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用于1.5um光波导放大器的高浓度Er^3+掺杂玻璃 总被引:3,自引:3,他引:0
制备了用于1.5um光波导放大器的高浓度Er^3 的氟铝酸盐、氟锆酸盐及磷酸盐玻璃。在0.80um和0.98um连续激光二极管激发下分析比较了这三种玻璃1.5um发射的光谱特性、浓度猝灭及其机制。研究表明:由于在098um激发下,激发态吸收较0.80um激发下小得多,因而其1.5um荧光发射量子效率也比0.80um激发下高得多;氟铝酸盐玻璃具有最大的荧光强度和最小的浓度猝灭效应,是理想的1.5um光波导入大器基质玻璃材料。 相似文献
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平顶高斯高束的传输特性 总被引:4,自引:2,他引:2
将平顶高斯光束作为一个整体光束处理,研究了它通过近轴ABCD光学系统的传输特性,对无光阑情况,推导出较为普遍的解析式;而对有光阑限制情况,数值积分是可行的。给出的典型数值计算结果证实了这种方法与有限拉盖尔-高斯函数展开法是等价的。 相似文献
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利用射频磁控溅射方法,在n+-Si衬底上淀积SiO2/Si/SiO2 sub>纳米双势垒单势阱结构,其中Si层厚度为2至4nm,间隔为0.2nm,邻近n+-S i衬底的SiO2层厚度固定为1.5nm,另一SiO2层厚度固定为3nm.为了 对比研究,还制备了Si层厚度为零的结构,即SiO2(4.5nm)/n+-Si 结构.在经过600℃氮气下退火30min,正面蒸上半透明Au膜,背面也蒸Au作欧姆接触后,所 有样品都在反向偏置(n+-Si的电压高于Au电极的电压)下发光,而在正向偏压 下不发光.在一定的反向偏置下,电流和电致发光强度都随Si层厚度的增加而同步振荡,位 相相同.所有样品的电致发光谱都可分解为相对高度不等的中心位于2.26eV(550nm)和1.85eV (670nm)两个高斯型发光峰.分析指出该结构电致发光的机制是:反向偏压下的强电场使Au/( SiO2/Si/SiO2)纳米双势垒/n+-Si结构发生了雪崩击穿 ,产生大量的电子-空穴对,它们在纳米SiO2层中的发光中心(缺陷或杂质)上复 合而发光.
关键词:
电致发光
纳米双势垒
高斯型发光峰
雪崩击穿 相似文献
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亚纳秒前沿、数百伏幅度、近似高斯单周波的重频窄脉冲信号源在超宽带探测、电磁兼容测试等领域有着十分广泛的应用。设计了一种全固态Marx电路结构型重频脉冲信号源,选用云母电容、雪崩三极管、贴片电阻、电感等元器件,根据信号输出要求优化印制电路板(PCB)布局及微带线结构,调整匹配电路元件参数,在50Ω电阻负载上获得了脉冲峰值约1 kV、脉宽约650 ps、前沿约450 ps、后沿约700 ps的单极性负脉冲信号,脉冲波形前后沿相似且光滑陡峭,实现了10 kHz重频输出,波形峰值抖动和半高宽抖动均小于10%。 相似文献
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基于JUNG P S等提出的新型竞争非局域模型数值研究了艾里高斯光束在该模型中的相互作用,采用分步傅里叶算法数值模拟艾里高斯光束在竞争型非局域非线性向列相液晶中的相互作用。结果表明,可以通过调节初始振幅、初始间距、位相差以及非局域程度控制艾里高斯光束间的相互作用。初始振幅增大会使相互作用力增大;分子取向非局域程度的增加导致艾里高斯光束宽度展宽,使反相艾里光束吸引力增强,热非局域程度的改变使初始振幅较大的反相艾里高斯光束由相互排斥作用变为相互吸引作用,使反相艾里高斯光束出现排斥和吸引作用动态平衡;同时还发现增大热非线性系数能使反相艾里高斯光束出现吸引或排斥。 相似文献
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