负离子元素杂质破坏模型

探讨了HfO₂薄膜中负离子元素杂质破坏模型，并得出薄膜中的杂质主要来源于 镀膜材料. 用电子束蒸发方法沉积两种不同Cl元素含量的HfO₂薄膜，测定薄膜 弱吸收和损伤阈值来验证负离子元素破坏模型. 结果表明，随着Cl元素含量的增加薄膜的弱 吸收增加损伤阈值减小. 这主要是因为负离子元素在蒸发过程中形成挥发性的气源中心而产 生缺陷，缺陷在激光辐照过程中又形成吸收中心. 因此负离子元素的存在将加速薄膜的破坏 . 关键词： 负离子元素杂质 缺陷 吸收     

通过一类一维链的透射和反射

本文建立了平面波ε－ｉｋｘ（波数ｋ＞０）通过势ｖ（ｘ）＝ｖｎδ（ｘ－ｘｎ），Ｎ→∞时透射振幅和反射振幅的速推公式；给出系统为绝缘体的充要条件；最后，作为应用，对一类线性递归链，研究了系统的导通性及绝缘性．     

YZr2OZr3:Er3+纳米晶anti-Stokes发光性质的研究

采用均相沉积法制备了不同Er³⁺离子浓度掺杂的Y₂O₃纳米晶, 应用XRD，SEM和PL光谱对该体系材料进行了表征.在Y₂O₃:Er³⁺纳米材料体系中, 观察和研究了Stokes及anti-Stokes PL谱强度与Er³⁺离子摩尔浓度变化的关系, 当Er³⁺离子浓度为2.0mol%时, anti-Stokes PL强度最强.粉末X 关键词： 氧化钇纳米晶 anti-Stokes PL 双光子吸收     

BNCT蒙特卡洛剂量计算的混合网格算法研究

在硼中子俘获治疗(BNCT)的蒙特卡洛(MC)剂量计算中,通常使用单一的网格模式,如16mm,8mm,4mm.使用细网格计算资源太大,使用粗网格,计算精度不够,为此,根据粒子穿透深度和计数量的变化梯度,采用混合网格模拟计算,达到了细网格的精度,时间仅为细网格的37%.     

MOCVD生长的GaN单晶膜透射光谱研究

采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜，使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品，实验结果表明：GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致，即透射率越大，半高宽越小，结晶质量越好；而X射线双晶衍射峰半高宽最小的样品，其PL谱的带边峰却很弱，这说明PL谱反映样品的光学性能与X射线双晶衍射获得的结晶质量不存在简单的对应关系，同时还报导了一种特殊工艺生长的高阻GaN样品的RBS／沟道结果。     

聚甲基丙烯酸甲酯掺杂Ce3+的飞秒激光三维信息存储

用飞秒激光(200 fs,1 kHz,800 nm)脉冲在掺杂稀土离子Ce3 的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)膜中进行了光存储实验研究,包括对样品的吸收光谱、激光照射前后的电子旋转共振(Electron spin resonance,ESR)光谱的测量和讨论。结果表明掺杂稀土离子Ce3 的聚甲基丙烯酸甲酯膜具有较低的写入阈值,有利于高速、并行的三维光存储。实验结果采用传统光学显微镜并行读出。给出了四层存储结果(点间距和层间距分别是4μm和16μm),并讨论了脉冲能量的大小对空腔尺寸的影响,进行高密度存储时,在保证读出信号灰度值足够大的情况下,应选择尽量小的激光脉冲写入能量。实验结果表明这种材料可以应用于三维光信息存储。     

用于原子吸收光谱仪的高灵敏度燃烧器

本文介绍了一种用于原子吸收光谱仪的气－样分进、双通道燃烧器，经过实际检测比较，该坷提高原子吸收灵敏度１￣５倍，且稳定性好。     

平面波通过强度不相等的两个δ势垒问题的求解

对平面波通过强度不相等的两个δ势垒（阱）的定态薛定谔方程作了详细的理论计算，得到了此问题的解．讨论了解的物理含义，分析了入射波产生共振透射的条件及其亚稳态的描述方法     

光声光谱法研究光学薄膜的吸收特性

本文以“一维热流活塞模型”为基础,推导出薄膜光声表达式,光声信号的幅值正比于吸收率.测量了透明基底上光学薄膜的光声吸收谱,实验结果与理论一致.尤其是测量弱吸收薄膜的吸收谱时,具有较高的灵敏度和实用性.