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41.
以铝酸镧(001)单晶为基片,采用两步法制备Tl2Ba2CaCu2Oy(Tl 2212)高 温超导薄膜.首先,利用脉冲激光沉积(PLD)工艺沉积Ba2CaCu2Ox非晶前驱体薄膜;然后,前驱体薄膜在高温(720—850℃)下密封钢容器里铊化结晶形成Tl 2212薄膜.XRD结果表明Tl2212 薄膜是沿c轴方向生长的,其相组成为Tl 2212,摇摆曲线(0012)的半高宽为0.72° ,SEM图像显示其表面光滑平整,其零电阻温度为106.2K.
关键词:
Tl 2212超导薄膜
脉冲激光沉积 相似文献
42.
用改进的离子束增强沉积方法和恰当的退火从V2O5粉末直接制备了VO2多晶薄膜.实验测试表明,薄膜的取向单一、相变特性显著、结构致密、界面结合牢固、工艺性能良好,薄膜的电阻温度系数(TCR)最高可达4.23%/K.从成膜机理出发,较详细地讨论了离子束增强沉积 VO2多晶薄膜的TCR高于VOx薄膜的TCR的原因.分析认为,单一取向的VO2结构使薄膜晶粒具有较高的电导激活能,致密的薄膜结构减少了氧空位和晶界宽度,使离子束增强沉积 VO2多晶薄膜结构比其他方法制备的VOx薄膜更接近于单晶VO2是其具有高TCR的原
关键词:
VO2多晶薄膜
离子束增强沉积
热电阻温度系数 相似文献
43.
以PCl3为脱水剂,将邻氨基硫酚与水杨酸脱水环化合成出2-(2-羟基苯基)苯并噻唑,并进一步将所得产物与乙酸锌反应合成出2-(2-羟基苯基)苯并噻唑螯合锌(Zn(BTZ)2)材料。以该配合物作为发光层制备出结构为ITO/PVK:TPD/Zn(BTZ)2/Al近白色电致发光器件,其色坐标位于白场之内(x=0.242,y=0.359),在驱动电压为16V时,亮度达3200cdm2,对应的量子效率为0.32%。进一步在Zn(BTZ)2中掺入橙红色染料Rubrene,制成ITO/PVK:TPD/Zn(BTZ)2:Rubrene/Al结构器件,实现了纯白色发光(色坐标值:x=0.324,y=0.343),非常接近于白色等能点,且量子效率达0.47%。最后对上述器件的发光和电学性能进行了深入的研究和探讨。 相似文献
44.
信息化时代随着计算机技术的普及来到我们面前,其突出表现是信息总量和信息交换的剧增,因此,发展海量存储技术日趋重要。随着信息及计算机技术的不断发展,对其作为主要工具的记录媒体的需求越来越大,要求越来越高。记录媒体中大多数磁盘、磁光盘、光盘是以相关靶材磁控溅射而成的,因此,为满足信息记录媒体的高密度化、小型化和低价格化,需要对其相关靶材的成分、制造工艺、性能和溅射工艺做进一步研究。目前,随着新材料的开发和记录媒体的发展,磁光盘、光盘用靶材市场在不断增长。尤其近几年CD、VCD、DVD市场的迅速扩大,其相关靶材的前景也日益被看好。 相似文献
45.
对Cl/HN3/I2产生NCl(a)/I激光的过程进行了化学动力学计算,主要考察了Cl,HN3和I2的初始粒子数密度及其配比对小信号增益系数的影响。结果发现,当温度为400K, 初始Cl粒子数密度为1×1015,1×1016和1×1017cm-3时,小信号增益系数分别达到1.6×10-4,1.1×10-3和1.1×10-2cm-1,获得最佳小信号增益系数的HN3和I2的初始粒子数密度分别为初始Cl粒子数密度的1~2倍和2%~4%。同时,对Cl,HN3和I2配比对小信号增益系数和增益持续时间的影响进行了讨论。 相似文献
46.
研究了不同衬底-阴极距离、直流电压和H2流量对a-CH薄膜沉积速率的影响。结果表明:衬底-阴极距离必须大于0.5cm,随着该距离的增加,薄膜的沉积速率减少;直流电压达550V时沉积速率最大;随着H2含量的增加,CH4含量相对减少,沉积速率随之降低。用AFM观察了以该方法制得的448.4nm CH薄膜的表面形貌,表面粗糙度约为10nm。最后测出了不同条件下CH薄膜的UV-VIS谱,由此可以计算得到薄膜的禁带宽度及折射率。 相似文献
47.
尽管许多科学史家对于那些为数不多的物理学大师经商一事,仅仅是只言片语,或者缄口不言、讳莫如深,但笔者为了“把凝固的文化激活”,特以艾萨克·牛顿(IssacNewton,1642~1727)和路易·奈尔(LouisEug埁neF啨lisN啨el,1904~2000)为例,简要谈谈著名物理学家经商的故事,并由此引发了一番深沉的反思。牛顿经商的目的“站在巨人肩上”的英国大物理学家牛顿,自从于1667年春重返剑桥大学,经过多年研究后,虽然在经典力学、光学等领域内作出了卓越的贡献,但仍然过着紧巴巴的日子。 相似文献
48.
49.
50.
对氧碘化学激光器的单重态氧发生器(SOG)进行了改进,采用横向射流方式,并对该横向射流式单重态氧发生器的性能进行了检测。实验中过氧化氢碱溶液温度控制在-16℃左右,氯气流量为530mmol/s,He与氯气的流量比为3;采用PS法测量单重态氧分子的产率,吸收法测量氯气的利用率和相对水含量。得出如下结论:在不使用冷阱和分离器的情况下,最高单重态氧分子产率达到58%, 氯气利用率在80%以上,相对水含量小于等于0.5;气体达到最大流量时,发生器仍然能稳定地工作。 相似文献