分子动力学研究表面缺陷对硅纳米线杨氏模量的影响

硅纳米线因受量子尺寸效应与表面效应的影响而具有奇特的力、电及其耦合特性,成为了纳米电子器件的核心构件.然而在硅纳米线的制备过程中,表面产生缺陷不可避免.因此本文采用分子动力学方法着重研究了表面缺陷浓度对不同横截面形状(正方形、六角形和三角形)的[110]晶向和[111]晶向硅纳米线杨氏模量的影响.研究结果表明,当硅纳米线仅有单一表面缺陷时,不同晶向硅纳米线的杨氏模量均随表面缺陷浓度增加而迅速单调减小.当表面缺陷浓度为10%时,杨氏模量的减小幅度在10%-20%之间,减小幅度的差异与硅纳米线的晶向以及横截面形状密切相关.当存在多个表面缺陷时,杨氏模量随着缺陷浓度的增加表现出了不同程度的波动趋势.三角形截面硅纳米线的杨氏模量波动幅度最大,正方形截面的波动较小,即表面缺陷分布的不同对正方形截面硅纳米线的杨氏模量影响较小,这表明表面缺陷的影响与其分布及硅纳米线的横截面形状密切相关.通过与实验结果对比,本文的研究结果揭示了表面缺陷是导致硅纳米线杨氏模量实验值变小的重要因素,因此在表征硅纳米线的力学性能时,需要考虑表面缺陷的影响.     

闪光照相图像缺陷消除方法

 介绍了一种检测闪光照相图像缺陷以及消除这些缺陷的方法。在闪光照相实验中,底片图像会出现一些小尺寸的缺陷影响了底片信息的精确提取。根据闪光照相实验中采用完全一样的多张底片接收的特点,提出了一种闪光照相多底片图像的缺陷消除方法。首先对这些底片图像进行精确配准,将这些图像进行简单平均以获得均值图像,利用均值图像与各底片图像的差值获得缺陷图像,然后根据缺陷图像的特点对缺陷进行分割并判断各缺陷的归属。最后根据均值图像与缺陷图像以及缺陷分割与判断结果获得修补后的底片图像。实验结果证明该方法可以有效地消除多底片图像中的各类缺陷。     

单晶YSZ的Xe+辐照损伤的电子显微分析

 不同注量200keV Xe⁺ 注入YSZ单晶样品的电子显微分析结果表明，随着辐照注量的增加，缺陷簇的密度增大，在1×10¹⁵~1×10¹⁶cm^-2Xe⁺注量，缺陷簇密度迅速增大，形成间隙型位错环；当Xe⁺注量增大到1×10¹⁷cm^-2，缺陷簇密度的增加变得缓慢，并且有直径为2～4nm的Xe气泡析出。选区电子衍射花样表明YSZ样品没有产生非晶化转变。在Xe⁺辐照的离位率高达约350dpa的情况下，YSZ晶体没有非晶化，其原因主要是由于注入的Xe⁺以气泡形式析出。     

氢键分子系统的非线性激发和质子的传导特性

我们首先介绍了氢键系统的特性和质子在此系统中的运动特点及国际上对此问题研究的进展和存在的问题。接着较全面地描述我们提出的新理论的物理学基础、模型的特征和所形成的两类缺陷和质子孤子的特性。这个模型的最大特点是存在两类不同性质的非线性相互作用 ,它们之间的竞争和平衡导致了两类不同的缺陷和相应孤子的出现 ,这两类缺陷的协同和交替运动使质子在氢键系统中从一处传递到另一处。因此 ,此模型能完整地解释质子在氢键系统中的传递 ,在此基础上我们研究了重离子作非简谐振动和系统中存在的杂质及氢离子的迁移所产生的偶极矩等效应对质子孤子的影响以及在外场存在时 ,质子运动的特点 ,求出了质子在电场作用下的迁移率和传导率、大约分别为 (6 5 - 6 .9)× 1 0 - 6(m2 /v .s)和(7.6 - 8.1 )× 1 0 - 3/(Ωm) ,它刚好处在半导体范围内 ,与实验结果基本吻合。并且我们研究了质子传递的量子力学特性和质子孤子存在的临界温度     

太赫兹无损检测的研究

无损检测技术是一种不破坏零件或材料,可直接在现场进行检测的技术,广泛应用于样件的质量评估。太赫兹波具有量子能量低,对大多数非极性物质透明,兼具频谱性和成像性等特点。作为一种新型技术,太赫兹无损检测已经成为现有无损检测技术的有力补充。文章介绍了太赫兹成像系统的工作原理,阐述了基于连续太赫兹成像的无损检测技术在实际样件测试中的应用。实验测试结果表明,一些样件利用太赫兹无损检测技术可测得其内部缺陷。     

各向异性介质缺陷单负媒质光子晶体的新型缺陷模

电负媒质和磁负媒质组成的一维光子晶体中存在一种几乎不受电磁波入射角和极化影响的零相位能隙.为了能够调节这种能隙的频率,通过在此类光子晶体中心插入一层各向异性媒介,构造出两层电负扣磁负媒质交替的一维光子晶体.采用Berreman 4×4矩阵法计算了该结构的透射谱,结果显示:调节双轴晶体主轴围绕实验坐标系z轴的旋转角度可以改变缺陷模频率的大小,并且该缺陷模的频率不随入射角度的变化而改变.该特性可以用于光波频率可调的单通道窄带滤波器的制作.     

划痕型缺陷对光场质量的影响

为了研究高功率激光系统中划痕型缺陷对光场质量的影响,采用分步傅里叶算法对非线性近轴波动方程进行求解,模拟分析了不同划痕参数(长度、宽度、深度)下,元件内部、光束近场、元件后传输光场以及光束远场的光强分布情况。数值模拟结果表明:随着划痕长度、宽度或深度的增加,元件内部以及元件后传输光场的峰值强度和对比度均会相应增强;光束近场的光强对比度也会略微增大;对于光束远场的强度分布,与划痕宽度方向所对应的频谱能量会不断增强。该项研究工作可以为划痕检验标准的制定提供一定的定量分析依据。     

GaN HEMT栅边缘电容用于缺陷的研究

本文对GaN HEMT栅漏电容的频率色散特性进行分析,认为栅边缘电容的色散是导致栅漏电容频率色散特性不同于圆肖特基二极管电容的主要原因. 通过对不同栅偏置条件下缺陷附加电容与频率关系的拟合,发现小栅压下的缺陷附加电容仅满足单能级缺陷模型,而强反向栅压下的缺陷附加电容同时满足单能级和连续能级缺陷模型. 实验中栅边缘电容的频率色散现象在钝化工艺后出现,其反映的缺陷很可能是钝化工艺引入,且位于源漏间栅金属未覆盖区域的表面. 最后通过低频噪声技术进一步验证栅边缘电容提取缺陷参数的可行性. 低频噪声技术获得的单能级 关键词： HEMT 边缘电容 缺陷 低频噪声     

基于神经网络的零件缺陷机器视觉识别系统

零件缺陷检测是保证零件使用安全的重要手段。传统的零件缺陷检测法需要有操作人员参与其中,易受主观因素影响,检测的效率及精度得不到良好的保证。而采用机器视觉技术的检测法可实现实时在线的自动检测,无需人工参与,这就极大的提高了生产效率。本文以小轴承表面为研究对象,针对微小轴承的表面结构、尺寸、检测精度和缺陷特征,设计了基于BP神经网络的零件缺陷机器视觉在线自动检测系统,其采用机器视觉技术,构建了BP神经网络检测识别模型,采用进行图像特征提取的间接识别方法,对微小轴承缺陷进行实时检测。实验结果证明了人工神经网络模型的检测能力的可靠性。     

金属Ti中He泡引起的缺陷行为

对金属Ti中He泡的长大行为进行分子动力学模拟，研究He泡周围的缺陷行为及其压力变化，分析He泡的生长机制。