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61.
利用混合物理化学气相沉积法在石墨衬底上制备出了晶形为六角结构、厚度不同、径向尺寸不一的MgB2单晶纳米晶片. 利用纳米定向转移技术将此晶片转移到了碳支持膜铜网上, 以便对其精细结构等物性进行表征. 电输运测量和磁性测量结果都表明晶片具有超导电性: Tconset=38 K, Tc(0)=33 K. 扫描电子显微镜图像表明, 晶片表面平整、厚度分布在几个纳米到200 nm之间, 宽度从几微米到上百微米; 高分辨透射电镜图像显示出晶片具有周期性晶格条纹. 选区电子衍射数据与MgB2已有的单晶衍射数据相符. 这些测量结果证实了其确为高质量单晶MgB2超导纳米晶片. 本文不仅提出了一种全新的制备单晶MgB2的方法, 也观察到了纳米尺度MgB2单晶的零电阻现象, 为后续的磁通钉扎、纳米力学性能等领域的深入研究提供了合适的素材.
关键词:
2')" href="#">单晶MgB2
超导纳米晶片
零电阻
混合物理化学气相沉积法 相似文献
62.
用扫描隧道显微镜(STM)研究了室温下天冬氨酸在Cu(001)表面的吸附行为.实验发现,在较 低的覆盖度下,天冬氨酸分子在Cu(001)表面存在两种吸附状态.从STM数据估算出两种吸附 状态下天冬氨酸分子在Cu(001)表面的扩散激活能分别为079±001eV,088±005eV. 随着覆盖度的提高,天冬氨酸分子最终在Cu(001)表面形成一均匀衬度的吸附层,但并不形 成有序吸附结构,也不能使台阶发生小面化.天冬氨酸分子的这些吸附特点是迄今研究过的 所有氨基酸在Cu(001)表面吸附时不具有的.
关键词:
表面吸附
扫描隧道显微镜
氨基酸 相似文献
63.
采用固相反应法制备了Y2O3施主掺杂的92 mol%BaTiO3-8 mol%(Bi1/2Na1/2)TiO3(BBNT8)高温无铅正温度系数电阻(positive temperature coe?cient resistivity,PTCR)陶瓷.利用透射电镜观察材料的显微结构,发现陶瓷的显微结构主要包括晶粒和晶界两部分,观察不到明显的壳层结构.进一步利用交流阻抗谱研究了陶瓷的宏观电学性能,发现陶瓷的总电阻是晶粒和晶界两部分的贡献,而晶粒电阻很小,在居里温度以上变化不大,材料的PTCR效应主要是晶界部分的贡献.当温度高于居里温度时,随着温度的升高,晶界介电常数逐渐减小,导致势垒增加,晶界电阻增大,从而产生正温度系数效应.最后,通过测试材料的介电频谱特性,研究计算了陶瓷的室温电阻率. 相似文献
64.
稀土掺杂锰氧化物庞磁电阻效应 总被引:26,自引:0,他引:26
过去十多年来,具有庞磁电阻效应的稀土掺杂锰氧化物成为了凝聚态物理研究的重要领域。锰氧化物的载流子自旋极化率高,且在居里温度附近表现出很大的磁电阻效应,因此在自旋电子学中有潜在的应用前景。另一方面,锰氧化物是典型的强关联电子体系,它对目前有关强关联体系的认识提出了很大挑战。本文综述了锰氧化物的各种性质及其物理原因。全文首先概述了锰氧化物的庞磁电阻效应及其晶格和电子结构,简单介绍了其他一些庞磁电阻材料;随后综述了锰氧化物的电荷/轨道有序相及其输运性质;在第四部分简单介绍了锰氧化物中庞磁电阻效应的机制;最后讨论了锰氧化物的一些可能的应用,如低场磁电阻效应、磁隧道结、磁p-n结以及全钙钛矿的场效应管和自旋极化电子注入装置等。 相似文献
65.
66.
导出了四端星-网(全网)电阻网络的等效变换式,并应用它求出几例特殊复杂电阻网络(非串非并电路)的等效电阻. 相似文献
67.
影响惠斯通电桥精确度的主要因素有电桥的灵敏度和电阻箱的误差。为了简化问题,得到半定性半定量的、近似的理论结果,文章建立了电阻阻值误差的近似模型,结合已有的电桥灵敏度的理论公式,通过求误差极小值的方法,推导出测量精度最(极)大时桥臂电阻R1、R2的理论值。此外,文章还对某些现实性的问题进行了较详细的分析和讨论。尽管文章所得到的结果具有一定的近似性,文章的研究思路、方法和结论,或可为惠斯通电桥实验提供理论上的指导,亦可为相关的理论性研究提供一些线索及参考。 相似文献
68.
《低温与超导》2013,(11)
以氧化钌温度传感器(RX-202A)为研究对象,研究了其在016 T磁场下、216 T磁场下、240 K温区内的磁致电阻效应。结果表明:RX-202A的磁效应随场强的升高而升高,随温度呈波动变化,在低温区先由正效应转变为负效应,后又随温度的升高而逐渐降低,并逐渐趋于0,RX-202A在2.1 K、16T处的磁效应为0.83;RX-202A由磁效应引起的测量误差随温度呈波动变化,在2.240 K温区内的磁致电阻效应。结果表明:RX-202A的磁效应随场强的升高而升高,随温度呈波动变化,在低温区先由正效应转变为负效应,后又随温度的升高而逐渐降低,并逐渐趋于0,RX-202A在2.1 K、16T处的磁效应为0.83;RX-202A由磁效应引起的测量误差随温度呈波动变化,在2.210K温区随场强的变化差别较小,在1010K温区随场强的变化差别较小,在1038K温区随场强的增大而增大,RX-202A在2.2K、16T处,38K、16T处产生的温度测量误差分别为-0.099K和0.364K。 相似文献
69.
70.