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11.
用射频等离子体方法在玻璃基底上制备的类金刚石(DLC)薄膜,采用离子注入法掺氮,并对掺氮DLC薄膜紫外(UV)辐照前后的性能变化进行了研究。研究结果表明:随氮离子注入剂量及UV辐照时间的增加,位于2 930cm-1附近的SP
3C-H吸收峰明显变小,而位于1 580cm-1附近的SP2C-H吸收峰则明显增强,薄膜的电阻率明显呈下降趋势;随UV辐照时间的增加,位于1 078cm-1附近的Si-O-Si键数量及位于786cm-1附近的Si-C键数量明显增加。即氮离子注入和UV辐照明显改变了DLC薄膜的结构与特性。 相似文献
12.
13.
14.
本文采用了半金刚石昌规则地排列放置在溶媒表面上的工艺方法进行了控制金刚石成核的合成实验。通过使用不同的种晶放置位置及种晶排列问题,研究了金刚石在种晶上的生长过程和影响合成结果的因素。 相似文献
15.
16.
将自卫机制加入OOP成为AOP以提高CORBA中软件的强健性和防卫能力,在CORBA这个异构环境中,一个对象申请服务之后就需等待,如果应答迟迟不到则有可能永远等待下去,为避免这种现象的产生和蔓延,在客户和服务方的行为中加入超时机制(timeout mecha-nism)并采用利己或利他策略,使得对象可独立地根据当前环境和时间决定下一步骤,将这种在协作者失败的情况下仍能生存的对象称为自卫智能体,加入白卫智能体的CORBA称为CORBA~( ),由于智能体可在任何条件下生存,CORBA~( )可为用户提供可靠的服务,也就能实现CORBA~( )中软件构成的强健性。 相似文献
17.
作者在研究金刚石表面金属化机理中发现,该物理过程是用化学气相沉积(CVD)方法在强碳化物形成元素上生长金刚石薄膜的逆物理过程。推断在强碳化物形成元素上,诸如WSi,Ta等,生长金刚石薄膜,其界面有相应的碳化物,诸如WC,SiC,TaC等出现,继而生长的金刚石薄膜实质是在相应的碳化物背底上择优取向成核生长的。从而揭示在强碳化物形成元素上生长金刚石薄膜的物理机制是:W(Si,Ta)等→WC(SiC,TaC)等→金刚石薄膜。
关键词: 相似文献
18.
关于体上分块矩阵的群逆 总被引:1,自引:0,他引:1
本文利用分块矩阵方法.研究了体上两个矩阵乘积的群逆的存在性及表示形式,给出了体上两个矩阵乘积群逆存在的充分必要条件和表示形式.并且在一定条件下.给出了体上分块矩阵的群逆存在性及表示形式. 相似文献
19.
从日本冲绳采回枝管藻,用毛细管将成熟多室孢子囊挑出,在试验室条件下培养,可长成孢子体.用光学显微镜和透射电子显微镜观察发现:孢子释放后形成盘状体附着在基质上,念珠状同化丝从盘状体中间分生.同化丝可从中间部位产生分支,多室孢子囊位于部分同化丝的近端部;同化丝大量产生后基部细胞平行排列,中空,形成假薄壁组织,而后孢子体进入伸长生长阶段;在每个盘状体细胞和同化丝细胞中都有多个色素体和线粒体,蛋白核突出于色素体其他部分,类脂体存在于类囊体中;在同化丝的细胞壁上存在缺口;对同化纤毛而言,色素体和线粒体数量少,紧贴细胞膜,质壁分离严重,在细胞壁上存在“通道”. 相似文献
20.
凸体的曲率映象与仿射表面积 总被引:4,自引:0,他引:4
本文研究了一些特殊凸体与其极体的曲率仿射表面积乘积的下界.对任意两个凸体,建立了它们的投影体的混合体积与其仿射表面积的一个不等式(见文[1-15]). 相似文献