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31.
新试剂7—(2,4,6—三羟基苯偶氮)—8—羟基喹啉—5—磺酸光度法同时测定微量锆和 总被引:3,自引:2,他引:3
本研究了新试剂7-(2,4,6-三羟基苯偶氮)-8-羟基喹啉-5-磺酸与锆、铪的显色反应。酸性条件下锆、铪均可形成M-THBAQS-CTMAB三元络合物,ε^Zr515nm=3.27×10^4,ε^Hf515nm=3.8×10^4,适量H2O2使锆络合物吸光度显降低,据此实际了锆铬的同时测定。 相似文献
32.
33.
利用基于进化算法的晶体结构预测软件USPEX,并结合第一性原理方法对HfB的稳定晶体结构进行全局搜索。在基态条件下,新发现2个HfB晶体结构(空间群:P6m2和R3m)。其中,P6m2结构比已报道的Hf B晶体结构(空间群:Pnma、Cmcm、I41/amd和Fm3m)具有最低的基态能量。这些结构中,B原子分别以二维类石墨烯(P6m2和R3m结构),zig-zag链(Pnma、Cmcm和41/amd结构)和孤立原子(Fm3m结构)3种形式存在,从而导致它们具有显著的化学键合特征、高温稳定性和强韧特性差异。 相似文献
34.
新试剂7-(2,4,6-三羟基苯偶氮)-8-羟基喹啉-5-磺酸光度法同时测定微量锆和铪 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了新试剂7-(2,4,6-三羟基苯偶氮)-8-羟基喹啉-5-磺酸(THBAQS)与锆、铪的显色反应.酸性条件下锆、铪均可形成 M-THBAQS-CTMAB三元络合物,ε_(315nm)~(Zr)=3. 27×10~4,ε_(515nm)~(HI)=3.8×10~4,适量H_2O_2使锆络合物吸光度显著降低,据此实现了锆铪的同时测定.本法简便快速、适用范围为0~30μgZr/25 mL,0~25μg Hf/25 mL,且X_(Zr)+X_(Hf)<35μg/25 mL. 相似文献
35.
36.
Electron-induced Hf-, W-L-shell partial, total production cross sections, mean ionization cross sections and Hf-L_3-shell ionization cross sections (at two energies) have been measured as functions of electron energies (from near threshold to 36keV). The influence of electrons reflected from the backing of the thin targets on measured results was corrected using a model to relate to the electron transport process. The mean paths of electron multi-scattered in the target itself (including forward and backward scattering) were calculated by means of Monte Carlo program (EGS4) and they were used to correct measured results. A comparison with both theoretical predictions was given. 相似文献
37.
研究了用碳粉和二氧化钛作缓冲剂同时测定乳浊料中的锆和铪的发射光谱法,选择钛作内标线,不需分离、不需化学处理,直接压样于杯形的石墨电极中,具有简便、快速、准确的特点。对测定条件、干扰因素进行了研究,从而建立测定锆和铪的新方法。锆和铪的分析线分别为327.3和286.6 nm,内标线选择为钛的308.8 nm线,锆和铪的线性范围分别为0~0.50%和0~0.25%。锆和铪的检测限分别为0.001%和0.010%,其回收率为96.67%~105.0%,当n=9时,锆的RSD为3.61%;铪的RSD为4.82%;用于样品的测定取得了满意的结果。 相似文献
38.
激光显微光谱法测定硅酸盐样品中的镍,锡,铜,钪,锆,铪 总被引:2,自引:0,他引:2
本文利用激光显微光谱法对硅酸盐样品中的镍,锡,铜,钪,锆和铪进行了定量分析,测定结果具有较好的精密度和准确度,讨论了实验中激光输出的稳定性和辅助火花激发条件的优化问题。 相似文献
39.
基于离子交换分离的ICP发射光地测定地质样品中的微量锆,铪研究 总被引:5,自引:1,他引:4
在 2 %酒石酸介质中 ,用阳离子交换树脂吸附干扰元素 ,富集的锆和铪直接以 ICP- AES法定 ,锆的检出限为 0 .3× 1 0 - 6,铪为 0 .4× 1 0 - 6。本方法简便、快速 ,应用于分析地球化学标准物质中微量的锆和铪 ,结果满意。 相似文献
40.
采用溶胶凝胶法制备了h-k氧化铪HfO2薄膜, 经500℃退火后, 获得了高透过率、表面光滑、低漏电流和相对高介电常数的HfO2薄膜. 并采用氧化铪作为绝缘层和锌铟锡氧化物作为有源层成功地制备了底栅顶接触结构薄膜晶体管器件. 获得的薄膜晶体管器件的饱和迁移率大于100 cm2·V-1·s-1, 阈值电压为-0.5 V, 开关比为5×106, 亚阈值摆幅为105 mV/decade. 表明采用溶胶凝胶制备的薄膜晶体管具备高的迁移率, 其迁移率接近低温多晶硅薄膜晶体管的迁移率. 相似文献