硬磁性Nd60Al10Fe20Co10大块金属玻璃的玻璃转变和晶化过程

采用动态力学热分析（DMTA）,示差扫描量热法（DSC）,X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）考察了Nd60Al10Fe20Co10大块金属玻璃（BMG）的玻璃转变,晶化过程及晶化过程对磁性能的影响规律. 结果表明用DMTA方法确定Nd60Al10Fe20Co10 BMG在10 K/s的升温速率下玻璃转变温度为480 K,初始晶化温度为588 K. 晶化过程为：非晶→非晶＋亚稳FeNdAl新相→非晶＋初晶δ相→初晶δ相＋共晶δ相＋Nd3Al＋Nd3Co. 该体系合金具有硬磁性是由于合金中存在高度弛豫的非晶相,完全晶化后材料的硬磁性消失.     

Ni-P-Zn3(PO4)2(ZnSnO3、ZnSiO3)纳米复合化学镀层性质和组成的研究

研究了温度、时间、浓度等对Ａ３钢片上Ｎi-P-Zn3(PO4)2、Ni-P-ZnSnO3和Ｎi-P-ZiSiO3纳米复合合化学镀层外貌的影响,用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）观察外貌、称重法测定厚度;通过１０％ＮaCl溶液、１％Ｈ２Ｓ气体加速腐蚀试验,１０％ＣuSO4溶液点滴试验等多种手段测定其耐腐蚀性能,用Ｘ－射线光电子谱（ＸＰＳ）及俄歇电子能谱（ＳＥＳ）测定其价态组成,结果表明：在最佳施镀条件下,可得光亮、致密、耐腐蚀性强于Ａ３钢、磷化膜及Ｎi-P镀层的纳米复合化学镀层,镀层的原子百分组成约为（％）：Ｎi-P-Zn3(PO4)2:Ni70.00,P12.47,Zn3(PO4)213.93,C3.6;Ni-P-ZnSnO3;Ni77.56,P10.00,ZnSnO39.84,C2.6;Ni-P-NiSiO3,Ni83.00,P10.96,ZnSi5.15,C0.89.     

高载酶量酶/酶免疫电极的制备及其电化学机理研究

本文利用扫描电镜和电化学方法确定了最佳镀铂电位,并进一步研究了酶电极和酶免疫电极在基体电极镀铂和未镀铂条件下的米氏常数、电化学反应速率常数和反应速度控制步骤。比较分析了生物电极的最佳实验条件。     

超声波对钛镀铂黑电极性能的影响

近二十年来,由于超声波设备的普及,超声波在化学中得到广泛的应用.声化学也于80年代被科学界承认是一门与光化学、热化学、高压化学等地位相当的新兴交叉学科[1] ,超声波对化学反应的影响目前被认为是来自其声空化作用[2].所谓空化作用是指在超声波作用下,液体中空气泡的快速形成和突然崩溃的过程,在这瞬间,在空气泡周围极小的空间能产生5000K以上的高温[3]和约5×107Pa的高压[4],产生高速射流[5],使得在普通条件下难以发生的化学反应有可能实现.     

Pd41Ni10Cu28P21大块非晶合金结构与晶化过程

采用水淬的方法获得了Pd41Ni10Cu28P21大块非晶合金.结果表明,这一合金体系具有很强的玻璃形成能力,其约化的玻璃转变温度Trg为0.714.结构分析显示,Pd41Ni10Cu28P21非晶合金比以往所报道的Pd40Ni40P20非晶具有更接近于"冻结"液态的密堆积结构.非晶的晶化实验表明,晶化初期多种晶相同时结晶析出.低于710K退火非晶样品,亚稳相形成,继续提高退火温度亚稳相消失.此外,从热力学和动力学角度就Cu部分替代Ni对合金的玻璃形成能力的影响进行了探讨.     

N掺杂对非晶C薄膜的电子结构与光学性质的影响

用直流磁控溅射法制备了非晶C薄膜及N掺杂非晶C(a-C∶N)薄膜,用紫外-可见分光光谱仪、椭圆偏振仪、俄歇电子能谱(AES)等对薄膜进行了检测。结果表明：随源气体中N气含量的增加,透过率和折射率变小, 而光学带隙先增大后减小; 当薄膜中N的含量很少,N的掺入对sp3杂化C起稳定作用,使得薄膜光学带隙E_g增大。而较高量N的掺入抑制了sp3杂化C的形成,提高了薄膜中sp2键含量,使得薄膜光学带隙变小。参数D定义为俄歇电子能谱(AES)中最大正峰和最低负峰之间的距离,用俄歇电子能谱中的D值来计算薄膜的sp2键的百分含量,俄歇电子能谱(AES)表征也表明：较高量的N的掺入抑制了sp3杂化C的形成。所以应该考虑在较低N分压条件下掺N来改善非晶C薄膜的光学性能。     

RE元素对高温自润滑复合镀层性能的影响

通过对超微粉体表面预处理,采用化学复合镀的方法,在0Gr18Ni9Ti试件上得到Ni-Re-P/(人造金刚石粉(C)+CaF2)、Ni-P/(人造金刚石粉(C)+CaF2)两种复合镀层,通过测试性能比较,铼元素的加入后,耐高温自润滑复合镀层的抗氧化能力和耐磨擦磨损的能力都有较大的提高.     

热退火对电子束蒸镀方法制备的ZnO:Al薄膜光电性质的影响

采用电子束蒸镀方法在Si(100)衬底上沉积了ZnO:Al(ZAO)薄膜.在氧气气氛下对ZnO:Al薄膜进行了退火处理,退火温度的范围为400～800℃.X射线衍射(XRD)图样表明所制备的ZnO:Al薄膜具有六方结构,为c轴(002)择优取向的多晶薄膜.用Van der Pauw法测量了ZAO薄膜的电学特性,结果显示其电导率在500℃达到最大值.测量了ZAO薄膜的室温微区光致发光和变温发光光谱,观测到了ZnO自由激子、束缚在中性施主中心(D0)上的束缚激子以及束缚在离化施主中心(D+0)上的束缚激子发射.     

全光亮镀铁工艺的研究

介绍了一种新型的电镀光亮镀的工艺,使用了“抑氢剂”,并用小槽电镀,Hull Cell实验研究了镀液的性能,还运用线性电位扫描法,旋转圆盘电极法测试了镀液的阴极极化性能和整平性能,采用SEM法观察镀层的形貌,实验结果表明：光亮剂的加入可增大铁沉积时的阴极极化,并伴有整作用,而抑氢剂可增大氢在铁上析出的过电位,从而可提高铁沉积的电流效率并降低镀层的应力。     

980nm单模运转未镀增透膜光纤光栅激光器

提出了一种工艺简单的980nm未镀增透膜的光纤光栅外腔半导体激光器。首先从理论上分析了边模抑制比(SMSR)与激光二极管前表面反射率R2、外腔长Lext和激光二极管一光纤耦合效率之间的关系,得出边模抑制比随R2和Lext的增大而减小,而随着激光二极管一光纤的耦合效率的提高而增大。从计算结果中还可以看出,即使半导体激光器不镀增透膜(R2=0．3时)。在其它参量合适的情况下,边模抑制比仍可大于40dB。然后,对其进行实验验证。在半导体激光器未镀模的情况下,选择光纤光栅发射率为0．5,外腔长为12．5cm,输人电流为28．8mA(约为阈值电流的2．4倍)时,通过仔细调节恒温、恒流电路,实现了边模抑制比高于40dB的稳定的单纵模输出,外腔激光器的线宽优于1．6MHz。