双驱动x射线激光等离子体能谱特性研究

用时间积分空间分辨的平晶千电子伏谱仪测量了钽激光等离子体发射波长范围为045— 075nm的软x射线能谱，精确测量和准确辨认出类镍、类钴和类铁离子的共振线及类镍离子 的内壳层跃迁线-对实验结果处理，获得了辐射线谱的强度-通过谱线比率的诊断推断脉冲激 光时差对等离子体状态的影响，至少也可部分解释激光上能级的粒子数及等离子体的 电离程度- 关键词： 离子谱特性 软x线能谱强度 谱线辨认     

SO^-（^2B1）离子的结构与势能函数

用二次组态相互作用方法，在6-311G(d)基组水平上对SO2^-离子进行了理论计算，得到了它的结构、能量、谐振频率和力学性质，其结果与实验值符合得非常好．在此计算的基础上，应用多体展式理论方法推导出SO2^-离子的解析势能函数，该函数正确反映了SO2^-离子的结构特征和能量变化．     

2-碘-N-甲基苯磺酰胺的合成新方法和分子结构

选用新方法合成了2-碘—N-甲基苯磺酰胺，通过^1H NMR,^13C NMR,^13C DEPT NMR(Distortionless Enhancement by Polarization Transfer NMR)和MS确证的其结构。     

PV型HgCdTe光电探测器中的混沌及其诊断

 对激光辐照半导体光电探测器的实验研究，发现当一束不太强的稳定连续波激光照射在PV型HgCdTe光电探测器上时，可以引起探测器出现混沌行为。利用光电探测器的光电压信号随时间变化的实验数据，通过求功率谱、计算Lyapunov指数对混沌进行了诊断。     

短脉冲强激光在稀薄等离子体中传播时的电磁类孤立子

 采用二维粒子模拟方法，研究了短脉冲强激光在稀薄等离子体中传播时电磁类孤立子的产生和时空演化过程。通过分析电磁场与等离子体波的非线性能量交换和激光场的频率谱结构等，给出了电磁类孤立子形成的基本物理图像，讨论了等离子体参数对电磁类孤立子形成的影响。模拟结果表明：类孤立子的形成是由于局部电磁波振荡频率减小至等离子体频率引起的，初始等离子体密度越高越容易形成空间局域结构。     

F-H实验仪与光栅光谱仪连用观测253.7nm谱线

通过F-H实验仪和光栅光谱仪的连用，可实时观测汞原子从6s6s1So态激发到6s6sSP1态，退激时，辐射出能量为4．9eV的光量子，其波长为253．7nm．     

稀磁半导体Zn1-xMnxTe吸收光谱压力红移的理论研究

以自由Mn²⁺离子的径向波函数为基础,通过引入电子云延伸效应系数κ来修正这一径向波函数,得到了稀磁半导体Zn_1-xMn_xTe晶体中Mn²⁺离子的径向波函数.以此波函数为基础,研究了Zn1-xMnxTe晶体吸收光谱的高压谱移特性,并且得到了吸收谱中四条谱线随压力的红移规律.     

怀念核物理学家虞福春教授

回顾了虞福春教授一生的业绩，他是一位杰出的实验物理学家，1950年，他最早发现核磁共振谱线的化学位移，为核磁共振技术在化学领域的应用打开了大门，他测定了许多原子核的自旋和磁矩，为检验核壳结构模型作出了重要贡献，他又是一位优秀的教育家，培养了一大批物理人才，他的教学思想已经影响了几代学生。     

氯柱硼镁石在氯化镁水溶液中相转化平衡液相的红外光谱分析

采用差示FTIR光谱技术,研究了氯柱硼镁石在30℃下浓度为0.5,12和18％MgCl_2水溶液中溶解及相转化平衡饱和水溶液中硼氧配阴离子的FTIR光谱。给出了溶液中硼氧配阴离子的FTIR光谱振动频率的归属,515cm~(-1)为单和二硼氧配阴离子特征峰,630cm~(-1)为三硼氧配阴离子特征峰,550cm~(-1)为四硼氧配阴离子特征峰。对饱和水溶液中硼氧配阴离子的存在形式及其相互作用以及与相转化析出固相的关系进行了讨论。     

Silane photoabsorption spectra mear the Si 2p thresholds：the geometry of Si 2p excited SiH4

Based on the multiple-scattering self-consistent-field method, we have studied the photoabsorption spectra near the Si 2p thresholds of silane. According to our calculations, the clear assignments of the inner-shell photoabsorption spectra are provided. In comparison with the high-resolution experimental spectra, the geometric structure of the Si 2p-excited SiH_{4}^{**} is recommended to be of a C_{2v} symmetry. More specifically, the Si 2p-excited SiH_{4}^{**} have two bond lengths of 2.50 a.u. and another two bond lengths of 2.77 a.u., and the corresponding two bond angles are 104.0° and 112.5° respectively.