High-Density Stacked Ru Nanocrystals for Nonvolatile Memory Application

Stacked ruthenium （Ru） nanocrystals （NCs） are formed by rapid thermal annealing for the whole gate stacks and embedded in memory structure, which is compatible with conventional CMOS technology. Ru NCs with high density （3 × 10^12 cm-2）, small size （2 4nm） and good uniformity both in aerial distribution and morphology are formed. Attributed to the higher surface trap density, a memory window of 5.2 V is obtained with stacked Ru NCs in comparison to that of 3.5 V with single-layer samples. The stacked Ru NCs device also exhibits much better retention performance because of Coulomb blockade and vertical uniformity between stacked Ru NCs.     

CaS∶Eu,Sm光存储材料的光谱特性

CaS∶Eu, Sm是一种典型的电子俘获型光存储材料,文章采用湿法在还原气氛中制备了CaS∶Eu, Sm粉末样品。测量了这种光存储材料的XRD、激发光谱、发射光谱、光激励发光光谱、热释光谱以及光激励发光衰减曲线。XRD结果表明样品在1 050 ℃晶格已经形成。光谱测试结果说明紫外光可激发该材料,作为信息写入光源。样品被紫外光源饱和激发后,用980 nm红外激光激励,发射出峰值位于635 nm的红光。光激励发光起初衰减较快,随后有一个较长的平缓期。且样品具有合适深度的陷阱能级,能够稳定存储信息。对CaS∶Eu, Sm的光存储机理进行了探讨。     

作为两个独立过程的双电子复合理论

在非稳态、高温高密度的等离子体环境下，双电子复合应作为完全独立的共振俘获和辐射衰变两个过程来处理．建议一种半经验公式计算共振俘获速率系数的方法，并对该公式进行了初步评估．给出了将该公式应用于平均原子模型求解速率方程的方法． 关键词：     

高密度数字光存储技术

 随着信息科学的迅速发展,对存储介质的存储密度和存储容量的要求在不断提高,然而传统的信息存储方法已几乎接近物理极限,于是寻找新的存储介质和存储方法就成为近年来信息科学的研究热点。光存储技术是继磁存储技术之后的又一新兴技术,它利用光改变物质物理或者化学性质存储信息,近年来不仅取得了重大的技术突破,而且形成了一个庞大的产业。现在以光盘为代表的光学数字数据存储技术已成为信息存储中不可缺少的载体。与以往的磁存储相比,光盘存储的优点是存储容量大、密度高、寿命长、信息的信噪比高,可以非接触式读写和擦除等。     

Read—out of a read—only super—resolution optical disc with a Si mask

A novel read-only super-resolution optical disc structure (substrate/mask layer/dielectric layer) is proposed in this paper. By using a Si thin film as the mask layer, the recording pits with a diameter 380nm and a depth 50nm are read out on the dynamic measuring equipment; the laser wavelength α is 632.8nm and the numerical aperture is 0.40. In the course of reproduction, the laser power is 5mW and the rotation velocity of the disc is 4m·s^-1. The optimum thickness of the Si thin film is 18nm and the signal-to-noise ratio is 32dB.     

多阶光存储的调制原理分析与编码设计研究

根据编码理论的状态切分算法，提出一种新型的8阶(1,3)游程长度受限码，在最小记录符上能够存储3.0比特的用户数据，并且编码与译码逻辑简明，可用于未来高密度多阶游程长度调制光盘系统.     

GeSbTe与AglnSbTe体系相变光盘的研究进展

自Ovshinsky把相变材料用于光存储以来，一大批具有可逆光存储性能的材料不断出现，其中研究较多的是GeSbTe和AgInSbTe两种体系．文章着重介绍了利用这两种材料制成的相变光盘记录介质的微观结构特点，阐述了其晶化机理；同时，较详细地概述了光盘的堆栈结构及掺杂其他元素对相变光盘性能的影响，并对比说明了GeSbTe和AgInSbTe两种体系在蓝光记录方面的各自特点．     

一种菁染料－聚合物薄膜的光存存储性能

用旋涂法制备了一种菁染料－聚合物薄膜，并研究了该染料－聚合物薄膜的光谱性质和光存储性能。该染料薄膜在６６０～８３０ｎｍ波段有较强的吸收和２０％以上的反射率。在最佳实验条件下，获得了５８ｄＢ的信噪比。信噪比（ＣＮＲ）、载波信号强度（Ｃ）和薄膜反射率变化（ΔＲ）的对数（ｌｇΔＲ）成正比     

推拉型偶氮化合物的存储特性研究

合成了一种新的推拉型偶氮化合物并将其掺入聚甲基丙烯酸甲酯中制成光学薄膜器件，用其实现了非共振共的可见光长波段光存储，获得了良好的实时和长时存储的图象信息。存储功率密度小于０．１Ｗ／ｃｍ＾２。文中还分析了这种在非共振吸收区的光存储机理。     

ZnSe单晶质量对其高密度激发发光的影响

用经多次提纯ZnSe原料生长的ZnSe单晶在77K和高密度光激发下观测到了激子-激子(Ex-Ex)散射的P带,随激发密度增加,P带强度增加较快。而在通常的原生ZnSe单晶中只能观测到一个与激子-载流子(Ex-e)散射的Es''带,观测不到P带。经熔融锌中热处理的ZnSe单晶,在上述激发条件下,也观测到了P带。而且此带强度随热处理时间增加而增强。实验表明,P带的产生不仅与激发密度和温度有关,而且还与单晶质量有关。