霍耳效应测量磁场实验中的副效应及温度对测量结果的影响

讨论了霍耳效应测量磁场实验中的一些副效应及温度对测量结果的影响，分析了产生系统误差的原因及处理方法。     

研究快讯 用分步注入法改善SOI—SIMNI薄膜材料的电学性能

采用常规方法和分步注入法制备SOI－SIMNI（Silicon on Insulator-Separation by Implantation of Nitrogen）薄膜材料,用液氦低温霍耳效应进行了分析测量,测量结果表明：分步注入法制备得到的样品具有低的薄层电阻R□和较高的载流子迁移率,实验证明用分步注入法可以明显改善SIMNI薄膜材料的电学性能,对实验结果和机理进行了解释。     

量子霍耳效应中霍耳电压与样品的几何尺寸无关的一个简单证明

用简单方法证明了量子霍耳效应中霍耳平台中的霍耳电压与样品尺寸无关的奇特现象．     

磁场对晶体管特性参数的影响

本文用JT-1型晶体管特性图示仪和晶体管直流静态测试法,观测了磁场对晶体管特性参数的影响。结果表明:磁场对晶体管某些特性参数确有影响,但对于不同类型的晶体管,影响的程度不同。此外,文中推导出了集电极电流的变化量△I_c与磁场B之间的关系式。