Tight—binding calculation of the electronic states of bulk—terminated GaAs（311）A and B surfaces

We have carried out theoretical investigations on the electronic structure of GaAs(311)A and GaAs(311)B surfaces. The bulk electronic structure of GaAs has been described by the second-neighbour tight-binding formalism and the surface electronic structure was evaluated via an analytic Green function method. First, we present the surface band structure together with the projected bulk band of both Ga-terminated and As-terminated for GaAs(311)A and GaAs(311)B surfaces, respectively. In each case, the number of surface states is determined, and the localized surface features and orbital properties of these surface states along Γ-Y-S-X-Γ high symmetry lines of the surface Brillouin zone are discussed. For the Ga-terminated GaAs(311)A (1×1) surface, we have tested two possible structure models, i.e. "the bridge site" and "the hollow site" models. In comparison with the angle-resolved photoelectron spectroscopy studied recently, the results have shown that the surface electronic states of the hollow site model are in good agreement with the experiments, whereas those of the bridge site model are not. So we have concluded that the hollow site model is favourable for the Ga-terminated GaAs(311) (1×1) surface and the bridge site model should be excluded.     

石墨炉原子吸收法测定高纯镍中痕量铋

本文利用石墨炉原子吸收法，在等温平台条件下直接测定了高纯镍中的痕量铋，并对石墨炉加热程序中的干燥时间，灰化温度及原子化温度进行了优化，同时也考察了介质酸度的影响，试验表明：基体镍对铋的测定有显著的影响，为此对标准系列进行了基体匹配，本方法的特征质量为6．1pg，相对标准偏差为3．6％，加标回收率为99．3％－104％。     

铕(Ⅲ)-2-(5-溴-2-吡啶偶氮)-5-二乙氨基苯酚-溴化十六烷基三甲铵显色反应的研究

研究了铕 ( ) - 5 - Br- PADAP- CTMAB体系的显色反应和光度性质 ,并探讨了其最佳的光度分析条件。在 p H =5 .0的 HAc- Na Ac缓冲溶液中 ,有表面活性剂 CTMAB存在的条件下 ,Eu( )与 5 - Br-PADAP形成了配位比为 1∶ 2的深红色络合物。配合物的最大吸收峰位于 5 98nm,表观摩尔吸光系数为1.5 9× 10 5L· mol-1· cm-1,铕含量在 0— 10μg/ 2 5 m L范围内符合比耳定律。加标回收实验结果令人满意。     

掺Eu3+硅基材料的发光性质

通过溶胶－凝胶技术制备了掺Eu^3 的硅基材料并测试了其三维荧光光谱、激光谱和发射光谱，结果显示，最佳激发波波长为350nm,最强荧光波长为620nm；在350nm光激发下的发射光谱显示Eu^3 的特征发射光谱，产生4条谱带，分别是577nm(^5D0-^7F0)，588nm(^5D0-^7F1),596nm(^5D0-^7F1)和610nm(^5D0-^7F2)。     

偏硅酸钙中Pr3+的4f5d态的光谱特性及Pr3+→Gd3+的能量传递

合成了高效发射UV光的CaSiO3:Pr^3 新型荧光体，研究了室温下Pr^3 的4f5d态的发射和激发光谱，Pr^3 的4f5d态的最低子能级向4f^2组态的^3H4，^3H6和^1G4能级跃迁产生UV发射，并不伴随有4f-4f能级跃迁的可见光发射。Pr^3 的浓度猝灭是由于辐射和无辐射能量传递造成的，同时，在CaSiO3中，存在Pr^3 →Cd^3 的能量传递，探讨了其能量传递特性。     

钛酸铋钠系铁电体的相变研究

研究了(Na0.5Bi0.5)TiO3,(Na0.5Bi0.5)(1-x)BaxTiO3和(Na0.5Bi0.5)(1-x)SrxTiO3陶瓷的介电温谱,确认了该系列材料在520℃以下的高、低温两种介电反常和存在于这一温度区间的巨大热滞现象.发现该类材料只存在对应于低温介电反常的介电损耗峰,而对于高温介电峰则无对应的损耗峰.同时,常温时材料的结构特征对于其介电温谱的特征影响较小,但施加偏置场却可明显改变材料的介电温谱特征:1)可使得材料的热滞现象几乎消失;2)适当偏置场下材料升降温介电曲线可与零偏场下介电 关键词： 钛酸铋钠 热滞 相变 极性微区     

铋纳米管电子性质的第一原理研究

运用第一原理分子动力学方法系统研究了铋纳米管的稳定性和电子性质 .发现铋纳米管的应变能 (StrainEnergy)符合经典的 1/R2 规律 .铋纳米管的能隙在 0 .7— 0 .8eV左右 ,具有半导体的特性. A first principle molecular dynamics with density functional theory and ultra-soft pseudopotential has been performed on the bismuth nanotubes. The strain energies are found to follow the classical 1/R 2 strain law. The bismuth nanotubes are expected as semi-conductor with the band gaps around 0.7 - 0.8 eV.     

Ba2RV3O11(R=Y,Gd,La):Eu3+(或Dy3+,Bi3+)的合成及发光性能的研究

本文报导了Eu3+,Dy3+在Ba2RV3O11(R=Y,Gd,La)基质中的光谱性质、Bi3+对Dy3+发射强度的影响及温度对Dy3+发射强度的猝灭情况.研究了被取代离子R3+(R=Y,Gd,La)对基质电行迁移带、Eu3+的红橙比、Dy3+黄蓝比的影响,还给出了Dy3+的浓度猝灭值.     

核磁共振弛豫速率方法测定模拟正铁色素的结构

在生命体系内正铁色素具有摄铁和输铁的功能,人工合成的模拟化合物具备了正铁色素的主要功能基团和相近的性质.本工作利用铁(Ⅲ)离子的顺磁性质,测定不同铁(Ⅲ)离子浓度下模拟正铁色素的诱导弛豫时间,根据简化了的Solomon—B1oemoergen公式,计算出铁(Ⅲ)离子到所有被测质子(即氢原子)的相对距离,比较清楚地得到模拟正铁色素在溶液中的构象。     

铋系氧化物高温超导相晶格软化研究

本文报道了在液氮温区以上铋系高 T_c 超导相变温穆斯堡尔谱的实验结果.穆斯堡尔无反冲因子随温度变化表明,在超导转变温度 T_c 以上,铋系高 T_c 相的 Cu-O 层中出现了明显的晶格软化现象,这种与晶格软化相联系的结构不稳定行为可认为是超导转变的前驱效应.在 Cu-O 层上发生的品格软化的特殊性质,对超导电性的影响不能忽略.