Si1-xCex/Si量子阱发光材料制备及特性研究

在si(100)衬底上用分子束外延成功生长了Si_(1-x)Ge_x/si量子阱发光材料,发现在生长过程中背景杂质含量直接影响材料的发光特性,用光致发光(PL)和卢瑟福背散射(RBS)对样品质量进行标定。在PL测量中观察到合金量子阱带边激子分辨峰,并对发光峰能和峰宽作了讨论。 关键词：     

量子计算机

简要介绍了量子计算机的基本概念及实验方案。     

形成半导体量子线结构的质子注入方法研究

用20keV的质子(H~+)注入到Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As单量子阱,经快速退火,促使势垒上的Al向量子阱内扩散,尝试制备了线宽从0.5μm到0.1μm的量子线结构.由低温(14K)下阴极射线发光谱测量,观察到量子线中发光谱峰的蓝移,并通过与理论计算比较,讨论注入区内外Al的内扩散及掩膜区边缘横向离散的影响. 关键词：     

原子－光场精确解模型在绝热极限下的量子无损测量

研究了一个无损测量原子质心动量的精确可解模型，详细分析了无损测量的条件及无损测量的动力学过程。文中分析表明，绝热极限是实现此类模型无损测量的必要条件。最后针对此模型讨论了量子无损测量与表象之间的关系。     

矩形截面多量子阱脊形波导模式特性

本文根据多量子阱双折射率的性质,运用有效折射率法分析了矩形截面多量子阱脊形波导E_mn^x模和模E_mn^y的模式特性。     

用位相共轭方法研究阶梯量子阱的三阶非线性极化系数X(3)及其色散关系

用位相共轭的实验方法,以TEA CO₂激光器作为激发光源,研究了阶梯量子阱子带间光学跃迁三阶非线性极化系数X⁽³⁾(-ω;ω,-ω,ω)及其随波长变化的色散关系,得到在近共振情况下的X⁽³⁾为8×10^-5esu,位相共轭反射率η为6×10^-3用实验的方法验证了位相共轭信号,并对实验结果进行了分析.     

适用于量子阱激光器的速率方程

首次在理论上用量子阱激光器增益与载流子密度的对数关系替代了原有速率方程中的线性关系，得到了改进了速率方程，分析了稳态和调制特性，从理论上得到了获得最低阈值的最佳阱数和最大调制带宽的最佳腔长。     

量子杨-Baxter方程新解系的一般量子偶构造

本文通过建立新型的Hopf代数及其相应的量子偶,构造了一个新型的普适R矩阵.在具体表示下,由此得到了(无谱参数)量子杨-Baxter方程的系列新解,所谓的A₂非标准解也包含于我们的新解系之中.     

Entanglement Swapping and Disentanglement via an Entangled State of Atoms Interacting with a Cavity Field

We consider entanglement swapping and disentanglement schemes via an entangled state of three two-level atoms interacting with a coherent field.When a two-level atom C,entangled with two other two-level atoms A and B,is injected into a high-Q cavity and atoms A and B are far away from the cavity,the entanglement swapping or disentanglement can be realized by carrying out the measurement on the atom C and by selecting an appropriate interaction time of atom C with the coherent field.