微全分析系统检测方法的研究进展

综述了不同类型的检测方法在微全分析系统的应用，并简述了各类型的检测方法的优缺点。引用文献92篇。     

微模塑法制备PMMA/SiO2二氧化硅杂化材料微结构

以摩尔比为 1∶1的甲基丙烯酸甲酯 (MMA)、甲基丙烯酸 (3 三乙氧基硅烷基 )丙酯 (ESMA)单体、0 .2 %(单体总量的质量分数 )的偶氮二异丁腈AIBN引发剂和四氢呋喃 (THF)溶剂 ,及 2 0 % (总质量分数 )的正硅酸乙酯TEOS合成出PMMA/SiO2 有机 无机杂化的杂化溶胶 .将溶胶在洗净的普通光学玻璃基片表面甩膜 .利用软刻蚀中的微模塑法 ,把有机硅弹性印章复制有精细图纹一面轻放在杂化溶胶膜上进行微模塑 ,外加 1N压力于12 0℃下处理 2h使溶胶凝胶化 .印章剥离后在基片表面就形成了PMMA/SiO2 有机 无机杂化材料的微图纹结构 .从微图纹的光学显微镜照片可以看出微模塑方法制备杂化材料复制的图纹精细度高 ,操作简单易行 ,是一类比较理想的微细图纹结构加工的方法 .     

A Continuation Method of Parameter Inversion for Non-Equilibrium Convection-Dispersion Equation

Based on the homotopy mapping, a globally convergent method of parameter inversion for non-equilibrium convection-dispersion equations （CDEs） is developed. Moreover, in order to further improve the computational efficiency of the algorithm, a properly smooth function, which is derived from the sigmoid function, is employed to update the homotopy parameter during iteration. Numerical results show the feature of global convergence and high performance of this method. In addition, even the measurement quantities are heavily contaminated by noises, and a good solution can be found.     

非负矩阵与有向图的谱半径

本文给出非负矩阵的谱半径的上界、下界,由此给出有向图的谱半径的界.     

一个强极限定理

设是可列非齐次马氏链，本文通过利用［１］中提出的在Ｗｉｅｎｅｒ概率空间的一种实现，而给出了一个对任意可列非齐次马氏链普遍成立的强极限定理。     

非空交定理及其应用

本文得到了广义区间空间中几个参数型非空交定理，并用此结果证明了一些新型极大极小定理，截口定理，重合定理，以及变分不等式解的存在性定理。本文中的结果包含（１，３，５－１２，１４－１６）中相应结果。     

飞行管理问题的实时算法

本文讨论了在一定区域空间内进行飞行管理避免飞机相撞的模型，提出了直接搜索法和非线性规划（SUMT）法两种解法，并将两种方法有机结合，得出的算法在486微机上计算时间小于10秒，误差不超过0.01度，完全符合问题的要求。本文接着给出四种不同情况分别用两种方法求解，进行比较检验，取得很好的吻合，充分说明了模型3的可靠性。本文还对模型的误差进行分析并对模型进行推广。     

The Geometric Construction of WZW Effective Action in Noncommutative Manifold

By constructing close-one-cochain density Ω^12n in the gauge group space we get the Wess-Zumino-Witten (WZW) effective Lagrangian on high-dimensional noncommutative space.Especially consistent anomalies derived from this WZW effective action in noncommutative four-dimensional space coincide with those obtained by L.Bonora etc.(het-th/0002210).     

Ablation of GaN Using a Femtosecond Laser

We study the pulsed laser ablation of wurtzite gallium nitride(GaN) films grown on sapphire,using the femtosecond laser beam at a central wavelength of 800nm as the source for the high-speed ablation of GaN films.By measuring the backscattered Raman spectrum of ablated samples,the dependence of the ablation depth on laser fluence with one pulse was obtained.The threwshold laser fluence for the ablation of GaN films was determined to be about 0.25J/cm^2,Laser ablation depth increases with the increasing laser fluence until the amount of removed material is not further increased.The ablated surface was investigated by an optical surface interference profile meter.     

关于一类非平衡交互作用粒子系统的相变

本文利用一维格点上非平衡Glauber＋Kawasaki过程所对应的Hgdrodynamic宏观方程，刻画了过程何时从一非渐近稳定态开始分离，该非渐近稳定态对应于一具有均值为常数的乘积测度，证明了时间标度在一定范围时，过程仍逗留在该非渐近稳定态．而时间标度超出该范围时，过程向渐近稳定态分叉，即系统发生相变．