Zn0.76Cd0.24Se/ZnSe多量子阱的共振喇曼光谱

本文报道了在Zn0.76Cd0.24Se/ZnSe多量子阱(MQWs)中,用不同的Ar+激光线激发,观察到了共振增强的喇曼散射。首次在室温和77K的条件下,用Ar+的457.9nm谱线激发,观察到分别来自ZnSe垒层和Zn0.76Cd0.24Se阱层的限制纵光学声子模(LO)的喇曼散射,并对上述不同的光学模的起因进行了分析。     

Z→3γ和γγ→γγ极化张量的一般形式

在标准模型下,讨论了Z→3γ衰变和γ→γ散射过程的单圈极化张量的一般形式.利用S₃对称性和规范不变性对这种极化张量进行限制,从而得到一组约束方程.本文介绍了这种方法的主要步骤,并且将W玻色子圈的结果与费米子圈的结果作了比较.     

利用正则化方法求解浅海声波散射问题

讨论了浅海中波导的声波散射问题，我们将该问题归结为一个第一类边界积分方程，利用正同化方法求解，并证明了该方法的收敛性，数值例子表明了该方法的简单与有效性。     

用光来操纵活性生物分子

 现在展示在你面前的照片是一个红血球细胞(图1上)以及它被拉伸而变形的情形(图1下)。这是奥斯汀德克萨斯大学的一个研究组进行的研究细胞弹性的实验。他们用激光作工具,利用光进入细胞时产生的对细胞的作用力使细胞拉长,拉伸程度与激光的强度有关。由于细胞被癌病侵害后其弹性会发生改变,用这个办法能够筛选出有病细胞的数量。德克萨斯大学的这个实验也成功地证明了,如果一束激光照到一个完整的生物细胞上,在光进入细胞时对细胞有一个与进入方向相反的作用力,在光射出细胞时对细胞有一个与射出方向相同的作用力。那么这力是怎样产生的呢?其原理实际上并不很深奥。     

从二项式分布推出高斯分布

在实验中,对一个物理量在同一条件下进行测量次数很多时,测量值或随机误差通常遵守高斯分布。为简化引入该分布的手续,本文从二项式分布出发推出高斯分布。一、回顾二项式分布对一个随机事件,在同一条件下进行N次独立的试验,若以试验结果事件A发生的概率为P,A不发生的概率为(1-P),     

热漫散射贡献的高能电子衍射吸收结构因子的Doyle—Turner解析表达

给出了一种数值计算高能电子衍射吸收结构因子的方法，并利用模拟退火结合保温相变以及线性最小二乘拟合等算法，对所计算的吸收结构因子数值进行了含１０个参数的Ｄｏｙｌｅ－Ｔｕｒｎｅｒ解析表述的拟合，作为示例，给出Ｂｅ，Ａｌ，Ａｓ，Ａｇ，Ａｕ等５个元素的拟合结果和精度，并作出Ａｌ的绝对偏差量和相对偏差量曲线。     

Theoretical Design of High-spin Organic Molecules with —^＊N—S— as a Spin-containing Fragment and Heterocycle as End Groups

IntroductionDesigns and syntheses of organic molecules withvery high-spin ground states have been a topic of greatinterest[1—8].One of the rational approaches to desig-ning high-spin molecules,which has been proposedand studied by several groups[9,10],in…     

第一讲中子散射与散裂中子源

中子散射是研究物质微观结构和动态的理想工具之一,广泛地应用于凝聚态物质研究和应用的众多学科领域.散裂中子源能是新一代的加速器基脉冲中子源,能为中子散射提供高通量的脉冲中子.文章简明地介绍了中子散射的特点和它作为物质结构和动态探针的优越性,以及散裂中子源的基本原理、发展状况和多学科的应用优势.我国计划建设的散裂中子源CSNS中,靶站将由多片钨靶、铍/铁反射体和铁/重混凝土生物屏蔽体组成.质子束功率100kW下,脉冲中子通量约为2.4×1016n/cm2/s.第一期将设计建造高通量粉末衍射仪、高分辨粉末衍射仪、小角散射仪、多功能反射仪和直接几何非弹性散射仪等五台典型的中子散射谱仪,以覆盖大部分的中子散射研究领域.     

折叠萝卜螺生物学初步研究

对采自南昌近郊池塘折叠萝卜螺一种群的生物学进行了初步研究，并就其贝壳的形态和其它种群作了比较，测量了210个折叠萝卜螺的壳高（H），壳宽（W）和体重（T），三者之间的关系可分别表示为：T＝0．0009H^2.632,T=0.0047W^1.8915,W=0.6899H-0.3437,在野外，折叠萝上课累在南昌地区从2－6月都能产卵，其中3－4月达高峰期，在室内3，5，6月为产卵高峰，4月几乎不产卵，折叠萝卜卵的孵化率很高，平均孵化率为95．66％，最高达100％，最低也有89．5％，幼螺的死亡率高达50％以上。     

Total Dose Radiation Tolerance of Phase Change Memory Cell with GeSbTe Alloy

Phase change memory （PCM） cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state （higher resistance state） to the crystalline state （lower resistance state）. The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low （only several μA）. An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad（Si）, which makes it attractive for space-based applications.