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981.
Effect of Anti-Diffusion Oxide Layer on Enhanced Thermal Stability of Magnetic Tunnel Junctions
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Magnetic tunnel junctions (MTJs) with one proper oxidized FeOx layer placed between the Al oxide barrier and the top CoFe pinned layer show large tunnelling-magnetoresistance (TMR) signals as high as 39% after anneal at 380℃. The increased TMR signal may originate from the as-deposited Fe/FeOx (non-magnetic) layers changing to Fe+magnetic FeOy layer (some Fe3O4 and mostly other kind of magnetic Fe oxide) after high temperature anneal. The maximum TMR value (TMR ) and the corresponding temperature Ts where the TMRmax occurs upon annealing are closely associated with the oxidation time of the AlOx and FeOx layers, too long oxidation for the Fe layers is detrimental for the TMR value. In addition to the enhanced AlOx barrier quality upon anneal, the improved thermal stability is also attributed to the Mn diffusion retardation by the presence of the FeOx layer which acts as an antidiffusion layer. For MTJs without the interposed FeOx layer, the TMR signal reduction at 300℃ originates from the Mnlr/CoFe partially decoupling and CoFe/AlOx interface polarization loss due to the significant Mn diffusion. 相似文献
982.
983.
984.
在探索高Tc超导材料的过程中,人们采用替换元素的方法,试图寻找新体系的高温超导体。例如用钇取代La-Ba-Cu-O体系中的镧,结果使新体系的Tc(ρ=0)由原体系的30K提高到90K;在Y-Ba-Cu-O体系中掺入适量的氯后,观察到155K的超导电性。在此,我们对Gd-Ba-Cu-O体系掺氯后的物相变化情况,用X射线粉末衍射和电 相似文献
985.
利用固相反应法制备了名义成分为Ca(Mn2Cu1)Mn4O12的类钙钛矿锰氧化物.x射线衍射表明,为了获得较为致密的样品和减小杂相含量,可以采用高温烧结再在1073K长时间空气中退火的制备方法.样品在低温下同时存在铁磁相和反铁磁相,由于反铁磁相的存在导致样品在4.5K时的磁化强度显著降低,并在8T的高磁场下仍未达到饱和.样品呈半导体导电性质,在85K和6T磁场下磁电阻比的最大值可达-46%.
关键词:
[AC3](B4)O12类钙钛矿锰氧化物
庞磁电阻效应
铁磁性
反铁磁性 相似文献
986.
987.
989.
在厚度为25—400nm范围内,系统地研究了 (001)SrTiO_3(STO), (001)LaAlO_3(LAO)衬底上La_0.67Ca_0.33Mn_O.3 (LCMO)薄膜的电输运与居里温度T_C随薄膜厚度及衬底的变化. 结果表明,随薄膜变薄,电阻率ρ增加,T_C降低. 对于同一薄膜厚度,LCMO/STO薄膜的ρ大于LCMO/LAO基上的薄膜的ρ. T_C衬底的依赖关系则与ρ相反. 分析表明,LCMO薄膜的低温区电阻温度(ρ-T) 符合关系式ρ=ρ_0+Bω_s/sin h^2(ω_s/2/k_BT)+CT^n, 其中ρ_0为剩余电阻;等号右端第二项反映软光学模声子对电子散射的贡献;第三项包括其余可能散射机 理在电输运过程中所起的作用;B,ωs(软光学模声子的平均频率)与C都为拟合系数. 高温区的电输运则由小极化子跃迁模型ρ=DT×exp(E_a/k_BT)描述(E_a为极化子激 发能). 根据ρ_0,ωs,E_a以及T_C变化,初步讨论了薄膜中的厚度与应变效应. 进一步 研究发现ωs,E_a的变化与T_C相关,从而说明极化子效应为影响T_C变化的主要因素.
关键词:
锰氧化物薄膜
电输运
居里温度
极化子 相似文献
990.
Sr3Ga2Ge4O14晶体中Cr^3+和Cr^4+吸收光谱特性 总被引:1,自引:0,他引:1
采用提拉法生长了掺Cr的Sr3Ga2Ge4O14低温石榴石结构型单晶,测量了它的吸收光谱及其偏振特性,系统描述了该晶体在可见和近红外波段各级收带的特征,指出Cr在此晶体晶格中主要存在两种介态Cr^3+和Cr^4+,Cr^4+在近红外的吸收将影响到Cr^3+的发光。 相似文献