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51.
pacc:7830,7850C Wepresentthemicro-Ramanstudyof curvedGexSi1-x/GeySi1-yheterostructure,and foundthestrainofthecurvedthinlayerispropor tionaltothecurvature,i.e.inverselyproportional tothediameter.TheopticalandelectricpropertiesofSi1-x GexalloygrownonSisubst…  相似文献   
52.
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.  相似文献   
53.
采用分子动力学方法对六种不同冷速对原子尺寸相差较大的液态合金Ca50Znso凝固过程中微观结构演变的影响进行了模拟研究,并采用双体分布函数、Honeycutt—Andersen(HA)键型指数法、原子团类型指数法(CTIM一2)、可视化等方法进行了深入分析,结果表明:系统存在一个临界冷速,介于和5×10^11K/s与1×10^11K/s之间,在临界冷速以上(如1×10^11K/s,1×10^11K/s,1×10^11K/s和5×10^11K/s)时,系统形成以1551,1541,1431键型或二十面体基本原子团(12012000)等为主体的非晶态结构;在临界冷速以下时,系统形成以1441和1661键型或bcc基本原子团(1460800)为主体(含有少量的hcp(1200066)和fcc(12000120)基本原子团)的部分晶态结构.在非晶形成的冷速范围内,其总双体分布函数的第一峰明显分裂成与近邻分别为Zn—Zn,Ca—Zn,Ca—Ca相对应的三个次峰;且随着冷速的下降,同类原子近邻的次峰峰值升高、异类原子近邻的次峰峰值下降;Zn原子容易偏聚,随着冷速降低,二十面体的数量增多,非晶态结构也越稳定.在晶态形成的冷速范围内,Zn原子己大量偏聚形成大块bcc晶态结构,Ca原子也部分形成hcp和fcc晶态结构.  相似文献   
54.
在0—7GPa静压范围内测量了自发有序Ga0.5In0.5P合金的室温光致发光谱.三块样品的常压带隙能量分别比无序样品低115,92和43meV,它们的压力系数也从无序样品的92meV/GPa分别减小到75,81和83meV/GPa.用Γ-L相互作用模型可以同时解释有序合金的带隙能量的降低以及压力系数的减小.得到的Γ-L相互作用势分别为0.19,0.15和0.10eV.表明在自发有序Ga0.5In0.5P合金中存在着的  相似文献   
55.
用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长了Zn1-xMgxSySe1-y四元半导体合金薄膜。用X-射线衍射方法确定了外延层的结构和晶格常数。测量了这些样品在平行和垂直两种不同几何配置下的拉曼散射光谱并对其特性做了研究。从实验上观察到了四类不同的晶格振动模:类ZnSe的TO和LO模拟及类ZnS和类MgS的LO模,实验发现:在ZnSe和ZnSSe中加入Mg使得类ZnSe的TO和LO模的振动频率下降;同时,也使类ZnS模的频率随S的增加率减小。  相似文献   
56.
 以Fe-30wt%Ni合金片为母合金,用蒸发冷凝法制备了三种粗细不同的纳米微粒。经透射电镜和X光衍射物相分析,微粒成分与母合金一致。5T、5H和3K粉的平均粒度分别为13.6、27和40 mm。在室温和43~28个不同的流体静压力(0.000 1~2.205 GPa)下测量了它们的磁化曲线、磁导率曲线和起始磁化曲线。结果表明:(1)在H=(20-132)(1000/4π)A/m范围内Fe-30Ni合金三种纳米粉均具有恒磁导率。(2)三种纳米粉恒磁导率随静水压的变化规律如下:μr=3.83+0.253p-0.022 1p2-0.007 22p3(5T粉);μr=3.93+1.20p-1.97p2+1.52p3-0.510p4+0.059 9p5(5H粉);μr=5.96-0.276p+0.107p2-0.045 9p3(3K粉)。前两者随压力增加而升高。后者随压力增加而下降。(3)γ-α马氏体相变明显存在于5T、5H粉中,而3K粉中未见到。(4)Fe-30Ni合金片的μi从200kHz至2 MHz已下降一个数量级,而其纳米粉μi的频率范围高于300 MHz,增大两个数量级以上。  相似文献   
57.
用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长了Zn1-xMgxSySe1-y四元半导体合金薄膜.用X-射线衍射方法确定了外延层的结构和晶格常数.测量了这些样品在平行和垂直两种不同几何配置下的拉曼散射光谱并对其特性做了研究。从实验上观察到了四类不同的晶格振动模:类ZnSe的TO和LO模以及类ZnS和类MgS的LO模,实验发现:在ZnSe和ZnSSe中加入Mg使得类ZnSe的TO和LO模的振动频率下降;同时,也使类ZnS模的频率随S的增加率减小。  相似文献   
58.
应用辉光放电发射光谱分析技术,从纯金属求得难以测定的试样表层合金的溅射率,对磷青铜薄带的镀层(Ag-Cu)合金进行表面逐层分析,得到镀层中银和铜含量随深度的变化曲线,同时测得了镀层的厚度。  相似文献   
59.
 从1883年起,保存在法国塞夫勒市国际度量衡局两个玻璃罩中的一个铂铱合金圆柱体一直被作为国际标准质量单位--千克。千克这样定义已有100多年,期间总共只将它从玻璃罩中取出过3次。迄今对米标准原器的保存仍采取不少预防性措施,但这已经成了一种传统而已。  相似文献   
60.
 利用MTS810实验机和分离式霍普金森压杆(SHPB),对Hf44.5Cu27Ni13.5Ti5Al10块体非晶合金进行了准静态和动态压缩实验,应变速率范围为10-4~103 s-1,给出了不同应变速率下非晶合金的应力-应变曲线,并对其压缩断口形貌进行了扫描电镜观察。结果表明:在准静态压缩条件下,Hf44.5Cu27Ni13.5Ti5Al10非晶合金不具有应变速率敏感性,在由放射区和扇形区组成的断口形貌上观察到纳米级韧窝和60 nm左右的周期性条纹结构;在动态压缩条件下,随着应变速率的增加,动态屈服强度明显减小,合金具有应变速率敏感性,同时断裂表面为夹杂着脉络条纹的絮状结构。进一步观察发现,动态压缩断口上存在3种特征断裂形貌:树枝状条纹、典型脉络花纹和合金熔体。  相似文献   
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