4(4''''-辛氧基-4”-联苯羧酸基)苯磺酸酯类的合成

随着发现和发明液晶显示的各种原理和显示方式,促进显示用优良的液晶材料的开发,反过来新型液晶材料又促进了新型显示器开发.DOBAMBC(p-癸氧基亚苄基-p'-氨基-2-甲基丁基肉桂酸酯)[1]第一支铁电液晶(FLC)以及MHPOBC((R)-4-(1-甲基庚基氧羰基)苯-4'-烷氧基联苯)-4-羧酸盐[2]第一支反铁电液晶(AFLC)极大地推动了液晶材料的合成及液晶显示器件的开发.以S原子代替C、O原子的液晶,如硫酯、砜基、亚砜基、亚磺酸基等,不断有报道.我们设计了一种新型的含磺酸酯基团的液晶分子,4(4'-辛氧基-4”-联苯羧酸基)苯磺酸酯类,并已成功地合成其中五种新的化合物,测试了液晶性能.国内外文献上未见报道.合成路线如下:     

金属β－二酮化合物用于MOCVD法生长铁电氧化物薄膜

对用于MOCVD法生长铁电氧化物薄膜的金属β－二酮化合物的制备、结构及性质进行了评述，对它们在生长铁电薄膜中的应用现状进行了介绍，并对它们的应用前景作了展望。     

氢对PbZr0.5Ti0.5O3在氮氢混合气氛退火中铁电性能的影响

采用基于密度泛函理论的第一性原理, 针对PbZr0.5Ti0.5O3无氢和含氢的顺电相和铁电相的二层超晶胞, 分别计算了Ti沿c轴位移时体系总能量的变化、电子云密度分布和Ti—O、Zr—O和H—O的重叠布居数. 结果表明, 含氢铁电相的Ti—O键和Zr—O键相对无氢铁电相明显减弱, 氢氧之间较强的轨道杂化使它们趋于形成共价键; 晶格中氢氧键的钉扎效应使含氢情况下的顺电相能量始终低于铁电相能量, 说明氢的引入阻碍了PbZr0.5Ti0.5O3从立方顺电相到四方铁电相的相变, 并推断其为含氢气氛退火过程中PbZr0.5Ti0.5O3铁电性能下降的主要原因之一. 所得结果对于深入理解铁电材料在氮氢混合气氛退火后铁电性能下降的微观机制具有参考价值.     

Lattice Dynamics at Zone-Center of Sulphide and Selenide Spinels

A rigid-ion model is used to calculate the force constants and effective dynamical charges of sulphide and selenide spinels. The Raman and infrared phonon modes of normal cubic sulphide spinels MCr2S4 （M = Mn, Co, Fe, Hg, Zn, and Cd） and selenide spinels MCr2Se4 （M = Hg, Zn, and Cd） are calculated at the first Brillouin zone-centre using above model, The significant outcome of the present work is （i） the interatomic interaction between Cr-S （Se） dominates over the Cr-S（Se） and S-S（Se-Se） type of interatomic interactions, （ii） the effective dynamical charges of the bivalent metal ions are nearly zero, and （iii） the selenide spinels are less ionic than the sulphide spinels and the ionicity decreases as MnCr2S4 〉 FeCr2S4 〉 CoCr2S4 〉 and CdOr2C4 〉 ZnCr2C4 〉 HgCr2C4 （C = S and Se）. The zone-center phonon frequencies, calculated using these parameters, are found to be in very good agreement with the observed results.     

PZT—95／5陶瓷流体静压相变实验研究

采用常规的氧化物陶瓷生产工艺与多孔技术相结合的方法，制作出不同宏观密度的PZT－95／5陶瓷样品，进行流体静压相变实验。研究表明，陶瓷材料的铁电－反铁电相变与陶瓷中气孔的存在有密切的关系，运用气孔塌陷假设可以对此现象进行定性解释，研究结果和Sandia实验室给出的结果相符合。     

冲击波垂向加载下PZT 95/5铁电陶瓷的去极化和放电过程分析

电极化后的PZT 95/5铁电陶瓷能够在冲击波作用下快速去极化并释放束缚电荷,形成高功率的瞬态输出电能。对于垂直于极化方向的冲击波加载情况,通过将去极化过程中的铁电陶瓷等效为电流源、电容和电导的并联电路,综合考虑冲击波压力对波速和去极化相变过程的影响,以及冲击波前、后铁电陶瓷的介电常数和电导率变化,建立了描述冲击波垂向加载下PZT 95/5铁电陶瓷去极化和放电过程的模型,解析获得了铁电陶瓷的放电电流表述。在此模型基础上,开展了短路和电阻负载条件下PZT 95/5铁电陶瓷在冲击放电过程中的输出电流特征分析,并与相关实验结果进行了对比。结果表明:模型能较好地模拟实验观测的铁电陶瓷PZT 95/5的冲击放电过程,以及冲击波压力、负载电阻等对冲击放电输出电流的影响规律。     

相变光存储研究的新进展

光存储朝着高密度、大容量、高数据传输速率、多功能方向发展。可擦重写相变光存储介质和技术吸引着越来越多研究者的兴趣。本文主要综述了相变光存储原理、材料性能改进和高密度相变存储技术方面的现状和新进展     

Bi4Ti3O12铁电薄膜X射线光电子能谱研究

本文采用化学溶液沉积(CSD)工艺在Si(100)衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜,这种薄膜的X射线衍射(XRD)结果显示其具有较好的结晶性.运用X射线光电能谱仪(XPS)对薄膜的结构进行了研究,分析结果表明,衬底中Si向镀在其上的Bi4Ti3O12膜层内扩散,影响扩散的主要因素是膜厚及退火温度.     

用横场伊辛模型研究应力对铁电薄膜的热力学性质的影响

用横场伊辛模型研究了铁电薄膜的热力学性质.在体系的哈密顿量中引入一个两维的在平面内的应力，并假设应力从基底材料和薄膜材料之间的界面层到薄膜的表面层是呈指数形式衰减的.结果显示：压应力有利于极化，使居里温度向高温区移动，而张应力对极化和居里温度的影响正好相反.扩散长度对铁电薄膜的热力学性质有很大的影响. 关键词： 铁电薄膜 应力 横场伊辛模型