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81.
详细介绍用等效折射率概念设计短波通滤光片的原理和计算方法。根据原理和方法,选择二氧化钛(TiO2)作为高折射率材料、二氧化硅(SiO2)作为低折射率材料。首先从理论上计算出用这2种材料设计的波长λ=950~1150nm的短波通滤光片所需要的周期数,然后给出短波通滤光片的主膜系和光谱曲线。由于据此周期数设计出的膜系光谱曲线在750~810nm处的透过率不符合要求,因此对该膜系进行了改进。依照改进的设计进行多次制备,最终制备出了符合要求的短波通滤光片,找到了最佳制备工艺和方法。最后,对制备出来的短波通滤光片薄膜进行了各种环境实验。实验结果表明,膜层的各项指标符合设计要求。 相似文献
82.
对短程飞行时间法(tim e-of-flight,TOF)中推算冷原子温度的理论拟合公式与近似拟合公式进行了误差分析与比较。研究表明:对于使用短程飞行吸收光谱信号推测冷原子团温度,当探测光光斑半径与冷原子团高斯半径之比k小于0.2时,理论拟合公式和近似拟合公式能很好的相符,随着探测光光斑半径与冷原子团高斯半径比值的逐渐增大,用近似拟合公式所得TOF吸收信号与用理论拟合公式所得TOF吸收信号的误差也将逐渐增大,当比值为0.5时,用近似拟合公式所得TOF吸收信号的误差将增大到20%。 相似文献
83.
在这篇短文里,我们要证明定理设p是一个奇素数.以h表实二次域Q(p~(1/2)的类数,而以表Q(p~(1/2))的基本单位,共中t,u是有理整数,Q是有理数域.则我们有同余式 相似文献
84.
85.
关于Ramsey数下界的部分结果 总被引:3,自引:1,他引:2
刘富贵 《数学的实践与认识》2002,32(1):97-99
本文得到 Ramsey数下界的一个计算公式 :R( l,s+ t-2 )≥ R( l,s) + R( l,t) -1 ,(式中 l、s、t≥ 3) .用此公式算得的 Ramsey数的下界比用其它公式算得的下界好 . 相似文献
86.
87.
采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术,得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱,加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA),输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃,1.74μm激光器的特征温度T0=57K,和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当.
关键词:
MOCVD
InGaAs/InGaAsP
应变量子阱
分布反馈激光器 相似文献
88.
结合声表面波和光致发光谱在低温(15K)下对非故意掺杂的GaAs(110)量子阱结构的发光特性进行了研究.实验结果表明,由于声表面波的作用GaAs(110)量子阱的发光强度减弱,并且其对应的重空穴能级出现了分裂的现象,当施加的声波强度Prf达到20dBm时,能级分裂ΔE达到了10meV.进一步讨论了声表面波对GaAs(110)量子阱圆偏振光自旋注入的影响.
关键词:
发光
GaAs量子阱
声表面波
自旋极化 相似文献
89.
研究了频率随时间变化的压缩态光场与二能级原子的相互作用,主要讨论了光场频率随时间作正弦调制和脉冲调制两种典型情况下,原子布居数反转随时间的演化特性。当光场频率随时间作正弦调制时,不仅光场频率调制,而且压缩态的压缩系数和压缩相位均对原子布居数反转的崩塌—回复过程有影响。当光场频率随时间作脉冲调制时,在原子布居数反转随时间演化过程中诱导出新的崩塌—回复过程,尤其在脉冲出现的区间内,原子布居数反转表现出持续的小幅快速振荡,这与压缩态的压缩系数无关。 相似文献
90.