大冷变形对化学镀Ni-Sn-P非晶态合金晶化的影响

本文研究了大冷变形对化学镀Ni-Sn-P非晶合金晶化的影响,结果表明,冷变形促进了晶化,不仅降低了Ni-Sn-P非晶合金的热稳定性,而且在冷变形过程中就有晶化产生.     

酸性镀铑工艺在电子工业中的应用

采用硫酸镀铑工艺,获得耐磨性、导电性良好的铑镀层     

无规场非晶化表面的临界行为

应用平均场重整化群方法,讨论表面无规场和非晶化存在对S=1和σ=1/2混合自旋伊辛系统表面磁性临界行为的影响,得到在各种情况下系统的表面相图.计算结果表明,非晶化在一定范围内与无规场竞争仍可出现三临界点和重入现象. 关键词：     

非晶、纳米晶材料的历史与现状

 一、非晶金属的发现人类使用了八千多年的金属(从青铜开始)且一直都是多晶态金属,1934年,克拉默在真空中把金属蒸发到冷基底(玻璃)上,经X射线测定,发现这种金属膜中原子的周期性消失了,这是人们第一次发现非晶金属.此后不久,布伦纳(1937)用电解沉积法得到了Ni-P非晶合金.     

非晶PET纤维的分子链段取向分布的研究

用对称透射法,收集在室温下不同拉伸比的非晶聚酯（ＰＥＴ）纤维之二有Ｘ射线散射（ＷＡＸＳ）强度函数Ｉ（κ,α）,采用自编ＭＰＳ９６型全谱分峰程序,将不同方位角α测得的ＷＡＸＳ强度曲线上的４个非晶重叠峰进行分解,获得分子链间原子 射引起的２个峰为：ＫＡ＝０．１４１ｎｍ＾－１,ＫＢ＝０．１７２ｎｍ＾－１;分子链内原子 射引起的２个峰为;ＫＣ＝０．３１１ｎｍ＾－１,ＫＤ＝０．５５５ｎｍ＾－１,详细分析了     

V2O5电致变色薄膜的Raman光谱

近年来,通过向过渡金属氧化物薄膜注入Ｌｉ 制作可调节光透过率的电变色器件已越来越引起广泛的重视[1、2].由于Ｖ2Ｏ5薄膜的稳定性差,限制了它在实际中的应用.因此,为了获得变色效率高、稳定性和可逆性能好的Ｖ2Ｏ5薄膜,使用了多种制备方法,如磁控溅射法[3、6]、电化学沉积法[7、8]、溶胶凝胶法[9、10]、旋涂法[11、12]、真空蒸镀法[13、14]等.但是,无论那种方法都要解决Ｖ2Ｏ5本身在Ｈ2Ｏ或醇等的电解质溶液中电致变色时的溶解问题,通常采用控制薄膜的沉积温度或者退火处理来提高薄膜的电致变色性能[3、4、11].为了探明薄膜结构与电致变色…     

Fe,Ce原子在A1—Fe—Ce非晶合金中的分布

采用Ｘ射线衍射技术研究了Ａ１－Ｆｅ－Ｃｅ合金的非晶结构,发现非晶态合金Ｘ射线强度曲线上都丰在明显的预峰,合金随铁含量增加,预峰和主峰向大角度偏移;合金随铈含量增加,预峰和主峰向小解度偏移。２５０℃时,非晶合金出现铝相晶化,而预峰的形状和位置并未发生改革;４００℃时央预峰消失的位置形成多种化合物相。Ｆｅ原子大部分存在于预峰所对应的Ａ１－Ｆｅ－Ｃｅ原子团簇中,崦Ｃｅ原子大部分无规分布于Ａ１非晶基体中。     

Fe、Ce原子在Al-Fe-Ce非晶合金中的分布

采用X射线衍射技术研究了Al-Fe-Ce合金的非晶结构,发现非晶态合金X射线衍射强度曲线上都存在明显的预峰,合金随铁含量增加,预峰和主峰向大角度偏移;合金随铈含量增加,预峰和主峰向小角度偏移。250℃时,非晶合金出现铝相晶化,而预峰的形状和位置并未发生改变;400℃时,在预峰消失的位置形成多种化合物相。Fe原子大部分存在于预峰所对应的Al-Fe-Ce原子团簇中,而Ce原子大部分无规分布于Al非晶基体中。     

沉积温度对含氢非晶碳膜电学性质的影响

用苯作为源气体,使用微波电子回旋共振(ECR)等离子体气相沉积法在不同温度下制备了含 氢非晶碳薄膜,研究了沉积温度对薄膜的直流电阻率、击穿场强的影响,发现它们与沉积速 率密切相关.测量了薄膜的含氢量与Raman谱,利用Angus等人提出的随机共价网络模型对结果 作了分析. 关键词： 非晶碳薄膜 ECR等离子体化学气相沉积 直流电阻     

分层蒸镀制备聚酰亚胺自支撑膜及其特性研究

 采用分层蒸镀法,在玻璃基片上依次蒸镀二氨基二苯醚（ODA）和均苯四甲酸二酐（PMDA）两种单体,然后在空气环境中对样品进行不同温度和时间的热亚胺化处理,使二者在交界面上反应生成聚酰亚胺。经加热150 ℃ 1 h然后经350 ℃ 2 h处理的样品,在脱膜后能制备出直径1.8 cm,厚度为100 nm的聚酰亚胺自支撑薄膜。用FTIR测量了自支撑薄膜的红外光谱,特征吸收峰的分析表明薄膜已基本上完全亚胺化。用原子力显微镜分析了浮法玻璃衬底上聚酰亚胺薄膜的表面形貌,结果表明以ODA作为内层制备的膜层表面更光滑平整。