薄膜界面粗糙对双晶摇摆曲线的影响

用X射线衍射动力学理论,模拟计算InP衬底上InGaAs/AllnAs超晶格和InGaAs单层膜的X射线双晶摇摆曲线,计算结果表明:薄膜界面粗糙对单层膜的衍射峰和超晶格的零级衍射峰影响较小,但却明显影响单层膜衍射干涉条纹和超晶格的±1级卫星峰,随着平均界面粗糙度的增大,单层膜衍射干涉条纹强度减弱并趋于消失;超晶格的±1级卫星峰变弱并逐渐展宽,理论计算的模拟双晶摇摆曲线与超晶格实验曲线比较表明:高质量匹配In_0.53Ga_0.47As(85?)/Al_{0.4 关键词：}     

ICP—AES法测定U3O8标样中Al、Cr、Fe、Mg、P、Pb、Ti、V、W

用7402季铵－Kel-F粉萃取色层使铀和待测杂质元素分离，接着用975型ICP光量计测定U3O8标样中Al、Cr、Fe、Mg、P、Pb、Ti、V、W，回收率为95－110％，相对标准偏差≤5％。     

停流—荧光动力学分析法测定痕量钛的研究

利用自行组装的停流-荧光动力学分析仪,采用停流法汇合流体动力注入技术,研究了钛与3.5-二溴水杨基荧光酮的荧光增强动力学反应性质,讨论了流速、进样时间对方法灵敏度和精密度的影响,提出了一个快速、简便、精确测定钛的分析方法,并用于稀土样品及合成样品中痕量钛的测定.方法检测限为8×10~(-3)ppm,大多数元素的干扰均可用动力学方法消除.     

200A GeV硫核及其重碎片与铜核作用的电荷改变总截面的测量

测量了200A GeV的³²S及其碎片P,Si,Al,Mg,Na和Ne与Cu靶作用的电荷改变总截面.观察到次级碎片的电荷改变总截面比相同电荷的初级粒子的要高.导出的电磁散裂截面与弹丸电荷的平方成比例,与理论预言一致.     

具有非局部边界条件的奇摄动反应扩散问题

本文研究了一类具有非局部边界条件的奇摄动反应扩散初始边值问题．在适当的条件下，利用比较定理讨论了问题解的渐近性态．