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1.
用过氧聚钨酸(PPTA)水溶液,通过离心涂膜法在显微镜载玻片上制备了具有光滑表面且厚度为100nm的PPTA薄膜,利用PPTA薄膜在紫外光照下可研制光栅以及其它光学元件的薄膜材料,具有很高的利用价值。  相似文献   
2.
测量了非晶态过渡族 Zr_(100-x)Co_x(x=20—41)合金的超导转变温度 T_c、上临界场 B_(c2)(T)和临界电流密度 J_c(H,T).T_c 随着 Co 含量 x 增加而线性地降低.上临界场 B_(c2)(T)的测量数值符合标准的 WHH 理论.电子状态密度和电子比热系数都随着 Co 含量 x 增加而降低.临界电流密度 J_c(H,T)和磁通钉扎力 F_p,相当弱,可以归因于在相干长度尺度上的结构均匀性.  相似文献   
3.
8—羟基喹啉—5—磺酸为柱前螯合荧光试剂的反相离子...   总被引:5,自引:0,他引:5  
刘文远  卓琪 《分析化学》1992,20(6):638-642
  相似文献   
4.
5.
利用102MeV的^28Si束流,通过^60Ni(^28Si,2pn)熔合蒸发反应布居了^85Zr核的高自旋态,测量了γ-γ符合及DCO比值,建立了一个有43条能级,75条γ跃迁的能级纲图,新增加了36条γ跃迁,25条能级。将能级自旋推高到(49/2^ ),首次观察到了转边带的第二回弯。并确认了一条建立在17/2^-负字称带上的磁转动带。  相似文献   
6.
Zr—K—Fe/ZSM—48催化剂中锆的作用   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   
7.
ICP—AES测定ZnWO4单晶中痕量无素的方法研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
  相似文献   
8.
一般说 ,水分分析 ,特别是微量和痕量水的分析是一项比较困难的课题。水分的定性检出法有钴盐法、铁盐法、四乙酸铅法、碳化钙法和乙醇铝法。比浊法用乙醇铝测有机溶剂水分已非常灵敏 ,但制备乙醇铝步骤多 ,且乙醇铝还需配制溶液。本文介绍制备一种试剂 ,应用于比浊法测试微水。本法制作简单 ,使用方便 ,测试灵敏。1 制备方法采用氨法制备锆醇盐 :ZrCl4 +4ROH +4NH3 Zr(RO) 4+4NH4 Cl↓将氯化锆放到容器中 ,注入异丙醇 ,密封容器。加热并通入氨气 ,搅拌混合 ,反应结束后 ,过滤除去沉淀物氯化铵 ,得到锆醇盐溶液 (由于锆醇…  相似文献   
9.
AsH3—Ag—DDTC光度法测定钨酸中砷   总被引:2,自引:0,他引:2  
  相似文献   
10.
We propose a pseudo-spin-valve (PSV) trilayer using amorphous CoNbZr Mloy for soft magnetic layers. The giant magnetoresistance (GMR), domain structures and their variation upon thermal annealing are investigated. The GMR effect is not only stable up to 300℃ but also enhanced due to the improvement of the interfaces between Cu and magnetic layers. With high annealing temperature, the magnetoresistance (MR) ratio decreases rapidly as a result of serious layer interdiffusion. Dense stripe domains, which disappear after annealing at 300℃ for 1h, are observed in the sandwiched films. It is found that after patterning to elliptic stripe with aspect ratio of 6:1, the trilayers have a single domain and their MR ratio increases. The dynamic MR behaviour under an ac magnetic field indicates that the patterned stripes have good linear MR responses. Therefore, it is believed that the CoNbZr/Cu/Co PSV trilayers have strong potentials for spin-electronic devices including magnetic random access memory.  相似文献   
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