流通池—介质交换—阳极溶出伏安法同时测定铜,锑,铋

本文研究了同时测定Ｃｕ（Ⅱ）Ｓｂ（Ⅲ）Ｂｉ（Ⅲ）的方法。在盐酸溶液中对Ｃｕ（Ⅱ），Ｓｂ（Ⅲ），Ｂｉ（Ⅲ）进行预电解富集，经介质交换在选定的丙二酸－盐酸溶液中进行了差示脉冲阳极溶出伏安法（ＤＰＡＳＶ）测定，相邻溶出峰的△Ｆｐ＞８０ｍＶ，波形完好。     

注入控制铜蒸气激光方向性时间过程测量

实验研究了注入控制对铜蒸气激光非稳腔输出光束质量的影响，从输出光发散角时间分辨过程的测量结果说明注入加速被注入腔内激光发散角的减小过程。由于被注入腔内放大自发辐射的存在，为得到较好的注入控制效果，注入光的脉宽和进入被注入腔的延时必须恰当。     

无限层铜氧化合物高温超导体研究进展

无限层结构ＡＣｕＯ２（Ａ：碱土金属）化合物是所有铜氧化物高温超导体中结构最简单，而且可能是临界超导转变温度Ｔｃ最高的化合物。它具有一些独特的物理性质。综述了无限层结构化合物的合成、结构及超导电性，并对目前存在的问题及今后研究的方向作了讨论。     

鸟嘌呤和次黄嘌呤的铜络合物的吸附作用和伏安特性研究

本文研究了鸟瞟呤(Gua)和次黄嘌呤(Hxa)铜络合物在悬汞电极(HMDE)上的吸附作用和电极反应机理,溶液中形成的1:1络合物有强烈吸附性,通过分子结构的比较,推断出Cu~(2+)与Gua和Hxa的咪唑环N(7)和外环氧O(6)原子结合形成封闭的五元环。嘌呤环的π-电子有使分子呈平面吸附的趋势,但是Gua络合物分子优先取“倾斜”定向;随着表面吸附浓度增加,Hxa络合物分子存在从“平面”向“垂直”的再定向作用。本文测定了单层吸附浓度、包含的电量和每个分子占据的面积。络合物吸附得到S形等温线,它与Frumkin吸附等温线接近。本文还列出有关吸附参数B、a、△G_A~O和θ~*的计算结果。     

二氯和邻菲罗啉二酮的镍(Ⅱ)、铜(Ⅱ)、锌(Ⅱ)配合物的合成与表征

以ＭＣｌ２和配体Ｌ（Ｌ＝１，１０－菲罗啉－５，６－二酮）为原料，合成了标题配合物ＭＬＣｌ２，Ｍ＝ＮｉⅡ，ＣｕⅡ，ＺｎⅡ，并经元素分析、热谱、ＩＲ和摩尔电导表征．三者均为四配位的电中性配合物，热稳定性高于５００Ｋ，易溶于ＤＭＦ、ＤＭＳＯ和吡啶，可溶于乙腈和水．它们在ＤＭＦ中于３５０ｎｍ和３１５ｎｍ附近显示出强的Ｍ－Ｌ荷移跃迁     

铜原子纳米团簇热力学性质的分子动力学模拟研究

本文利用分子动力学模拟方法，研究了CuN（N=80、140、216、312、408、500、628和736）纳米团簇在热化和冷凝过程中结构和热力学性质的变化，模型采用的是Johnson的EAM作用势．模拟结果表明：铜团簇的熔点和凝固。点随其尺寸线性增加，并逐渐向大块晶体靠拢；所有团簇的凝固。羔都低于熔点，出现凝固过程中的滞后现象；在熔点和凝固点附近，团簇都具有负热容特性，负热容是由相变前后团簇内部结构突变引起的。     

用超磁致伸缩调谐光纤光栅的光分/插复用器

提出并研究了一种新型多信道切换的全光分/插复用器,它主要由光纤Bragg光栅(FBG)和一对光环行器组成.采用了一种高效的超磁致伸缩材料(GMM)使FBG产生有效的Bragg波长偏移.用控制电流来调控FBG的应变和Bragg波长偏移.用4只相同的FBG与波长叠加技术相结合,可建立能提供15种不同下路信道方式的OADM.     

Design and Fabrication of 1.06 μm Resonant-Cavity Enhanced Reflective Modulator with GaInAs/GaAs Quantum Wells

A resonant-cavity enhanced reflective optical modulator is designed and fabricated, with three groups of three highly strained InGaAs/GaAs quantum wells in the cavity, for low voltage and high contrast ratio operation. The quantum wells are positioned in antinodes of the optical standing wave. The modulator is grown in a single growth step in an molecular beam epitaxy system, using GaAs/AlAs distributed Bragg reflectors as both the top and bottom mirrors. Results show that the reflection device has a modulation extinction of 3 dB at -4.5 V bias.