全文获取类型
收费全文 | 674篇 |
免费 | 488篇 |
国内免费 | 418篇 |
专业分类
化学 | 631篇 |
晶体学 | 16篇 |
力学 | 87篇 |
综合类 | 34篇 |
数学 | 57篇 |
物理学 | 755篇 |
出版年
2024年 | 7篇 |
2023年 | 18篇 |
2022年 | 30篇 |
2021年 | 30篇 |
2020年 | 27篇 |
2019年 | 32篇 |
2018年 | 30篇 |
2017年 | 32篇 |
2016年 | 46篇 |
2015年 | 51篇 |
2014年 | 84篇 |
2013年 | 78篇 |
2012年 | 79篇 |
2011年 | 82篇 |
2010年 | 84篇 |
2009年 | 91篇 |
2008年 | 108篇 |
2007年 | 85篇 |
2006年 | 62篇 |
2005年 | 67篇 |
2004年 | 67篇 |
2003年 | 59篇 |
2002年 | 62篇 |
2001年 | 47篇 |
2000年 | 29篇 |
1999年 | 22篇 |
1998年 | 17篇 |
1997年 | 22篇 |
1996年 | 21篇 |
1995年 | 28篇 |
1994年 | 11篇 |
1993年 | 17篇 |
1992年 | 13篇 |
1991年 | 9篇 |
1990年 | 8篇 |
1989年 | 8篇 |
1988年 | 5篇 |
1987年 | 4篇 |
1986年 | 1篇 |
1984年 | 1篇 |
1983年 | 2篇 |
1982年 | 3篇 |
1975年 | 1篇 |
排序方式: 共有1580条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
利用溶胶-凝胶方法合成了Ce0.8Pr0.2O2-δ固溶体, XRD结果表明,经200 ℃焙烧就已经形成立方萤石结构固溶体,晶粒尺寸为8.1 nm, 随焙烧温度的升高,晶粒尺寸增大. X射线光电子能谱(XPS)结果表明,样品中存在氧离子缺位,铈离子主要为Ce4 离子,镨离子以混合价态Pr3 和Pr4 存在. 固溶体Ce0.8Pr0.2O2-δ的拉曼谱(Raman)观察到4个峰,458和1140 cm-1峰为特征F2g振动谱带,较宽的570和187 cm-1峰对应氧离子缺位及引起的不对称振动. 交流阻抗谱表明固溶体Ce0.8Pr0.2O2-δ在600 ℃时的电导率为1.44×10-3 S·cm-1, 活化能为Ea=0.67 eV (650~800 ℃), Ea=0.91 eV (400~600 ℃). 相似文献
62.
63.
压电陶瓷具有正、逆压电效应,可以用作自驱动传感器.该文对表面粘贴有单片压电陶瓷的压电智能钢梁进行了阻抗分析.讨论了单压电片驱动下钢粱的纵向振动和弯曲振动,得到了压电智能梁的机械阻抗.介绍了压电片与基梁的机电耦合作用及基于压电阻抗技术的结构损伤识别机理.以两端自由钢梁为例对压电智能梁的压电阻抗进行了数值与实验验证,结果表明数值计算结果与实验结果基本相符.利用压电阻抗技术对两端自由的裂纹钢梁进行了损伤识别实验研究,实验结果发现,裂纹的出现引起高频段压电阻抗实部和虚部曲线出现了明显的变化;随着裂纹尺寸的增大,曲线谐振频率和反谐振频率逐渐减小.由此可见,通过测量钢梁损伤前后压电陶瓷片的电阻抗变化能够识别梁中的裂纹损伤. 相似文献
64.
电阻抗成像是一类椭圆方程反问题,本文在三维区域上对其进行数值模拟和分析.对于椭圆方程Neumann边值正问题,本文提出了四面体单元上的一类对称体积元格式,并证明了格式的半正定性及解的存在性;引入单元形状矩阵的概念,简化了系数矩阵的计算;提出了对电阻率进行拼接逼近的方法来降低反问题求解规模,使之与正问题的求解规模相匹配;导出了误差泛函的Jacobi矩阵的计算公式,利用体积元格式的对称性和特殊的电流基向量,将每次迭代中需要求解的正问题的个数降到最低.一系列数值实验的结果验证了数学模型的可靠性和算法的可行性.本文所提出的这些方法,已成功应用于三维电阻抗成像的实际数值模拟. 相似文献
65.
66.
从连续介质力学理论看,当材料发生屈服后处于上屈服面,对处于上屈服面的材料进行再加载,将沿着上屈服面,依然发生塑性流动,不可能存在弹性响应。Asay则认为冲击压缩后的材料并非处于上屈服面,由此对处于冲击压缩态的材料进行卸载或再加载,可以观测到弹-塑性转变。国内部分人认为,实验观测到的弹性响应可能是LiF窗口(其冲击阻抗低于Al或其他高阻抗样品的冲击阻抗)反射的稀疏波所致。为了澄清对上述问题的观点,通过低阻抗样品的冲击实验,在消除冲击波在样品/窗口界面反射的稀疏波干扰的情况下, 相似文献
67.
Periodic arrays of negative capacitance shunted piezoelectric patches are employed to control the band gaps of phononic beams. The location and the extent of induced band gap depend on the mismatch in impedance generated by each patch. The total impedance mismatch is determined by the added mass and stiffness of each patch as well as the shunting electrical impedance. Therefore, the band gap of the shunted phononic beam can be actively tuned by appropriately selecting the value of negative capacitance. The control of the band gap of phononic beam with negative capacitive shunt is demonstrated numerically by employing transfer matrix method. The result reveals that using negative capacitive shunt to tune the band gap is effective. 相似文献
68.
69.
70.
采用传统的固相反应法,在1400–1500 ℃下烧结,制备得到Al2O3-Y2O3-ZrO2三相复合陶瓷.样品的结构、形貌和电性能分别用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及介电谱表征.XRD表明此三相复合体系无其他杂相,加入Y2O3及ZrO2后使得Al2O3成瓷温度降低;SEM表明此体系晶粒直径为200–500 nm,并且样品随烧结温度的升高而变得更加致密,晶界更加清晰;介电损耗谱中出现峰值弛豫现象,根据Cole-Cole复阻抗谱得出其为非德拜弛豫.
关键词:
2O3-Y2O3-ZrO2三相陶瓷')" href="#">Al2O3-Y2O3-ZrO2三相陶瓷
介电弛豫
阻抗谱
热导率 相似文献