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101.
爆破工程中,信号趋势项的准确去除对提高爆破振动信号分析的精度具有重要意义。针对经验模态分解(empirical mode decomposition,EMD)识别法存在的模态混叠和端头效应等缺陷,提出了基于变分模态分解(variational mode decomposition,VMD)去除信号趋势项的方法,即VMD法。叙述了VMD法识别爆破信号趋势项原理,并进行了仿真实验,结果表明:趋势项频率对分解效果的影响相对较小,当趋势项频率处于1~5 Hz之间时,频率对分解效果的影响基本保持不变;振幅对分解效果影响显著,且振幅越小,VMD法的分解效果越差。当趋势项振幅超过原始爆破信号最大振幅的1/3时,VMD法分解效果较好。最后,应用VMD法和EMD法对含有趋势项的实测爆破振动信号进行处理,认为相比于EMD法,VMD法处理后的信号基本一致且不存在端点效应,在爆破信号趋势项去除领域中具有更加广泛的适用性。 相似文献
102.
在本工作中,我们成功制备了层状过渡金属磷族化合物BaMnBi2单晶样品,并研究了该化合物的磁学性质和电学输运性质.准二维化合物BaMnBi2具有四方晶体结构,主要包含有两个Bi四方格子层和一个共边的MnBi4四面体层.磁化率显示BaMnBi2在TN =288 K以下发生反铁磁相变,并表现出很强的磁各向异性.在反铁磁相变温度TN 以上,磁化率随温度呈线性关系,暗示体系在顺磁态具有很强的反铁磁关联.电阻率随温度变化曲线和在磁场下电阻率随角度的变化曲线都表明BaMnBi2具有准二维的电子结构.磁场导致的金属-绝缘体转变和低温下大的非饱和线性磁阻,与Bi四方格子层存在狄拉克费米子是一致的. 相似文献
103.
通过溶胶-凝胶法制备了La2/3Sr1/3MnO3+xWO3(x=0~25%)系列多晶陶瓷样品.结果表明。随着WO3掺杂量的增加,样品的电阻率增大,金属-绝缘体相变温度(Tp)值下降.在1.4T磁场下,当0≤x≤12.5%时,样品的室温磁电阻值从5%增大到15%,提高了200%.当12.5%〈x≤25%时,室温磁电阻值从15%降低到0.这对磁电阻材料在室温下的应用提供实验依据. 相似文献
104.
为了获得纯度更高的碳纳米管膜, 保证材料发热稳定性, 需要对通过化学气相沉积法得到的碳纳米管膜进行二次纯化. 通过使用高温纯化炉, 在真空状态下, 从1700℃到3200℃分7挡温度对碳纳米管进行纯化, 并对其含碳量和方块电阻进行比较. 结果表明, 高温纯化后的碳纳米管膜含碳量从95.0%提高到99.9%, 解决了含碳量低的问题. 同时, 在高温纯化中发现碳纳米管膜方块电阻从纯化前3Ω降低到0.5Ω, 方块电阻的降低对碳纳米管膜具有十分重要的意义, 同样对碳纳米管膜后续产品的开发也有重要作用. 相似文献
105.
106.
在电子线路工程及其教学过程中,都需要对电容器的直流电阻进行计算.然而,对一些特殊形状的电容器的直流电阻计算,普遍采用的电流密度法是比较麻烦的.本文根据电阻定义式,结合电阻的串联和并联的简洁关系,简单明了地对球冠形电容器、柱冠形电容器和正多棱柱形电容器等的直流电阻进行了计算,并给出相应的定量表达式. 相似文献
107.
基于热-结构耦合分析了欧姆热和等离子体辐照引起的垂直场线圈的温度变化,对垂直场线圈在不同连接方式下的电气参数进行了研究,提出了一种优化的线圈连接方案.计算结果表明,该优化方案有助于改善垂直场线圈的响应性能,并提高其对等离子体的控制能力. 相似文献
108.
109.
Homogeneous interface-type resistance switching in Au/La0.67Ca0.33MnO3/SrTiO3/F:SnO2 heterojunction memories 下载免费PDF全文
La0.67Ca0.33MnO3 thin films are fabricated on fluorine-doped tin oxide conducting glass substrates by a pulsed laser deposition technique with SrTiO3 used as a buffer layer. The current-voltage characteristics of the heterojunetions exhibit an asymmetric and resistance switching behaviour. A homogeneous interface-type conduction mechanism is also reported using impedance spectroscopy. The spatial homogeneity of the charge carrier distribution leads to field- induced potential-barrier change at the Au-La0.67Ca0.33MnO3 interface and a concomitant resistance switching effect. The ratio of the high resistance state to the low resistance state is found to be as high as 1.3 x 10^4% by simulating the AC electric field. This colossal resistance switching effect will greatly improve the signal-to-noise ratio in nonvolatile memory applications. 相似文献
110.