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901.
本文介绍利用分子束外延方法在GaAs的某些特殊表面上原位直接生长GaAs/AlAs量子线结构的几种方法,包括采用(311)等高指数面、(001)邻晶面以及(110)解理面二镒生长。着重讨论量子线结构的形成机理及其光学特性。这些方面能避开目前纳米尺度刻蚀生长的困难,可能成为制备低维结构的有希望的途径。 相似文献
902.
线性分段折射率分布多量子阱波导色散关系的精确分析 总被引:1,自引:1,他引:0
本文从标量Helmholtz方程出发,采用转移矩阵技术,求出了线性分段折射率分布多量子阶波导TE模色散关系的精确解,数值计算结果显示出该波导的色散特性以及与波导结构的关系,为实际制作该量子阶波导进行参数选择提供了理论依据。 相似文献
903.
利用腔内量子电动力学效应改变钕玻璃微球荧光谱特性的研究 总被引:3,自引:1,他引:2
报道腔内量子电动力学效应对钕玻璃微球荧光谱的影响;分析了光谱中量子电动力学结构的相对强度,同时估算了自发辐射速率的量子电动力学增强。实验证实增强辐度超过16倍。 相似文献
904.
905.
利用金属有机化合物气相沉积设备生长了不同盖层结构的InAs/GaAs量子点,采用原子力显微镜和光致发光光谱仪对量子点的结构和光学性质进行了研究.量子点层之间的盖层由一个低温层和一个高温层组成.对不同材料结构的低温盖层的对比研究表明,In组分渐变的InGaAs低温盖层有利于改善量子点均匀性、减少结合岛数目、提高光致发光强度;当组分渐变InGaAs低温盖层厚度由6.8 nm增加到12 nm,发光波长从1256.0 nm红移到1314.4 nm.另外,还对不同材料结构的高温盖层进行了对比分析,发现高温盖层采用In组分渐变的InGaAs材料有利于光致发光谱强度的提高.
关键词:
半导体量子点
盖层
组分渐变 相似文献
906.
我们利用单杂质Anderson模型及运动方程等理论,通过求解格林函数的方法研究了通过T型量子点结构(耦合于铁磁电极和介观环量子点结构)的自旋极化输运过程.研究结果表明,与量子点相耦合的铁磁电极中的极化强度是控制量子点电子输运的重要参数,由此可以达到自旋阀效应.另外我们还发现与量子点相耦合的介观环中的磁通会影响电子自旋向上和自旋向下近藤共振峰的分裂程度,但若加入适当的外磁场,那么这样的分裂将被抵消。 相似文献
907.
研究了两模二项式光场与二能级原子在高Q腔中发生双光子相互作用过程的腔场谱,给出了弱初始场条件下腔场谱的数值计算结果,讨论了两模腔场谱间的量子干涉.结果表明:两模腔场谱间的量子干涉随着频差的增大而呈现出周期性的衰减振荡,其振荡周期约为0·16g(g为原子与光场的相互作用强度系数),频差大于1·6g时干涉效应已经很弱.量子干涉还与初始场强度有关,随着初始场最大光子数的增加,量子干涉效应逐渐增强,但当光子数大于4时,干涉效应迅速减弱,当最大光子数大于6时,量子干涉现象几乎消失. 相似文献
908.
通过分析系统的杂质位与其余部分间的纠缠N1-A以及单个正常位与其余部分间的纠缠NL-A研究了匀强磁场作用下含杂质Heisenberg XX链的纠缠特性.研究表明三量子位时纠缠存在的临界温度依赖于杂质参数J1和匀强磁场B.研究发现,当量子位L为奇数时,纠缠N1-A随量子位的增加而增大,而L为偶数时则相反,并且量子位L为偶数时的纠缠大于量子位L为奇数时的纠缠;对NL-A,量子位L为奇数时,纠缠随杂质参数J1的变化与L=3类似,而L为偶数时纠缠随杂质参数|J1|的增加而增加. 相似文献
909.
910.
提出了含δ势垒的多臂量子环模型.研究发现总磁通为零时,持续电流随半导体环增大发生非周期性振荡,下臂因含δ势垒而获得最小的平均持续电流.AB磁通增强时,持续电流会发生周期性等幅振荡,并与电极的磁矩方向以及隧穿电子的自旋方向相关.两电极磁矩方向平行时,Rashba自旋轨道耦合具有改变持续电流相位和相位差的效应;两电极磁矩方向反平行时,Rashba自旋轨道耦合具有改变持续电流振幅的效应.各臂之间持续电流的不同与臂长和磁通分布的差异相关.在一定条件下,两种波函数所对应的持续电流是可分离的.
关键词:
多臂量子环
持续电流
δ势垒
Rashba自旋轨道耦合 相似文献