Simulating high Reynolds number flow in two-dimensional lid-driven cavity by multi-relaxation-time lattice Boltzmann method

By coupling the non-equilibrium extrapolation scheme for boundary condition with the multi-relaxation-time lattice Boltzmann method, this paper finds that the stability of the multi-relaxation-time model can be improved greatly, especially on simulating high Reynolds number (Re) flow. As a discovery, the super-stability analysed by Lallemand and Luo is verified and the complex structure of the cavity flow is also exhibited in our numerical simulation when Re is high enough. To the best knowledge of the authors, the maximum of Re which has been investigated by direct numerical simulation is only around 50,000 in the literature; however, this paper can readily extend the maximum to 1000,000 with the above combination.     

可集成量子计算中的非近邻相互作用

我们研究一维自旋1／2链中的非近邻相互作用的影响。和近邻相互作用相比，非近邻的相互作用强度一般会较弱，因而在以前的许多方案中，这种长程的相互作用被忽略了。本文首先估计由被忽略的非近邻相互作用所引起的量子逻辑门的误差。我们得到的结果是，这项误差不仅和非近邻相互作用的强度有关，更依赖于一维自旋链所包含的粒子数，忽略非近邻相互作用有可能会对可集成量子计算造成影响。我们进一步研究如何消除或者压缩这种长程的相互作用所造成的影响。我们提出了一个量子计算方案。在这种方案中，次近邻的相互作用的影响被完全消除，从而我们可以使量子逻辑门的精度得以提高。我们也讨论了这种方案在超导量子计算体系里面的物理实现问题。     

自旋spin=1的海森堡链中的纠缠

本文讨论了在高维系统中粒子之间的纠缠问题。我们讨论了自旋为1的各向异性海森堡模型中的两种不同系统：低温情况下的两粒子反铁磁系统和多粒子反铁磁系统。运用Negativity的方法，在两粒子系统中通过求解哈密顿量H的本征值、本征态和密度算符，并对其进行理论分析和数值计算，我们给出了在两粒子情况中纠缠随B、△的变化关系。我们发现粒子间的纠缠是呈一明显的梯状分布。我们还进一步研究了在多粒子体系中纠缠随外界因素如磁场、各向异性常数的变化关系。以六粒子系统为例，我们分别对近邻和次近邻粒子间的纠缠作了讨论，通过数值计算给出了不同情况下纠缠的变化趋势。     

双奇核188Au的准粒子带结构研究

利用在束γ谱学实验技术, 通过¹⁷³Yb(¹⁹F,4nγ)反应 布居了¹⁸⁸Au的高自旋态, 并对其准粒子带结构进行了研究. 基于实验测量结果, 对原有的双奇核¹⁸⁸Au能级纲图做了较大的修改. 通过系统性比较, 对15⁺以上的能级结构进行了讨论.     

146Ce核的八级形变带和准γ带

通过测量²⁵²Cf自发裂变所产生的瞬发γ射线, 对¹⁴⁶Ce核的高自旋结构进行了重新研究, 结果更新了以前报道的能级纲图, 把八级形变集体带扩展到更高的自旋, 并且重新构建了可能的准γ带结构. 此外, 用反射不对称壳模型(RASM)对¹⁴⁶Ce核的八级形变带进行了计算, 低自旋处的计算结果与实验数据符合得很好.     

弱形变双奇核158Tm中的旋称反转

通过融合蒸发反应¹⁴⁴Nd(¹⁹F,5n)布居了双奇核¹⁵⁸Tm的高自旋态. 扩展了原来已知的带结构, 并建立了一条新转动带. 通过与相邻核的比较, 讨论¹⁵⁸Tm核中两条四准粒子带的内禀组态, 并分别指定为πh_11/2\otimes νh_9/2(α=+1/2)\otimes (νi_13/2)²和πh_11/2\otimes νh_9/2(α=－1/2)\otimes (νi_13/2)² 组态. 建立在πh_11/2\otimes νi_13/2组态上的转动带被观测到呈现持续旋称反转现象, 而前述的两条高自旋区的 四准粒子转动带也呈旋称反转. 对这两种类型的旋称反转现象的可能机制进行了简单而定性的讨论.     

Ce-MCM-48立方介孔分子筛结构的光谱表征

在碱性条件下,以混合模板剂pH调节水热合成了掺入铈的介孔分子筛Ce-MCM-48,并采用XRD,DRUV-Vis(紫外-可见漫反射),FTIR,XRF结合BET等测试手段对样品进行表征。实验结果表明,采用本方法所合成的掺铈介孔材料仍保持立方介孔的有序结构,同时适量的铈的掺入和pH调节使分子筛的有序性及吸附性能得到改善,晶胞参数增大,孔径更均一,孔壁增厚。从而可推出Ce-MCM-48的热稳定性、水热稳定性、催化活性及择形选择性可得到提高。掺入的铈以四配位状态高度分散在介孔的有序结构当中。红外光谱表明不同量的铈的掺入对骨架硅的各种振动扰动程度不同。     

A Q-Swicthed All-Solid-State Single-Longitudinal-Mode Laser with Adjustable Pulse-Width and High Repetition Rate

A single-longitudinal-mode （SLM） laser-diode pumped Nd： YAG laser with adjustable pulse width is developed by using the techniques of pre-lasing and changing polarization of birefingent crystal The Q-switching voltage is triggered by the peak of the pre-lasing pulse to achieve the higher stability of output pulse energy. The output energy of more than I mJ is obtained with output energy stability of 3% （rms） at lOO Hz. The pulsewidth can be adjusted from 30ns to 300ns by changing the Q-switching voltage. The probability of putting out single-longitudinal-mode pulses is almost 100%. The laser can be run over four hours continually without mode hopping.     

折衍混合复消色差望远物镜设计的PWC方法

将衍射结构视为折射率无限大的薄透镜,研究了衍射透镜高折射率表示的折衍混合复消色差望远物镜设计的PWC方法;设计了焦距为2000mm、相对孔径为1/15的双片型折衍混合复消色差望远物镜,并与常规三片型纯折射复消色差望远物镜进行了比较,结果表明双片型折衍混合复消色差望远物镜具有更好的二级光谱校正能力,色球差更小,因此具有更好的成像质量.     

Electrical Properties of La-Doped Al2O3 Films on Si （100） Substrates as a High-Dielectric-Constant Gate Material

Amorphous La-doped Al2O3 （La： Al2O3） thin films are deposited on n-type （100） Si substrates by rf magnetron co-sputterlng. The composition of the deposited films is measured by energy dispersive x-ray spectroscopy： Capacitance-voltage measurement shows that the dielectric constant k of La-doped Al2O3 films ranges from 8.5 to 11.6 with the increasing La content, and the highest k value of 11.6 is obtained for the 20.14% La content film. In the structure of the Al/La：Al2O3/Si metal oxide semiconductor, the dominant conduction stems from the space- charge-limited current at different temperatures. In addition, the wavelength dependence of the transmittance is studied by ultraviolet spectroscopy and the band gap of all the deposited films is above 5.5eV. The results demonstrate that La-doped Al2O3 can meet the requirement of next-generation gate materials.