流溅射法可能不适宜用于生长这样的异质结：因为当退火温度低于800℃且相差较大(如600℃)时，不能得到产生强ZnO紫外发光的晶体质量，而当退火温度接近或高于800℃时，虽然zn0晶体质量得到了改善从而紫外发光份额迅速增加，但同时也产生了新的三元化合物硅酸锌，将严重影响ZnO／Si异质结的电学输运特性。     

Sr4Al14O25:RE3+(RE=Eu,Ce,Tb)中稀土离子的发光性质

采用高温固相反应合成了Sr4Al14O25：RE^3 (RE＝Eu，Ce，Tb)样品，研究了其中Eu^3 ，Ce^3 和Tb^3 的光谱性质，以及Ce^3 与Tb^3 共掺时的能量传递现象；发现Eu^3 ，Ce^3 和Tb^3 占有两个格位，与Eu^2 在此基质中的情况相似；在Tb^3 的发射光谱中同时观察到了来自^5D3与^5D4的发射，表明两能级间无辐射跃迁过程不显著；Ce^3 对Tb^3 有敏化作用。     

Effect of Metallic Film in Diamond Growth from an Fe—Ni—C System at High Temperature and High Pressure

The metallic film surrounding a diamond single crystal,which plays an important role the diamond growth from and Fe-Ni-C system,has been successfully investigated by using transmission-electron microscopy(TEM),Raman layer(near diamond)of the film by TEM and Raman spectroscopy,but a parallel relationship exists between the(111) plane of γ-(Fe,Ni) and the (100) plane of (Fe2Ni)3C in this region.Compared with that of the film has an increase of 0.9V.According to the microstructures on the film obtained by the TEM.Raman spectra,and XPS,the catalytic mechanism of the film may be assumed as follows.In the surface layer of the film,iron and nickel atoms in the γ-(Fe,Ni) lattice can absorb carbon atoms in the (Fe,Ni)3C lattice and make them transform to an sp^3-like state.Then carbon atoms with the sp^3-like structure are separated from the (Fe,Ni)3C and stack on the growing diamond crystal.This study provides a direct evidence for the diamond growth from a metallic catlayst-graphite system under high temperature and high pressure.