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32.
33.
利用电磁理论对表面传导电子发射显示器件的单个子像素在笛卡尔坐标系内建立合理的电学物理模型,对内部电场强度和电势进行了深入研究,推导出了模型不同部分的面电荷密度、电场强度和电势的表达式.为了形象地表征其电学特性,利用MATLAB 6.5对电场强度和电势的分布情况进行了模拟,从理论上对模拟曲面给出了合理的解释,分析了子像素内部电子的发射机理和电学行为,并与电子多重散射模型和惯性离心模型进行了对比,解释了SED阳极电流形成的重要原因.在误差允许的范围内,本模型有关电场强度分布的结论与惯性离心模型一致.
关键词:
表面传导电子发射显示
遂穿效应
面电荷密度
电场强度 相似文献
34.
基于一维水平光晶格的锶原子光晶格钟实验平台,当系统的稳定度和不确定度达到10-18量级以上时,由量子隧穿效应引起的钟频移变得不容忽视.在浅光晶格中,量子隧穿效应会使钟跃迁谱线发生明显的展宽现象,因此,本文通过研究浅光晶格中的量子隧穿现象,为87Sr原子光晶格钟系统不确定度的评估奠定基础.本实验在一维87Sr原子光晶格钟平台上,利用超稳超窄线宽的698 nm激光激发87Sr冷原子~lS0(|g>)→~3P0(|e>)跃迁(即钟跃迁),实现了对锶原子分布在特定量子态的制备.在深光晶格中,将原子制备到|e,nz=1>态后,再绝热地降低光晶格阱深,然后在浅光晶格中,探测激发态的载波-边带可分辨的钟跃迁谱线.从钟跃迁谱线中观测到载波谱线发生了明显的劈裂,表明原子在光晶格相邻格点间产生了明显的量子隧穿现象.通过对光晶格中量子隧穿机制的理解,不仅有利于提高光晶格钟的不确定度,也可为观测光晶格中费米子的自旋轨道耦合效应提供基础数据. 相似文献
35.
利用传输矩阵法研究了单负材料一维光子晶体(AB)m(ADBDB)n(AB)mA的透射谱,发现:透射谱中出现2个共振隧穿模,其位置和间距可由周期数m或n,以及介质层厚度d调节控制。改变m,会出现2个恒定间距的共振隧穿模;改变dA,共振隧穿模间距增大,且当dA≥25mm时,间距增大加剧;改变n,共振隧穿模逐渐趋于简并,当n≥6时,两隧穿模合二为一;改变dD,两共振隧穿模亦逐渐趋于简并,当dD≥20mm时,两隧穿模亦合二为一。这些特性可为利用光子晶体设计可调性高品质单通道、双通道滤波器提供参考。 相似文献
36.
37.
本文分析了由负介电常数材料和负磁导率材料交替排列组成的一维三层结构中的电磁波模式,包括传播模及波导模.传播模对应于入射的行波模,着重研究了发生共振隧穿时场分布和透射谱随入射角度的变化关系,发现改变结构参数时共振隧穿频率会劈裂成两个,且这两个隧穿模的频率间距随着中间层厚度的减小而逐渐加大.波导模是指在结构两边的半无限真空中以倏逝场形式存在的电磁模式,分析了它的存在条件即色散关系,发现这种模在材料的交界面处会出现较强的局域场.
关键词:
单负材料
共振隧穿
传播模
波导模 相似文献
38.
Ge/Si异质键合技术作为一种新型的通用材料制备工艺,在制备高质量Si基Ge薄膜方面展现出巨大的潜力,是研制高性能Ge/Si光电器件的备选方案之一。现阶段主流的直接键合和等离子体键合方法在制备Ge/Si薄膜时都容易在Ge/Si键合界面处引入纳米氧化锗层(GeO2),导致Ge/GeO2及GeO2/Si半/绝接触界面存在界面态,从而器件性能受影响。基于载流子三大输运方程、非局域隧穿模型及半经典量子解法,构建了低温Ge/Si异质键合界面,研究了键合界面的界面态密度(ISD)对Ge/Si异质结的载流子电学输运、光吸收、复合及高频响应等性能的影响。结果表明,随着ISD的增加,Ge/Si异质结的暗电流增大,同时界面态对载流子的俘获能力加强,导致总电流减小,光谱响应减弱。另外,ISD的增加导致Ge层内的电场减小,高频特性变差。为获得性能良好的键合Ge/Si异质结,ISD必须低于1×1012 cm-2。该研究结果为高质量Si基Ge薄膜及高性能Ge/Si光电器件的制备提供了理论指导。 相似文献
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科学家能制造出多长的碳纳米管呢?一般认为很难超过几微米.但中国科学院物理研究所解思深研究员率领的科研小组在上个世纪90年代便制作出了当时世界之最3毫米长的碳纳米管.现在,以美国洛斯.阿拉莫斯国家实验室朱允阗(Yuntian Zhu)为首的小组却制作出了4厘米长的碳纳米管.这一科技成果暗示在碳纳米管的制作上基本没有长度的限制. 相似文献