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921.
运用全量子理论研究了依赖强度耦合的级联三能级原子系统中双模压缩真空初态场的压缩及量子统计性质,并讨论了初始光场的压缩参量以及原子—光场单光子失谐量对光场非经典性质的影响. 相似文献
922.
非制冷红外焦平面阵列(UFPA)不可避免地存在无效像元, 这对UFPA的成像效果造成了极坏的影响。为解决这一问题, 在分析并总结各种非制冷红外焦平面无效像元识别算法优缺点的基础上, 提出一种新的无效像元识别与实时补偿方法。根据像元响应特性, 采用循环迭代法以搜索最优的无效像元判别阈值, 并据此标识出无效像元的位置。在硬件实现阶段, 对于M×N的UFPA器件, 在任意采样时刻, 利用移位寄存器保存当前采样点之前的M个响应值, 使其输出可实时更新为与采样点同列的上一个数据; 同时, 利用一般的寄存器实时保存与采样点同行的前一个数据, 采用同帧行列间内插法实现无效像元的实时补偿。该算法有效地解决了无效像元识别阈值选取困难及不易实时补偿的问题。针对320×240的UFPA器件, 该算法在基于FPGA的红外图像处理系统上得以实时实现, 成功地消除了无效像元对UFPA成像效果的影响。 相似文献
923.
非均匀采样干涉数据光谱反演技术研究 总被引:2,自引:0,他引:2
干涉光谱成像仪获取的干涉数据是一种中间数据,需要进行光谱反演才能够得到目标光谱数据,傅里叶变换方法是常规的光谱反演方法。由于干涉数据中存在非均匀采样问题,若忽略光谱混叠,直接采用快速傅里叶变换会导致反演光谱的失真,难以满足实时处理需求。针对非均匀采样干涉数据的光谱反演需求,将插值及非均匀快速傅里叶变换(NUFFT)方法应用到光谱反演处理中,对过采样及部分欠采样情况下的非均匀采样干涉数据,提出了相应的光谱反演方法,并分析了方法的适用性。最后对过采样及部分欠采样情况下的光谱反演方法进行计算机仿真,过采样情况下采用NUFFT方法反演光谱的精度要明显高于插值方法,而部分欠采样情况下插值方法反演光谱的精度要明显高于NUFFT方法,并对欠采样造成的光谱混叠有一定的修正,验证了方法的有效性。 相似文献
924.
采用简单物理气相沉积法制备出取向和非取向的氧化锌纳米棒,他们的场致电子发射性能测量结果表明,ZnO纳米棒具有较好的场发射性能,但是高度取向的ZnO纳米棒阵列并不利于获得高的场致电子发射电流密度.这可能是由于高密度ZnO纳米棒之间具有较高的屏蔽效应,降低了ZnO纳米棒阵列的场放大因子,从而影响了其场发射性能.相反,非取向ZnO纳米棒由于相互之间的屏蔽效应比较弱,而且表面存在容易成为发射中心的微小突起,表现出较好的场发射效果.这些结果不仅有助于加深我们对准一维纳米材料场致电子发射性能的理解,也为未来场发射电子器件的实际应用提供了可靠的依据.
关键词:
氧化锌
场发射
非取向 相似文献
925.
926.
研究自适应Runge-Kutta间断Galerkin (RKDG)方法求解双曲守恒律方程组,并提出两种生成相容三角形网格的自适应算法.第一种算法适用于规则网格,实现简单、计算速度快.第二种算法基于非结构网格,设计一类基于间断界面的自适应网格加密策略,方法灵活高效.两种方法都具有令人满意的计算效果,而且降低了RKDG的计算量. 相似文献
927.
制备了表面带阴/阳离子的多孔二氧化硅纳米颗粒, 通过QCM-D研究了颗粒在不同pH值环境下与磷脂膜的非特异性吸附情况. 结果表明, NH2-MSN 在4–8的pH值范围内与磷脂膜相互吸引, 而COOH-MSN由于与磷脂膜的电性始终保持一致而无法发生吸附现象. 本研究能够帮助理解和预测纳米颗粒与细胞膜间的相互作用, 为药物输运提供载体, 有助于多孔二氧化硅纳米颗粒在药物输运体系中的应用.
关键词:
多孔二氧化硅纳米颗粒
磷脂膜
非特异性吸附
QCM-D 相似文献
928.
Homogeneous interface-type resistance switching in Au/La0.67Ca0.33MnO3/SrTiO3/F:SnO2 heterojunction memories
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La0.67Ca0.33MnO3 thin films are fabricated on fluorine-doped tin oxide conducting glass substrates by a pulsed laser deposition technique with SrTiO3 used as a buffer layer. The current-voltage characteristics of the heterojunetions exhibit an asymmetric and resistance switching behaviour. A homogeneous interface-type conduction mechanism is also reported using impedance spectroscopy. The spatial homogeneity of the charge carrier distribution leads to field- induced potential-barrier change at the Au-La0.67Ca0.33MnO3 interface and a concomitant resistance switching effect. The ratio of the high resistance state to the low resistance state is found to be as high as 1.3 x 10^4% by simulating the AC electric field. This colossal resistance switching effect will greatly improve the signal-to-noise ratio in nonvolatile memory applications. 相似文献
929.
930.