DTM-BF方法和可渗透收缩壁面上带滑移速度的非稳态磁流体力学流动

研究了运动的粘性导电流体中可渗透收缩壁面上非稳态磁流体边界层流动,利用解析和数值方法对问题进行了研究,并考虑了壁面速度滑移的影响．提出了一个新的解析方法（DTM-BF）,并将其应用于求解带有无穷远边界条件的非线性控制方程的近似解析解．对所有的解析结果和数值结果进行了对比,结果显示两者非常吻合,从而证明了DTM-BF方法的有效性．另外,对不同的参数,得到了控制方程双解和单解的存在范围．最后,分别讨论了滑移参数、非稳态参数、磁场参数、抽吸/喷注参数和速度比例参数对壁面摩擦、唯一解速度分布和双解速度分布的影响．     

双金属离子调控型镍钴氧化物纳米片用于非对称超级电容器

通过水热-煅烧两步法制备了系列镍钴氧化物（NCO）纳米片。通过改变前驱体溶液中的镍、钴离子物质的量之比,进而调控NCO纳米片中的过渡金属离子比例。NCO纳米片的晶相、形貌和结构利用X射线衍射、扫描电子显微镜和X射线光电子能谱表征。此外,对NCO纳米片的电化学性能进行测试。结果表明,NCO-2（Ni_1.95Co₁O_x）纳米片在0.5 A·g^-1电流密度下,比电容为1 096.88 F·g^-1,且经过5 000次循环后具有78.26%的循环稳定性。以NCO-2为正极、活性碳为负极构成的非对称超级电容器,在功率密度为576 W·kg^-1时,能量密度为57.70 Wh·kg^-1。     

硬碳嵌锂负极非对称超级电容器

硬碳(hard carbon)嵌锂实验及循环伏安测试表明,该硬碳表面形成SEI(solid electrolyte interface)膜的电位区间为1.0~0.5 V,并且SEI膜主要在首次阴极化过程中形成;嵌脱锂反应电位区间为0~0.5 V。硬碳负极与活性碳(activated carbon)正极组装成非对称超级电容器,电化学测试表明,     

Special Bi-Solitons for Asymmetric Nizhnik-Novikov-Veselov Equation

Employing a constructive algorithm and the symbolic computation, we obtain a new explicit bi-soliton-like solution of the asymmetric Nizhnik-Novikov-Veselov equation. The solution contains two arbitraryfunctions which indicates that it can model various bi-soliton-like waves. In particular, specially choosing the arbitrary functions, we find some interesting bi-solitons with special shapes, which possess the traveling property of the traditional bi-solitons. We show the evolution of such bi-solitons by figures.     

变系数对流-扩散方程的交替分段Crank-Nicolson方法

对Saul'yev型格式中的对流项构造了一种新的离散化逼近形式,进而给出了变系数对流-扩散方程的Crank-Nicolson方法.这个方法是绝对稳定的.数值实验表明该方法并行性好,精度高,宜于直接在并行计算机上使用.     

正交各向异性板的非对称大变形问题

从各向异性板的基本理论出发,推导出正交各向异性圆板的非对称大变形基本方程,利用Fourier级数把问题的偏微分方程转化为一组可积分求解的非线性常微分方程,并给出利用迭代法求解该问题的基本方法.     

Entanglement of Non-symmetric Two Charge Qubits Induced by a Damped Cavity

Two charge qubits being coupled to a damped cavity with different couplings are considered. The dynamical evolution of the entanglement between the two qubits is demonstrated analytically or numerically. It is found that with the cavity dissipation, the steady entanglement between the two qubits can be achieved. The two qubits being initially in the separable and most mixed state can be easily induced to a steady entangled state, and the relative difference of the couplings can be used to enhance the steady entanglement between the two charge qubits.     

非对称陀螺自由基分子光谱的标识分析

系统阐述了非对称陀螺分子光谱的标识分析工作涉及的一些关键理论问题,包括有效Hamilton量、表象和基矢、能级识别、跃迁选择规则、相对强度和Zeeman调制率等,并在有效Hamilton量中引入高阶离心畸变项,大大提高了计算精度,并使高转动量子数跃迁的标识分析成为可能.作为应用实例,对14N16O2基振动态的零场和磁共振谱进行了统一分析(globalanalysis),获得了迄今为止最精确、最完整的14N16O2基振动态分子结构参数,并对Curl和Brown等人过去未能标识的14N16O2高转动量子数跃迁远红外激光磁共振谱线进行了成功标识.     

基于非对称逆布局模式的数字水印算法

提出了一种基于非对称逆布局模式表示的彩色图像表示方法.该方法采用彩色图像的二进制位平面分解方法,把彩色图像变成具有非对称逆布局模式的二值图像.在此基础上,根据二值图像的特性,设计了一种新的利用奇异值分解的嵌入水印算法,解决了二值图像的水印嵌入数量小,容易被检测的难题.实验表明:该算法操作简单,存储空间小,能有效地抵抗各种攻击,同时具备较强的理论基础和适用性.     

低远场发散角976 nm基横模脊形半导体激光器

采用非对称大光腔外延结构设计制备出976 nm InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱脊形半导体激光器,通过对外延结构的设计优化,以实现器件低远场发散角、低功耗的基横模稳定输出。所制备基横模脊形半导体激光器的脊宽为5μm、腔长为1500μm,在25℃测试温度下,可获得422 mW最大连续输出功率,峰值波长为973.3 nm,光谱线宽（FWHM）为1.4 nm。当注入电流为500 mA时,垂直和水平远场发散角（FWHM）分别为24.15°和3.90°。在15～35℃测试温度范围内对脊形半导体激光器的水平远场发散角进行测试分析,发现随着测试温度的升高,器件远场分布变化较小,水平远场发散角基本维持在3.9°左右。