二维铁电材料α-In2Se3 表面分子束外延生长Pb 纳米岛的STM 研究

铁电材料拥有自发电极化, 不同的极化方向会对异质结的电子结构产生可逆的和非易失性的影响. 本工作采用分子束外延技术在二维铁电材料α-In2Se3 衬底上成功制备了 Pb 纳米岛构建 Pb/α-In2Se3 超导铁电异质结,并通过扫描隧道显微镜表征了其表面原子结构与电子结构. 进一步的扫描隧道谱测量显示不同层厚 Pb 岛的量子阱态消失, 并且我们在4.5 K 的温度下没有观察到超导能隙, 表明铁电衬底会影响 Pb 岛的电子结构, 甚至其超导特性. 这些发现为理解铁电衬底对超导性的影响提供了参考, 并为调控低维量子材料中的电子结构及超导性提供了新的思路.     

量子阱中的束缚极化子的路径积分变分研究

利用Feynman路径积分变分方法，推导了整个电声子耦合区域的量子阱中束缚极化子的基态能。对其数值结果研究表明：当量子阱的约束势达到一定值，极化子的基态能修正－△E随电声子耦合常数α的增加激剧增大，约束势导致有效电声子耦合从无约束势时的弱耦合向居间耦合或强耦合渡越。更重要的是，我们发现存在一个量子阱的临界有效宽度lz0,当lZ小于临界值时，－△E随lz变小很快增大；当lz大于临界值时，随lz变大，－△E几乎不变。     

宽量程测色仪器的光电转换特性

从颜色测量原理出发,讨论了光电积分式测色仪器的光电转换特性以及采取的各种处理:(1)滤色片一探测器的匹配;(2)测量量程的实现;(3)放大及修正电路的设计;(4)内部接收器的灵敏度校准。最后,对系统精度进行了分析。     

4度循环图的不交路及k-宽直径

研究了4度循环图,构造出其任意两点之间的四条内部点不交路,并且给出其宽直径的一个较好的上界。     

LP－MOCVD生长InGaAs／InP应变量子阱的研究

本文研究了ＬＰ－ＭＯＣＶＤ对不同ｘ值的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓ／ＩｎＰ生长条件，并且生长了压缩应变为０．５％三个不同阱宽的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱结构，利用７７ＫＰＬ光谱分析了能级同阱宽的关系，实现最窄阱宽为４．４ｎｍ，最小全半高峰宽为１７．０ｍｅｖ。     

矩形截面多量子阱脊形波导模式特性

本文根据多量子阱双折射率的性质,运用有效折射率法分析了矩形截面多量子阱脊形波导E_mn^x模和模E_mn^y的模式特性。     

GaAs/GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件

采用分子束外延技术生长含有大周期数的GaAs/GaAlAs多量子阶(MQW)及分布布喇格反射器(DBR)的PIN结构器件。研究了量子限制斯塔克效应(QCSE),分布布喇格反射及非对称腔模(ASFP)效应对光的反射调制作用及这三种效应的兼容性对光调制及逻辑器件的重要影响。给出我们研制的反射型光调制器及自电光效应器件的实验结果。对于常通型及常闭型调制器,其两态衬比度可达10dB.所研制的SEED器件,其导通光能耗低于10fJ/(μm)²,实现其光学双稳态及R-S光触发器工作。     

Si1-xCex/Si量子阱发光材料制备及特性研究

在si(100)衬底上用分子束外延成功生长了Si_(1-x)Ge_x/si量子阱发光材料,发现在生长过程中背景杂质含量直接影响材料的发光特性,用光致发光(PL)和卢瑟福背散射(RBS)对样品质量进行标定。在PL测量中观察到合金量子阱带边激子分辨峰,并对发光峰能和峰宽作了讨论。 关键词：     

一类新的求解P_*(κ)阵线性互补问题的多项式内点算法

利用核函数及其性质,对P_*(k)阵线性互补问题提出了一种新的宽邻域不可行内点算法.对核函数作了一些适当的改进,所以是不同于Peng等人介绍的自正则障碍函数.最后证明了算法具有近似O((1+2k)n3/4log(nμ~0)/ε)多项式复杂性,是优于传统的基于对数障碍函数求解宽邻域内点算法的复杂性.     

HM-J16双光子电子直线加速器

简要叙述了HM-J16加速器的设计思想和设计特点。设计了一台采用射频功率反馈的射线能量范围为6～16MeV的双光子电子直线加速器。其最大辐射野为40cm×40cm,双光子剂量率均大于360cGy/(min×m)。