浅谈分子对称性中独立的对称元素

通过图示和矩阵两方面来阐述独立的对称元素和非独立的对称元素之间的区别与联系,利用比较法帮助读者正确理解独立对称元素的内涵。     

利用非接触式电磁感应线圈探头测液体电导率

采用交流电源激励,自制传感器探头,利用标准电阻定标,得到电导率与输出电压的关系,通过定标曲线,得到不同浓度NaCl溶液的电导率.通过测量探头的频率特性,得到输出电压随频率变化的曲线,选出最佳测量频率.     

Multisim在电工电子技术教学中的应用

1 引言 电工电子技术课程是高校工科非电专业本科生的主要技术基础课.本课程理论性实践性较强,教学内容几乎涉及到电工与电子学科的各个领域,涵盖了电路、电器、电机、模拟电子、数字电子等多门电学课程内容.该课程不但要求学生掌握电路的基本原理,更重要的是培养学生对电路的分析,设计及应用能力.     

非接触法自动测量薄膜厚度

根据白光等厚干涉原理,基于单片机改造的迈氏干涉仪用于自动测量透明薄膜厚度,采用非接触性测量法。当迈克尔逊干涉仪静镜形成的虚像与动镜相交所成的夹角很小时,在光屏上看到彩色干涉条纹,插入薄膜后,光程差改变,彩纹消失。步进电机带动微调手轮转动,当彩纹再次出现,即可得出透明薄膜厚度。     

连续变量量子纠缠增强实验的改进

通过在泵浦光和注入光路中加入高精细度模清洁器及提高实验系统锁定的精度,我们对连续变量量子增强的实验系统加以了改进,初始的EPR纠缠光场的正交振幅及正交位相分量的关联度分别从(2.4±0.2)dB,(2.4±0.2)dB提高至(4.0±0.2)dB,(3.9±0.2)dB,而输出纠缠态光场的关联度分别由原来的(3.0±0.2)dB,(3.0±0.2)dB提高至(5.6±0.2dB),(5.5±0.2)dB。与此前的实验系统相比,纠缠增强的效率及结果均有一定提高。     

大功率垂直腔面发射激光器的相干性测量与分析

通过有机化学气象沉积(MOCVD)技术在n型GaAs衬底上生长制作了发射波长为850nm的VCSELs4×4列阵器件,介绍了VCSELs的制作工艺流程.对器件进行了相干性测量,计算了干涉条纹可见度,分析了影响干涉条纹可见度的因素.     

非匹配负载对宽带脉冲产生器谐振特性的影响

 宽带脉冲产生器的谐振特性决定了产生电磁脉冲的频谱,分析了带耦合器的同轴1/4波长谐振器在负载为非完全匹配天线时,天线反射对谐振特性的影响。通过建立级联二端口微波网络分析模型,将非匹配负载的反射系数计入等效耦合器反射系数中,得到了输出脉冲及辐射场频谱与负载反射系数的关系式。数值模拟了包括谐振器、耦合器和天线在内的整个宽带脉冲辐射系统,得到的辐射场频谱与理论预期相符。由于负载反射的影响,在中心频率两侧产生了两个副峰,在高功率实验中也观察到了该现象。     

计算机控制光学表面成形中大规模驻留时间求解

采用基于稀疏矩阵的大规模非负最小二乘法,对大口径、微浮雕结构光学元件加工中的驻留时间进行了分析与求解,并对该算法开展了正则化研究。仿真结果表明:与传统非负最小二乘法相比,基于稀疏矩阵的大规模非负最小二乘法精度高、效率快。采用该算法仿真加工平均振幅为1.177 6倍波长的大口径、微浮雕结构光学元件,误差面形均方根收敛至0.067倍波长。     

40Gbps NRZ在基于宽带CFBG色散补偿的G.652光纤中无电中继传输500km

在基于宽带CFBG色散补偿的G.652光纤中,40Gbps NRZ码无电中继传输500km,在误码率BER=10(-10)下的功率代价约为2.2dB,积累1h的误码率为7.3×10(-12).传输系统中采用的CFBG的3dB带宽约为1.2nm,中心波长处时延纹波小于25ps,反射谱纹波小于2dB,差分群时延小于1ps....     

Improved charge trapping flash device with Al2O3/HfSiO stack as blocking layer

In this paper, we investigate an Al₂O₃/HfSiO stack as the blocking layer of a metal-oxide-nitride-oxide-silicon-type (MONOS) memory capacitor. Compared with a memory capacitor with a single HfSiO layer as the blocking layer or an Al₂O₃/HfO₂ stack as the blocking layer, the sample with the Al₂O₃/HfSiO stack as the blocking layer shows high program/erase (P/E) speed and good data retention characteristics. These improved performances can be explained by energy band engineering. The experimental results demonstrate that the memory device with an Al₂O₃/HfSiO stack as the blocking layer has great potential for further high-performance nonvolatile memory applications.