MgB_2超导电性的发现及新一轮高临界温度超导研究热潮

20 0 1年 1月 10日 ,在日本召开的学术会议上 ,AoyamaGakuin大学的J.Akimitsu教授宣布MgB2 显现超导电性 (Tc=39K) .紧接着的一系列研究工作表明 ,MgB2 属于BCS超导体 .这些发现引起了新一轮高临界温度超导研究热潮     

ITER稳态磁场测试装置磁体电源设计与控制研究

ITER稳态磁场测试装置可产生特定的磁场条件,从而对进入ITER项目现场的实验设备进行稳态磁场合格测试。磁体电源是一关键部件,为稳态磁体提供高精度稳定大电流。介绍了13.5kA稳态磁体电源基本拓扑结构。为提升电源效率,引入同步整流工作方式,提出了双电流闭环控制策略,配合载波移相调制方式,减小负载电流纹波,保证各支路间均流效果良好,使输出稳态磁体电流精度控制在0.5%以内。通过仿真和实验结果证明了该稳态磁体电源系统设计的合理性。     

10 kV三相同轴高温超导电缆力学性能分析

针对电缆示范工程的并网实验要求,以10 kV/1 kA三相同轴高温超导电缆为研究对象,重点研究了超导电缆的弯曲力学特性。运用了有限元分析软件建立其三维模型,模拟超导电缆受到不同弯曲半径下的应力和应变分布,再结合临界电流密度,计算出临界电流。在此基础上,对电缆样件进行弯曲实验,测量出不同弯曲半径下的临界电流。研究结果表明,该力学模型可以准确得出超导电缆的临界弯曲半径,有效保障电缆运行的安全性与稳定性。     

美妙的超导应用

 超导态是物质的一种独特状态,它的新奇性,立刻使人想到将它用到技术上。自20年代起,人们对超导应用的热情总比对超导机理研究要高;到80年代高温超导材料问世后,这种热情就更为炽烈。目前超导的应用正在许多领域里迅速发展,其景况十分美妙和诱人。     

温度和电流对白光LED发光效率的影响

对大功率白光LED发光效率进行了研究,得出温度和电流对LED发光效率的影响:随着温度的升高,势阱中辐射复合几率降低,从而降低了发光效率;电流的升高,使更多的非平衡载流子穿过势垒,降低了发光效率。LED工作时,过高的工作温度或者过大的工作电流都会产生明显的光衰:如果LED工作温度超过芯片的承载温度,这将会使LED的发光效率快速降低,产生明显的光衰,并且对LED造成永久性破坏;如果LED的工作电流超过芯片的饱和电流,也会使LED发光效率快速降低,产生明显的光衰。并且LED所能承载的温度与饱和电流有一定关系,散热良好的装置可以使LED工作温度相对降低些,饱和电流也可以更大,LED也就可以在相对较大的电流下工作。     

基于ANSYS的高温超导混合磁轴承悬浮力分析

基于商用电磁场有限元软件ANSYS以及Bean临界态模型,对由圆柱形高温超导块材、永磁体和超导线圈组成的新型高温超导混合磁轴承的电磁场分布及悬浮力进行了仿真分析,研究了超导线圈对高温超导混合磁轴承悬浮力的影响,同时还通过实验测试了悬浮力。结果表明:仿真与实验具有较好的一致性,使用软件仿真方便可行,其结果较为准确可靠,可为高温超导混合磁轴承的设计和优化提供理论依据。     

同步切换电子毫秒计时器的设计与应用

1引言 在实验教学中常常遇到计时与操作不同步的问题，此类操作需要眼及双手（一手拨开关，一手按秒表）配合，不可能做到同步．如在用冲击电流计测高电阻实验中，测电容通过高电阻的放电曲线时就遇到此问题．测量等效电路如图1，实验的具体操作是，将开关S接到a端，对电容器C0充电．然后将S与a断开并保持在中央位置，     

Fluctuation of Mesoscopic RLC Circuit at Finite Temperature

We consider the fluctuation of mesoscopic RLC circuit at finite temperature since a resistance always produces Joule heat when the circuit is working. By virtue of the thermo field dynamics and the coherent thermo state representation we show that the quantum mechanical zero-point fluctuations of both charge and current increase with the rising temperature and the resistance value.     

Demonstration of a 4H SiC Betavoltaic Nuclear Battery Based on Schottky Barrier Diode

A 4H SiC betavoltaic nuclear battery is demonstrated. A Schottky barrier diode is utilized for carrier separation. Under illumination of Ni-63 source with an apparent activity of 4mCi/cm^2, an open circuit voltage of 0.49 V and a short circuit current density of 29.44nA/cm^2 are measured. A power conversion efficiency of 1.2% is obtained. The performance of the device is limited by low shunt resistance, backscattering and attenuation of electron energy in air and Schottky electrode. It is expected to be significantly improved by optimizing the design and processing technology of the device.     

直流固态继电器电磁脉冲失效模式实验研究

采用电流注入法对某型直流固态继电器输入端与输出端的电磁脉冲损伤机制及失效模式进行了实验研究,结果表明：输入端注入电磁脉冲信号时,输出端会产生误动作,并可造成输入电路中三极管BE节产生短路损伤,导致输入端施加控制信号时输出端无法导通;输出端注入电磁脉冲信号时,可造成输出电路中MOSFET管的栅极和漏极产生短路损伤,导致输出端短路。