镁离子内扩散铌酸锂单晶光纤的研究

利用镁离子内扩散铌酸锂单晶光纤,实现了晶纤具有芯-包层波导结构,得到了包层晶纤的损耗比扩镁前晶纤损耗降低约14倍的好结果,并对镁离子内扩散机理、晶格发生畸变的原因等进行了分析和讨论.通过X射线衍射分析和扫描电子显微镜观察扩镁表面,发现在表面富镁层有一新化合物结构,可能是Li-Mg-Nb-O组成的三元系相结构,并提出和实验证实这一富镁层的新化合物是镁离子内扩散铌酸锂晶纤的真正扩散源.     

直径300 mm氟化钙晶体的生长

通过化学处理提纯晶体原料,采用模拟软件设计合理的温场结构,在系统实验优化晶体生长工艺的基础上,采用改进的坩埚下降生长方法(布里奇曼法)成功地生长出直径300 mm的CaF2晶体.CaF2晶体的透过率在0.15～8.3 μm波长范围内超过80;,最高透过率约为95;.     

光学条纹相机时间扫描性能应用

对相机全屏扫速性能进行了系统分析,发现基于相机整体的平均扫速及扫速非线性处理扫描时间的传统方法不能反映相机空间畸变现象,并且扫速非线性放大了数据处理不确定度,从而降低了相机应用价值。建立了一套基于全屏扫速及扫速不确定度的扫描时间精细处理方法,它自洽消除了相机的空间畸变和扫速非线性的系统性影响。开展了理论分析和验证实验,结果表明:精细处理方法很容易使扫描时间数据处理相对不确定度降低到1%以内,显著提高了条纹相机时间扫描精度和应用可靠性。     

多效应铌酸钾钠基透明铁电陶瓷的制备及性能

透明铁电陶瓷是一类具有电光效应的功能陶瓷,由于其兼具传统陶瓷耐高温、抗腐蚀、高硬度以及优异的机械性能等特性,从而成为光电领域中的关键材料.而当前应用较多的是对环境危害较大的铅基透明铁电陶瓷,因此开发兼具光效应和电效应的无铅透明铁电陶瓷成为研究热点之一.本文在铌酸钾钠基无铅压电陶瓷掺杂改性研究的基础上,采用传统的固相合成法,制备了铌酸钾钠基无铅透明铁电陶瓷(K0.5Na0.5)0.94–3x Li0.06Lax Nb0.95Ta0.05O3 (KNLTN-Lax; x=0, 0.01, 0.015, 0.02),并对其晶体结构、微观形貌、透过率和电学性能进行了研究分析.研究结果表明, La3+掺杂提高了铌酸钾钠基陶瓷的透过率,掺杂量x=0.02的陶瓷样品在可见光范围透过率达到50%,在红外光附近的透过率则接近60%. La3+掺杂量x=0.01时压电常数(d33)达到110 pC/N,机电耦合系数(kp)达到0.267.此外陶瓷样品具有明显的铁电体特征,居里温度高于400℃,呈现出理想的驰豫铁电体特征,是一种有望取代铅基透明铁电陶瓷的环境友好型无铅透明铁电陶瓷.     

Bucky管的自洽场晶体轨道研究

本文用CNDO SCF-CO计算了几种模型Bucky管的能带结构和晶胞能量, 并讨论了在一个晶胞内等键长结构向不等键长结构畸变时, 对能带结构和晶胞能量的影响。     

Ga掺杂浓度对溶胶-凝胶法制备GZO薄膜光电性能的影响

采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备掺镓氧化锌透明导电薄膜,用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见光分光光度计、霍尔效应仪等测试分别表征GZO薄膜的晶体结构、表面形貌、光电性能等,研究Ga掺杂量对GZO薄膜性能的影响.结果表明:所制备的GZO薄膜均为六方纤锌矿结构并有沿c轴择优生长趋势,随着Ga掺杂量的增加,薄膜透过率先增加再减小,当Ga掺杂量为4at;时透过率最高,可见光区平均透过率达97.4;,薄膜电阻率则随掺杂量增加而下降,在Ga掺杂量为5at;时达最小值7.62×10-3 Q·cm.     

Sr3NbGa3Si2O14压电晶体旋光性质的研究

本文测定了紫外、可见光区新型压电晶体-Sr3NbGa3Si2O14(SNGS) 的透过率,并利用一种新方法即通过测量晶体在平行偏振系统中的透过率谱研究了其旋光性,且拟合出旋光色散曲线.此晶体属左旋单轴晶体,旋光非常大,其旋光率ρ在513nm处达到43.69°/mm.     

超声喷雾热解法制备CeO2薄膜及性能研究

以硝酸铈(Ce(NO3)3·6H2O)水溶液为前驱溶液,采用自制超声喷雾热解装置在石英衬底上沉积制备CeO2薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外可见分光光度计等分析薄膜晶体结构、微观形貌及光学特性.结果表明,随着沉积温度升高,薄膜择优生长取向逐渐变为(200);当沉积温度为500℃时,薄膜具有良好的致密性;薄膜在可见光区表现出近85;的高透过率,同时发现随着沉积温度升高,薄膜透过率逐渐增大,光吸收逐渐由缺陷吸收转变为本征吸收.     

Er:SGB晶体主轴折射率测量

根据Er:Sr3Gd(BO3)3(Er:SGB)的透过率曲线粗略估计了该晶体的折射率,再利用自准直法,精确测量了30~170℃范围内,0.4880μm、0.6328μm、1.0640μm、1.338μm等波长下Er:SGB晶体的主轴折射率,得到Sellm e ier方程并计算了1.319μm下Er:SGB晶体的主轴折射率,与实验测量的结果进行比较,两者的差异不大于2×10-4,处在测量误差的范围内,验证了实验结果的可靠性。     

GdVO4晶体的生长及其性能研究

采用提拉法沿a轴和c轴生长出无色透明的GdVO4单晶,质量均超过50g.用X射线荧光分析法测得两个主要元素Gd和V的分凝系数都接近1.室温下测量了GdVO4晶体的X射线粉末衍射图,确定所获GdVO4晶体属于四方晶系,D194h-I41/amd空间群.通过晶体的锥光干涉图确定GdVO4晶体为单轴晶,光轴方向平行于c轴且光学均匀性比较好.利用高分辨X射线衍射仪测量GdVO4晶体的摇摆曲线,结果表明生长的GdVO4晶体的晶格完整性较好.通过浮力法测得其室温下密度为5.478g/cm3.透过波谱表明透过波长大于340nm.