分子束外延生长AlGaAs/GaAs GRIN-SCH SQW激光器中高温陷阱的研究

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的AlGaAs/GaAs graded index separate confinement heterostructure single well(GRIN-SCH SQW)激光器的高温陷阱。样品的DLTS表明,在激光器的n-AlGaAs层里存在着高温(空穴、电子)陷阱,它直接影响着激光器的性能。高温空穴陷阱可能分布在x_Al =0.2→0.43和x_Al=0.43的n-AlGaAs层界面附近,而高温电子陷阱则可能分布在x_Al=0.43的n-AlGaAs层里x_Al值不连续的界面附近。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的O有关。 关键词：     

11-钨钴合镓酸及其稀土盐的合成与性质

以离子交换法首次制得固体的11-钨钴合镓酸。用复分解法制备了未见文献报道的LnH_4[Ga(H_2O)CoW_(11)O_(39)]·xH_2O(Ln=La~(3 )、Pr~(3 )、Nd~(3 )、Sm~(3 )),研究了其红外、紫外、X射线粉末衍射谱及差热性质。合成产物的热稳定性较具有Keggin结构的饱和CoW_(12)O_(40)的高。     

Temperature－Induced Switching－Over of the Luminescence Transitions in GaInNAs／GaAs Quantum Wells

Photoluminescence (PL) spectra of the GaInNAs/GaAs single quantum well (SQW) with different N compositions are carefully studied in a range of temperatures and excitation power densities. The anomalous S-shape temperature dependence of the PL peak is analysed based on the competition and switching-over between the peaks related to N-induced localized states and the peak related to interband excitonic recombination. It is found that with increasing N composition, the localized energy increases and the turning point of the S-shape temperature dependence occurs at higher temperature, where the localized carriers in the handrail states obtain enough thermal activation energy to be dissociated and delocalized. The rapid thermal annealing (RTA)effectively reduces the localized energy and causes a decrease of the switching-over temperature.     

镓(Ⅲ)-芦丁极谱络合吸附波的研究

在(CH_2)_6N_4-HCl缓冲底液中,获得了Ga(Ⅲ)-芦丁的络合物吸附催化前波,检出限达1.0×10~(-3)mol/L。用其测定了以SiO_2、Al_2O_3为基体的催化剂中的镓.研究了其电极过程机理。     

优质GaAs/Si和AlGaAs/Si材料的MOCVD生长研究

用自制常压MOCVD装置,在Si衬底上生长GaAs和AlGaAs外延层,在高温去除Si衬底表面氧化膜之后,采用两步法,即低温生长过渡层,再提高温度生长外延层。得到了表面镜面光亮的优质GaAs和AlGaAs外延层。X射线双晶衍射仪测试GaAs外延层,其回摆曲线半峰宽是200孤秒,GaAs和AlGaAs外延层在77K温度下,PL谱半峰宽分别是17meV和24meV。     

镓铝双质掺杂提高晶闸管性能的机理研究

依据Ga,A1在Si和SiO2中的扩散行为和特性,采用SiO2/Si系统,利用磁控装置精确控制Ga掺杂量,实现镓铝双质掺杂在同一扩散炉中经一次高温连续完成.该项掺杂技术能实现Si中的高均匀掺杂,扩散参数具有良好的重复性和一致性,可获得较理想的杂质浓度分布.Ga,Al与Si的共价半径相接近,高温后又采取缓慢降温等措施,能明显减少晶格缺陷,提高少子寿命,降低压降.研究了受主双质掺杂与晶闸管参数之间的关系,并对镓铝双质掺杂提高晶闸管性能的机理进行了深入的分析与讨论.研究表明,镓铝双质受主掺杂有利于提高晶闸管的耐压水平和浪涌能力,能明显改善电流特性、触发特性和动态特性,优于其他受主掺杂技术.     

石墨炉原子吸收光谱法测定地质样品中微量镓

用硝酸、硫酸、氢氟酸分解处理样品,4%(V/V)硝酸提取,以硫酸铵(1%)+(0.5mg/mL)钒作为基体改进剂,塞曼效应扣除背景,石墨炉原子吸收光谱测定。该方法快速简便,相对标准偏差(RSD)为2.1%—2.9%,回收率在98.0%—106.0%之间。     

铝土矿中微量镓的分析方法进展

综述了近几年国内铝土矿中镓分析方法的研究进展,叙述了用于微量镓分析测定的光度法、伏安法、原子吸收光谱法、电感耦合等离子体-原子发射光谱法、电感耦合等离子体-质谱法、X射线荧光光谱法等分析方法,对方法的优缺点进行了评述,并对今后微量镓分析测定方法进行了展望.