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21.
22.
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1. 相似文献
23.
报道了三种剩余电阻率约为100μΩcm,Al 含量不同的 FeMnAl 合金30K 以下电阻率的负温度系数反常行为.参照样品磁阻,比热,M(?)ssbauer 谱的测量数据,经典的理论模型难于解释本文观察到的结果.所观察到的反常可能来源于在弱局域范畴内电子间库仑相互作用的效应. 相似文献
24.
用核磁共振对非晶态中B3+离子的微观结构进行了测定,结合Raman光谱的研究,对Li2O-B2O3-P2O5系统非晶态的性能(电导率、密度等)在P2O5/B2O3比约等于1时产生极值的原因从理论上作了阐明。 相似文献
25.
26.
测量了非晶态过渡族 Zr_(100-x)Co_x(x=20—41)合金的超导转变温度 T_c、上临界场 B_(c2)(T)和临界电流密度 J_c(H,T).T_c 随着 Co 含量 x 增加而线性地降低.上临界场 B_(c2)(T)的测量数值符合标准的 WHH 理论.电子状态密度和电子比热系数都随着 Co 含量 x 增加而降低.临界电流密度 J_c(H,T)和磁通钉扎力 F_p,相当弱,可以归因于在相干长度尺度上的结构均匀性. 相似文献
27.
28.
Laves相贮氢合金是目前贮氢材料研究与开发的热点之一。本文概述了Laves相合金的结构、贮氢机理、贮氢性能以及它在Ni/MH电池应用中的最新进展。 相似文献
29.
非晶态镍钨合金由于具有长程无序,短程有序,无晶界、无位错,而具有极为优异的化学、物理和机械性能。非晶态镍钨合金镀层的结构致密,硬度高,耐热性好,尤其在高温下耐磨损、抗氧化,更能显示出其优良的自润滑和耐蚀性能。 相似文献
30.
钒合金由于其低中子诱导的放射性和良好的高温性能被认为是未来聚变堆很有希望的第一壁和结构材料。因为氦可以通过放电清洗和中子嬗变产生,氦的滞留与热释放行为将是钒合金在聚变堆应用的重要课题。A.V.Veen领导的研究小组用1keV的氦离子注入到10^13-10^14He/cm^2的剂量研究了钒合金的氦俘获和热解吸机理以及预退火处理的影响。两群热解吸峰被发现,他们认为一个对应于氦,空位一杂质链,另一个对应于氦,带有钒合金原有的缺陷,如细小的析出物所俘获。既然钒合金原有的缺陷与退火处理有关,热处理对氦在钒合金中的滞留的影响是可以预期的,并且已被实验所证实。 相似文献