全文获取类型
收费全文 | 380篇 |
免费 | 308篇 |
国内免费 | 169篇 |
专业分类
化学 | 225篇 |
晶体学 | 35篇 |
力学 | 66篇 |
综合类 | 14篇 |
数学 | 14篇 |
物理学 | 503篇 |
出版年
2024年 | 5篇 |
2023年 | 16篇 |
2022年 | 21篇 |
2021年 | 4篇 |
2020年 | 15篇 |
2019年 | 14篇 |
2018年 | 8篇 |
2017年 | 25篇 |
2016年 | 15篇 |
2015年 | 17篇 |
2014年 | 23篇 |
2013年 | 27篇 |
2012年 | 38篇 |
2011年 | 40篇 |
2010年 | 22篇 |
2009年 | 28篇 |
2008年 | 31篇 |
2007年 | 42篇 |
2006年 | 39篇 |
2005年 | 37篇 |
2004年 | 28篇 |
2003年 | 36篇 |
2002年 | 34篇 |
2001年 | 33篇 |
2000年 | 36篇 |
1999年 | 26篇 |
1998年 | 29篇 |
1997年 | 25篇 |
1996年 | 16篇 |
1995年 | 24篇 |
1994年 | 22篇 |
1993年 | 21篇 |
1992年 | 7篇 |
1991年 | 18篇 |
1990年 | 14篇 |
1989年 | 12篇 |
1988年 | 6篇 |
1987年 | 3篇 |
排序方式: 共有857条查询结果,搜索用时 15 毫秒
201.
为了连接W和CLF-1 RAFM钢,设计出由低活化元素组成的Fe-B-Si、Fe-B-Si-Sn、Fe-B-Si-Cr-(Sn)、Fe-B-Si-P-(Cr,Sn)、Fe-B-Si-Mn-(Ga,Sn)和Fe-B-Si-(Cr,Mn,Ga,Ta,Sn)系列Fe基非晶钎料,结合熔体快淬技术制备出非晶合金箔带,并对W/CLF-1 RAFM钢接头微结构进行了对比研究。采用X-射线衍射仪对箔带样品与焊缝进行了相鉴定;通过差热分析测量了非晶箔带的熔化温度和液相线温度;利用光学金相和电子探针分析了焊缝组织形貌和元素分布。结果表明,利用Fe-B-Si、Fe-B-Si-Cr和Fe-B-Si-Mn-Sn非晶钎料可获得结构完整的W/CLF-1钢接头;前两种钎料得到的焊缝组织基体相为α-Fe固溶体,而含Mn钎料形成的焊缝基体为马氏体组织;在高温钎焊过程中,这些Fe基非晶钎料中的高B含量促使FeWB、FeW2B2和Fe3B型金属间化合物在焊缝中形成,并有效地阻止了W元素向低活化钢基体长程扩散。所设计的低活化Fe基非晶钎料可用于W和低活化钢的连接和接头性能研究。 相似文献
202.
铁基非晶合金因其低矫顽力、高磁导率和低铁耗等被广泛应用于变压器、电抗器等电力电子领域,然而,较低的饱和磁感值限制了其进一步应用.铁含量增大可有效提高合金的饱和磁感,但相应非磁性元素含量的降低又将引起合金非晶形成能力的下降,导致后续纳米晶带材的软磁性能及弯折韧性的恶化.针对上述问题,文章基于金属-类金属间的杂化作用,通过原子百分比为7%的B替代P,利用单辊甩带法制备了厚度约为25μm的FePBCCu非晶薄带,并研究了B添加对薄带非晶形成能力、磁性能和力学性能的影响.热动力学行为揭示出小原子B添加能够降低合金结构的异质性,有效提高非晶基体的热稳定性;熔化与凝固曲线表明B元素能够促使合金系接近共晶成分且具有较大的过冷度.因此合金的非晶形成能力显著提高,其临界厚度从基体的约21μm提高到约30μm. B添加促使合金系磁性原子有效磁矩的增大,导致非晶薄带的饱和磁感值增大.纳米压痕实验结果表明, B添加合金的约化模量值较大且在一个较小范围内波动,这与合金的结构均匀性密切相关. 相似文献
203.
本文利用离子束表面改性技术对基底表面进行不同时间的轰击, 形成不同规则的纳米织构, 对不同织构的变化规律进行了研究, 同时, 利用磁过滤真空阴极电弧技术, 在具有不同纳米织构的各基底上沉积相同时间的四面体非晶碳薄膜. 采用原子力显微镜对各基底的织构进行形貌分析, 结果表明, 高能粒子束的轰击对基底表面形貌有较大的影响, 根据离子束轰击时间的不同, 可以在基底表面形成各种不同规则的纳米织构, 轰击15 min后发现基底表面形成点阵纳米织构, 之后随着时间的增加, 基本维持点阵结构. 通过X射线光电子能谱仪和摩擦磨损试验仪对沉积在具有不同织构的基底上的ta-C薄膜进行测试, 研究表明, 基底表面纳米织构的非晶层结构引起薄膜内部sp3键的含量降低, 释放了薄膜的内应力, 同时发现基底表面纳米织构将ta-C薄膜磨损时间从不足10 min提高到约70 min, 有效提高了薄膜的耐磨性. 相似文献
204.
非晶SiO_2薄膜中氧双键缺陷电子及光学特性的第一性原理研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用第一性原理对离子溅射沉积的非晶SiO2薄膜微观结构进行了分析、研究,结果表明,氧双键缺陷(SGs)可以作为体缺陷稳定存在于非晶SiO2中,SGs缺陷导致非晶SiO2薄膜材料禁带中引入了新的电子态,减小了禁带宽度;同时采用时相关密度泛函理论(TDDFT)对其光学特性进行了研究,得到非晶SiO2薄膜介电常数与入射光子能量间的关系曲线,从介电常数的虚部发现SGs缺陷在3.6eV处存在一个光学吸收峰. 相似文献
205.
非晶InGaZnO(a-IGZO)薄膜在制备过程中形成的缺陷和弱键以陷阱态的形式非均匀分布在a-IGZO的带隙中, 这些陷阱态会俘获栅压诱导的电荷, 影响a-IGZO薄膜晶体管线性区迁移率、沟道电子浓度等, 进而影响线性区的电学性能. 本文基于线性区沟道迁移率与沟道内的自由电荷与总电荷的比值成正比, 分离出自由电荷以及陷阱态电荷. 由转移特性和电容电压特性得到自由电荷以及陷阱态电荷对表面势的微分, 分离出自由电子浓度和陷阱态浓度. 通过对沟道层与栅绝缘层界面运用泊松方程以及高斯定理, 考虑了沟道表面势与栅压的非均匀性关系, 得出自由电子浓度以及陷阱态浓度与表面势的关系, 最后通过陷阱态浓度与表面势求导得到线性区对应的态密度. 相似文献
206.
选用硅橡胶为基材,Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶纳米晶软磁合金粉体为磁性功能填料,采用机械共混的方法制备非晶粉/硅橡胶力敏复合材料。采用自制测试夹具测试非晶粉/硅橡胶复合材料的阻抗值,采用扫描电镜分析非晶粉颗粒形貌及其在硅橡胶基材中分散情况,在此基础上研究了复合材料界面绝缘性、单层与多层叠加复合薄膜、加入导电层及其层数对复合应力阻抗性能的影响。研究结果表明:铜箔作为界面强化导电层的加入是提高复合薄膜力敏特性的有效途径之一,设计实验中的复合薄膜/铜箔/复合薄膜结构相当于聚合物/金属/聚合物三明治多层膜结构,对敏感性具有增强效应。 相似文献
207.
玻璃化转变是高分子物理教学中的重要内容.一些高分子物理教科书将聚合物玻璃化转变简单描述为玻璃到高弹态的力学转变,可能局限了学生对玻璃化转变重要科学问题认识的深度、广度和想象空间,甚至造成一些学生认为只有聚合物才存在玻璃化转变.笔者注意到了这一问题,考虑将聚合物玻璃化转变放在非晶物理框架下进行讲授;强调玻璃化转变是非晶物... 相似文献
208.
Ni/ZrO2复合电沉积机理的研究 总被引:14,自引:0,他引:14
研究了在Watts镀镍液中ZrO2颗粒与镍复合电沉积的阴极电流密度以及颗粒在镀液中分散量对颗粒共析量的影响,探讨了复合电沉积的过程与模型。研究表明,在小的颗粒分散量下,复合电沉积为颗粒向阴极的传输所控制,导致共析量随电流密度增大而减少。在大的颗粒分散量,小电流密度时复合电沉积为颗粒的强吸附过程所控制,致使共析量随电流密度增大而增加;大电流密度时,复合电沉积为颗粒向阴极的传输所控制,造成共析量随电流 相似文献
209.
从晶态材料弛豫过程中模量的唯象描述的基本思想出发,同时考虑到近年来对非晶材料弛豫规律的种种研究,将传统的构造力学参数模型作为弛豫单元的作法与现在流行的双能级模型统一起来,对非晶材料弛豫过程中的杨氏模量进行了唯象处理,得到了与以往不同的弛豫规律。 相似文献
210.
国内离子交换法处理氰化镉废水的现状及改进意见 总被引:3,自引:0,他引:3
本文对国内现行离子交换法处理氰化镀镉废水的工艺进行了探讨,提出了用络合理论将阴树脂由Cl-1型转变成CdCl42-型后交换,便可提高对水中游离氰(CN-)的吸附能力,并能使氰、镉都得到回收利用。 相似文献