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101.
102.
本文研究了不同烧结温度的陶瓷靶材对溅射所得到的Pb(Zr,Ti)O3薄膜的成分、结构和性能的影响。结果表明,由1200℃时烧结的靶所制备的薄膜中PbO的含量偏低,而900℃时的薄膜中PbO的含量却大于1;由这两种靶材都获得了结晶性较好的多晶钙钛矿结构,但900℃时烧结的靶所制备的铁电薄膜的结晶性能更好,具有较好的铁电性能,其典型的矫顽场和剩余极化强度分别为73.2kV/cm和25.9μC/cm^2 相似文献
103.
讨论了不同发射机理对铁电阴极材料性能的要求,对PZT(锆钛酸铅)系铁电陶瓷工艺过程中的关键步骤进行了研究。通过掺杂改性和改进预烧条件等手段,有效地改善了材料的性能参数,制备出相对介电常数大于3 000的弛豫相铁电陶瓷和压电常数大于500×10-12C/N的铁电相铁电陶瓷。在初步的发射实验中,使用改进工艺后的PLZT8/65/35制备的铁电阴极,触发脉冲5.4 kV时,获得的发射电子电流密度达到800 A/cm2/sup>,远大于C-L定律计算的发射电流。 相似文献
104.
文章主要研究对称(ITO/PZT/ITO)与非对称(Pt/PZT/ITO)势垒结构对锆钛酸铅(PZT)薄膜铁电及光伏性能的影响.实验发现,势垒对称性差异直接影响材料电滞回线,ITO/PZT/ITO结构的剩余极化强度(Pr)更大,对称性更好,饱和度更高.测试光照与暗态时两种结构Pr的变化,结果显示两种结构的Pr均增大,分析光照时Pr增大的原因,发现两种结构的漏电流在光照时均明显变大,但两种结构的净极化强度(△P)在光照时表现出差异,即对于ITO/PZT/ITO结构光照时△P基本不变,而Pt/PZT/ITO结构光照△P变小.因此得出光照时△P的变化受势垒对称性的影响,但光照时Pr的增大主要源于漏电流的增加而非△P.此外还对两种结构的光伏性能进行了研究,发现势垒的对称性同样影响材料的光伏特性,Pt/PZT/ITO结构的开路电压和短路电流密度明显高于ITO/PZT/ITO结构. 相似文献
105.
106.
107.
108.
:本文对酯类铁电液晶的相变和构型进行了研究和评述。它包括固相 近晶C,近晶C 近晶A相变的性质,一级、二级相变的判据,固相 近晶C相变的临界弛豫,顺式、反式的构型转变和新相分析。 相似文献
109.
将参变量变分原理引入铁电问题。对一类借用了经典弹塑性理论中的概念和方法的多轴铁电模型建立基于Helmholtz自由能的参变量变分原理,可以有效处理传统变分原理中由非关联流动法则或屈服面不考虑材料系数变化所引起的切线模量非对称困难。相应于参变量变分原理,引入参数二次规划算法,可获得具有可靠数值稳定性的一套铁电算法。将该算法应用于一个具体的铁电模型,数值计算结果表明本文方法的有效性。 相似文献
110.
铁电液晶缺陷光子晶体调谐滤波器的设计 总被引:2,自引:0,他引:2
将铁电液晶作为缺陷层引入一维光子晶体中,用电场改变液晶分子的取向,形成光子晶体快速可调谐滤波器.用传输矩阵法研究了铁电液晶缺陷光子晶体的可调谐滤波特性,计算了电压和液晶材料参量对滤波器透射谱的影响.结果表明:改变电压能容易改变光子晶体滤波器透射峰的位置、强度、个数和带宽,实现良好的调谐滤波功能. 相似文献