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41.
以MCl2和配体L(L=1,10-菲罗啉-5,6-二酮)为原料,合成了标题配合物MLCl2,M=NiⅡ,CuⅡ,ZnⅡ,并经元素分析、热谱、IR和摩尔电导表征.三者均为四配位的电中性配合物,热稳定性高于500K,易溶于DMF、DMSO和吡啶,可溶于乙腈和水.它们在DMF中于350nm和315nm附近显示出强的M-L荷移跃迁 相似文献
42.
常压催化加氢合成邻氨基苯酚的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用硅溶胶改性的漆原镍催化剂,在常压液相催化条件下,氢化邻硝基苯酚制备邻氨基苯酚的反应过程,可分为诱导期、恒速吸氢阶段、吸氢衰减期3个反应阶段.恒速吸氢阶段的吸氢速率为5×102mol/(kg·min)且与体系的温度无关,诱导期随温度的增加而变短,吸氢衰减期的长短随溶剂量的变化而变化.实验结果表明,邻氨基苯酚的收率在95%左右. 相似文献
43.
Effect of Substrates on CuInSe2 Nanoparticle Thin Films by Radio Frequency Reactive Sputtering 下载免费PDF全文
CuInSe2(CIS) nanoparticle thin films have been prepared by radio frequency reactive magnetron sputtering from compound ternary fan-shaped targets on low-temperature substrates with pure argon gas as the atmosphere.The stoichiometry of the ternary compound semiconductor quantum dots can easily be controlled by the ratios of the ternary elements and sputtering parameters.CIS nanoparticle thin films regularly shaped and distributed reasonably uniform in size on substrates of 7059 glass etc can be grown in this way.The average particle diameter can be varied between 40-80 nm by an appropriate choice of the substrate temperature,power density and total CIS coverage.the optical and electrical properties of the CIS films have also been studied. 相似文献
44.
We report a new approach for the self-assembly of cuboid micro-parts onto Si substrates to construct three-dimensional microstructures. To perform assembly, the Si substrates are prepared with a deep cavity array as binding sites. An aggregate composed of hundreds of uniformly aligned micro-parts is formed at the C10F18-H2O interface. The micro-parts are arranged by passing the substrate through the aggregate of micro-parts, thus the micro-parts are left on the substrate, and then the substrate is vibrated ultrasonically in the solution, making it possible for the micro-parts to fall into the cavities on the substrate. Finally the substrate is pulled out of the solution after assembly. This technique could give a high yield of up to 70%, providing a new method for micro-assembly. 相似文献
45.
Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si (111) Substrates using a GaN Intermedial Layer 下载免费PDF全文
GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si(111) substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional (3D) mode to the 2I) one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer. 相似文献
47.
提出了单层光学薄膜中薄膜与衬底反射光之间的双重干涉效应的理论,实验结果证实了理论分析的正确性。双重干涉效应使薄膜-衬底体系的热致反射调制度高达80%,这一效应可望有极广泛的应用 相似文献
48.
葡辛胺的催化加氢合成工艺的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
系统地研究了以Raney镍为催化剂同呼正辛胺形成Schiff碱后催化加氢合成葡辛胺的反应,通过对反应条件的优化,特别是通过向反应体系中加入催化剂量的三乙胺,改善了催化剂的性能,降低了催化剂的用量,有效地抑制了副反应的发生,缩短了反应时间,反应产率达到70%以上,并对失活的Raney镍催化剂的再生进行了初步试探。 相似文献
49.
50.