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81.
用LP-MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱(ADQW)结构。通过ps时间分辨光谱、吸收光谱、发射光谱等的研究得到了如下的结果:在弱激发下,观测到ADQW结构中的激子隧穿现象;在强激发下,在ADQW结构中发现了一个内建电场,它将影响激子隧穿;首次观测到由激子隧穿引起的在一定温度范围内宽阱的发光强度随温度上升而增加的现象;首次观测到该ADQW结构中来自宽阱的光泵受激发射。 相似文献
82.
83.
利用场诱导光电压谱(简称FISPS)和瞬态光伏(简称TPV)技术研究了TiO2的光生电荷的产生和传输机制.发现光生电荷在体块TiO2上的迁移机制不同于在纳米TiO2上的迁移机制,也不同于在结界面空间电荷区的迁移机制. 400 ℃处理的TiO2颗粒表面具有大量的表面态,光生电荷被表面态捕获-释放机制控制着光伏行为的过程是慢过程. 800 ℃处理的TiO2已经形成了完整的能带结构,光伏响应除了表现带-带跃迁外,还有一个在带边的自由激子带,光生电荷被表面自建场驱动进行传递的过程是快过程. 600 ℃处理的TiO2混晶由锐钛矿型和金红石型两种构型组成,在两相之间存在着较低势垒的结界面.它的光伏响应受控于两种机制 :光生电荷在两相间结界面空间电荷区的传输和在表面自建场驱动下的传输.当激发光强较小时,界面空间电荷区的光生电子由于积累的浓度较小而不能隧穿过结界面,这种场助隧穿只有在外场作用下才能发生. 相似文献
84.
85.
分形(fractal)几何与岩石断裂 总被引:12,自引:0,他引:12
岩石断口的不规则性可以统计地认为具有自相似性,由此本文应用新几何——分形(fractal) 几何来描述这种不规则性。建立了穿晶以及沿晶界和穿晶相偶合的微观断裂fractal 模型,用电镜和光学显微镜观察了大量岩石断口的 fractal 特征,得到了 fractal 维数与岩石宏观断裂力学量之间的初步对应关系。 相似文献
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87.
88.
磁性隧道结材料中自旋相关的量子阱态所导致的共振隧穿现象具有很重要的研究和应用价值,文章介绍了最近在Fe(001)/MgO/Fe/MgO/Fe双势垒磁性隧道结中存在的量子阱共振隧穿效应的理论研究工作,通过量子阱态的第一性原理的计算以及结合对中间Fe薄膜孤岛结构所导致Coulomb阻塞效应的分析,证实了最近Nozaki等人(Nozaki T et al.Phys.Rev.Lett.,2006,96:027208)实验中得到的振荡效应确实来源于中间Fe层多数自旋电子在Г点处形成的△1对称性的量子阱态.Coulomb阻塞效应的存在正是导致实验中低温下量子阱共振隧穿效应不够明显的主要原因. 相似文献
89.
以界面势垒对碳纳米管(CNT)场发射的影响为研究目的,在硅衬底上引进很薄的二氧化硅层,以二氧化硅层作为绝缘势垒,然后在二氧化硅界面层上直接生长CNT,来研究二氧化硅绝缘势垒层对CNT场发射的影响。场发射结果为:Fowler-Nordheim(F-N)曲线分为两部分,高电场下偏离F-N曲线并趋于饱和。在双势垒模型的基础上,从电场在两势垒上的分布不同及电子在两势垒上的隧穿几率不同,理论上分析了界面势垒对场发射的影响:低电场下电子在界面势垒的隧穿几率大于在表面势垒的隧穿几率,界面势垒对场发射不起阻碍作用,场发射遵守F-N规律;高电场下电子在界面势垒的隧穿几率小于在表面势垒的隧穿几率,场发射偏离F-N规律。理论对实验结果进行了合理的解释。 相似文献
90.