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91.
92.
新型杂多配合物K3H2[GeW8Mo3VO40]·4H2O的合成与晶体结构 总被引:1,自引:0,他引:1
用分步酸化、分步加料法合成出新型杂多配合物K3H2[GeW8Mo3VO40]·4H2O,并用X射线单晶衍射法测定其晶体结构,该晶体属单斜晶系,C2空间群,a=1.894 4(4)nm,b=3.292 0(7)nm,c=1.249 4(2)nm,β=90.25(3)°,V=7.792(4)nm3,Z=6.最终偏差因子R=0.063.RW=0.067. 相似文献
93.
锗在国防工业、航空航天和通信等领域中的战略性,锗含量的测定对于保证材料质量和满足国际标准至关重要。本文综述了锗含量测定方法的多种技术,包括分光光度法、原子荧光光谱法、原子吸收光谱法、电感耦合等离子体原子发射光谱法、电感耦合等离子体质谱法以及滴定法。在每个检测方法的介绍中,详细探讨了方法的原理、前处理步骤以及应用范围,并分别总结了各个方法的优势和不足。最后,强调了锗含量测定方法的意义,特别是在满足出口监管和促进科学研究方面的作用。同时对锗元素的测定方法进行了展望,为未来的发展提供了参考方向。 相似文献
94.
研究了阳离子表面活性剂溴化十六烷基三甲铵(CTMAB)存在下3'-甲氧基-4'羟基苯基荧光酮(MHPF)与Ge(Ⅳ)的显色反应.在HCl介质中,CTMAB的存在对MHPF与Ge(Ⅳ)的显色反应有显著的增敏作用,Ge(Ⅳ)与MHPF形成稳定的1:2红色配合物.配合物最大吸收波长位于505 nm,表观摩尔吸光系数为1.72×105L·mol-1·cm-1.锗量在0~0.48 mg/L范围符合比耳定律.方法已用于铅锌矿渣中微量锗的测定. 相似文献
95.
96.
转移基板材质对Si衬底GaN基LED芯片性能的影响 总被引:7,自引:4,他引:3
在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片。研究了这两种基板GaN基LED芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大量尺寸为(300μm×300μm)的这两种芯片分别通高达1 A的大电流在测试台上加速老化1 h。结果显示,铜基板Si衬底GaN基LED芯片有更大的饱和电流,光输出效率更高,工作电压随驱动电流的变化不大,光输出在老化过程中衰减更小。铜基板芯片比硅基板芯片可靠性更高,在大功率半导体照明器件中前景诱人。 相似文献
97.
合成了七(2,3-二-O-乙酰基-6-O-叔丁基二甲基硅烷基)-β-环糊精,并采用静态法成功地将其涂渍到弹性石英毛细管柱上。研究了其气相色谱分离性能,发现此固定相涂渍性好,柱效较高,热稳定性好,对卤代芳烃异构体以及难分离的二取代苯的位置异构体具有良好的分离能力。 相似文献
98.
作为一种洁净能源,硅锗合金的热电转换性能的研究越来越受到人们的重视.本文重点研究了不同Ge浓度的硅锗合金以及Si、Ge单晶在300~1100K温度范围内,Seebeck系数随温度的变化.并对组分相同导电类型不同、晶向不同以及结晶状态不同的样品的Seebeck系数进行了比较.在研究温度区间,Seebeck系数的绝对值大小一般在200~600μV/K之间,随温度不同连续变化.通过对比发现SiGe合金的Seebeck系数大小不仅与Ge的浓度和温度有关,其他因素对其绝对值也有影响,其中晶向最为明显,表现出了明显的各向异性.此外,材料本身的电阻率除了作为一个热电参数影响最优值外,其大小还对Seebeck系数的绝对值有影响,即掺杂济浓度对Seebeck系数的影响. 相似文献
99.
在激光通信、激光制导和交会对接的过程中,为了实现对远距离目标的捕获和跟踪,提出了一种基于单元探测器的激光跟踪技术,该技术以单元探测器测量距离信息,通过快反镜使光束螺旋扫描视场,并反馈角度信息,由此得到三维图像。信号处理端通过处理三维图像可以获取目标相对视场中心的脱靶量,控制端根据脱靶量驱动快反镜偏转,使目标一直处于扫描视场中,从而实现目标跟踪。该技术的优点是能将单元探测器引入到捕获跟踪领域中,不再需要使用阵列探测器定位回波光斑的中心,所以回波能量密度更高,有利于实现远距离的激光跟踪,特别是能够结合单光子探测器来极大地提高跟踪距离。使用该方法进行了仿真实验,并在室内使对3.75 m处的目标进行了捕获跟踪实验。实验结果表明,仿真与实验结果具有很高的一致性,其中对角速度为9.07 mrad/s目标的捕获概率达到了72.5%。 相似文献
100.
碘、氟、硅与人体健康的关系 总被引:2,自引:1,他引:1
碘、氟、硅是人体必需微量元素,它们的摄入量对人体健康起着重要作用。对碘、氟、硅的缺乏与疾病之间的关系进行了讨论,并对其治疗和防治方法作了介绍。 相似文献