Radon变换和衰减Radon变换的分析研究

衰减Radon变换出现在单光子放射型计算机层析成像中。本文首先回顾和研究了Radon变换和衰减Radon变换及其反演的有关结论，进而提出了Tretiak-Metz结果的一种新证明方法，对于一般对象，本文用变换方法非滤子背投影法导出了衰减Radon变换的反演公式。     

一些高Tc超导体的弹性性质

 本文用超声相比较方法测定了高T_c超导体La_1.85Sr_0.15CuO₄，La₂CuO₄和YBa₂Cu₃O₇的纵波和横波声速，进而导出了它们的纵向模量、切变模量、杨氏模量、泊松比、德拜温度及定体比热。在La_1.85Sr_0.15CuO₄样品上，还进行了压力实验，发现所有弹性模量都是随压强增加而增加。定体比热c_V和泊松比σ在高压下则略有下降。德拜温度是随压强增加而增加的。     

晶格反演的嵌入原子法模型及其应用

讨论一种基于晶格反演的嵌入原子法模型 ,其特点是未知函数的参数化是对原子间对势和单原子电荷密度函数的晶格和 ,而不是对原子间对势和单个原子的电荷密度函数进行的 ,其最大优点在于待定参数可以用物理输入解析地表达出来 ,而不是像大多数埋入原子法模型中那样通过拟合来确定 .给出了它在计算点缺陷 (自间隙杂质和空位原子 )和晶体表面形成能方面的应用 .     

荧光光纤温度传感器激励光源的选择

本文分析计算了荧光光纤温度传感器的温敏元件——GsAlAs/GaAs双异质结半导体材料的荧光辐射效率与激励光波长的关系。讨论了温度测量范围及温敏元件GaAlAs层铝含量对激励光源的限制,在0～200℃测温范围内,若采用LED作激励光源,其峰值波长应在0.70～0.76μm之间选择。     

具有HfN/HfO2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究

研究了HfN/HfO₂高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中，负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO₂高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm，内含原生缺陷密度较低.研究表明，由于所制备的HfN/HfO₂ 高K栅结构具有低的原生缺陷密度，因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征，而非工艺缺陷引起的；进一步研究表明，该HfN/HfO₂高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO₂基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征，可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征： HfN/HfO₂ 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理，即在负 偏置和温度应力作用下，从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生，并由此产生了Si^＋陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ，这种Si^＋陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词： 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型     

含余割核奇异积分修改的反演问题

针对含余害核奇异积分反演问题在指κ＜0时一般无解的情况，本文提出并求解两种修改的反演问题，而后一种修改反演问题的提法与此前类似问题颇不相同，由于运用了推广的留数定理和Bertrand型换序公式使本问题及类似问题解法得以简化。     

电阻温度系数的微机测定系统

本文介绍一种电阻温度系数微机测定实验的系统。     

共轭波及其在光学全息中的应用

本文介绍共轭波的概念、获得方法及其在光学全息中的应用，指出正确地理解和掌握共轭波的概念对于制作一张优质的全息图是非常重要的。     

紫膜（BR）水溶液共振Raman光谱的温度相关性

本文报道了ＢＲ水溶性Ｒａｍａｎ光谱的温度相关性及吸收光谱变化。讨论了导致光谱变化的热诱导引起的结构变化。     

退火温度对钙钛矿型氧化物La0.68Pb0.32FeO3的结构及其乙醇气敏性能的影响

采用sol—gel法，分别在不同温度下退火2h，制得一系列纳米氧化物La0.68Pb0．32FeO3粉体，并测定了该材料对乙醇的气敏性能。随退火温度的升高，所得样品逐渐向单一钙钛矿结构转化。应用Scherrer公式对退火温度分别为200，400，600，800，1000℃的样品粒径进行了计算，样品粒径依次为11．5，13．6，16．4，20．0，25．3nm。这说明，随着退火温度的升高，样品粒径逐渐增大。对乙醇气敏性能的测定结果表明，随退火温度的升高，材料对乙醇的最佳灵敏度先升高、又降低，退火温度为800℃的样品最佳灵敏度达到51．7。